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A NEW MICROBRIDGE WITH AN IMPROVED I-V CURVEKOBAYASHI M; MUSHA T.1983; JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS; ISSN 0021-4922; JPN; DA. 1983; VOL. 22; NO 2; PART. 1; PP. 258-263; BIBL. 5 REF.Article

OBSERVATIONS OF MULTICONFIGURATIONS FOR A VORTEX MODE IN LONG JOSEPHSON TUNNEL JUNCTIONSSCHEUERMANN M; CHEN JT.1983; APPLIED PHYSICS LETTERS; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1983; VOL. 42; NO 1; PP. 48-50; BIBL. 19 REF.Article

PARTICULARITES DU TRANSPORT DE COURANT ET DE L'EFFET DE COMMUTATION DANS LES ELEMENTS D'UNE MEMOIRE SEMICONDUCTRICE, INDEPENDANTE DE L'ENERGIE A BASE D'HETEROJONCTION AVEC DIELECTRIQUE MINCE POUR L'EFFET TUNNELTERESHIN SA; MAD'YAROV MR; MALAKHOV BA et al.1982; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1982; VOL. 11; NO 3; PP. 231-237; BIBL. 4 REF.Article

APPROXIMATION GENERALISEE DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION EN L'ABSENCE D'UNE LIMITATION DU COURANT PAR LE CONTACTZYUGANOV AN.1976; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 23; PP. 63-70; BIBL. 13 REF.Article

RADIATION AND THE I-V CHARACTERISTIC OF SMALL JOSEPHSON JUNCTIONS.ZILBERMAN LA.1975; J. LOW TEMPER. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 18; NO 3-4; PP. 283-295; BIBL. 14 REF.Article

ETUDE DES CARACTERISTIQUES COURANT TENSION DES DIPOLES DANS UN AMPLIFICATEUR A CONTRE-REACTIONVOSKRESENSKIJ VV; IVANITSKIJ AM.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 12; PP. 47-51; BIBL. 3 REF.Article

CHEMICAL BONDING AT METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES.PHILLIPS JC.1974; J. VACUUM SCI. TECHNOL.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 11; NO 6; PP. 947-950; BIBL. 18 REF.; (SYMP. ELECTRON. STRUCT. PROP. INTERFACES. PROC.; PRINCETON, N.J.; 1973)Conference Paper

NEW CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OBSERVED IN SUPERCONDUCTING THIN FILM CROSSINGS.IGUCHI I.1974; PHYS. LETTERS, A; NETHERL.; DA. 1974; VOL. 50; NO 4; PP. 247-248; BIBL. 4 REF.Article

AMPLIFICATEURS A ELEMENTS DE CARACTERISTIQUE VOLTAMPEREMETRIQUE EN SBASKAKOV EN; STEPANOVA LN.1974; IZMERITEL. TEKH.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 4; PP. 58-60; BIBL. 9 REF.Article

ETUDE DES PROPRIETES D'UN ELEMENT D'UNE MEMOIRE INDEPENDANTE DE L'ENERGIE A BASE D'HETEROJONCTIONS SI-SIO2-SNO2-METAL (SYSTEME MOOS)MAD'YAROV MR; TERESHIN SA; ELINSON MI et al.1982; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1982; VOL. 11; NO 3; PP. 238-243; BIBL. 8 REF.Article

MODELE ANALOGIQUE TRANSISTORISE DU NEGATROND'YAKONOV VP.1976; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 21; NO 1; PP. 188-192; BIBL. 3 REF.Article

CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF A NEW TYPE OF SUPERCONDUCTING THIN FILM BRIDGE.SMITH CW; BOHNER JJ.1975; PHYS. LETTERS, A; NETHERL.; DA. 1975; VOL. 51; NO 8; PP. 453-454; BIBL. 4 REF.Article

DIPOLES ELECTROTHERMIQUES A ELEMENTS CONDUCTEURS DE LA CHALEURRYABETS NN; GAPONENKO NP.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 11; PP. 78-84; BIBL. 9 REF.Article

EFFET DE LA VARIATION DU POUVOIR EMISSIF D'UN CONTACT SUR LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DANS DIFFERENTES GAMMES D'INJECTION DE PORTEURS AU CONTACTZYUGANOV AN; SVECHNIKOV SV; SMERTENKO S et al.1975; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 20; PP. 97-106; BIBL. 16 REF.Article

GENERATEUR POUR LE RELEVE DES CARACTERISTIQUES VOLT AMPERE DES STRUCTURES TUNNELONDRIS L; STOFANIK F; NAGY L et al.1975; ELEKTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1975; VOL. 26; NO 7; PP. 576-580; BIBL. 1 REF.Article

EFFET DE L'OXYGENE SUR LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE JONCTIONS P-N AU GE-NBARANSKIJ PI; BESSONOVA NV; DUDNIK EM et al.1973; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 11; PP. 74-75; BIBL. 7 REF.Serial Issue

CARACTERISTIQUES V-A SOUS-LINEAIRES DE STRUCTURES LONGUES N+-NI-N+ EN SILICIUM N DOPE PAR L'ORBYKOVSKIJ YU A; ZUEV VV; KIRYUKHIN AD et al.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 11; PP. 2184-2187; BIBL. 7 REF.Article

CHARACTERIZATION OF CURRENT TRANSPORT OF NARROW-BASE BIPOLAR TRANSISTORS BY THE REGIONAL APPROACH.SIRSI RM; BOOTHROYD AR.1976; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 23; NO 3; PP. 368-370; BIBL. 8 REF.Article

COMMENTS ON: ICVS VBE LAW IN DOUBLE DIFFUSED BIPOLAR TRANSITORS.GERGELY I.1976; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1976; VOL. 19; NO 4; PP. 344; BIBL. 6 REF.Article

CURRENT-VOLTAGE DYNAMIC CHARACTERISTICS OF PNP JUNCTION TRANSISTOR FOR DIFFERENT MODES OF OPERATIONS.NADAR KG.1975; J. INSTIT. ENGRS (INDIA), ELECTRON. TELECOMMUNIC. ENGNG DIV.; INDIA; DA. 1975; VOL. 55; NO 2-3; PP. 59-61; BIBL. 2 REF.Article

SEMICONDUCTOR MEASUREMENT TECHNOLOGY: A BASIC PROGRAM FOR CALCULATING DOPANT DENSITY PROFILES FROM CAPACITANCE-VOLTAGE DATA.MATTIS RL; BUEHLER MG.1975; NATION. BUR. STAND., SPEC. PUBL.; U.S.A.; DA. 1975; NO 400-11; PP. 1-33; BIBL. 15 REF.Article

ANALYSE DU MULTIPLICATEUR DE FREQUENCE A CAPACITE NON LINEAIRE POSSEDANT UNE CARACTERISTIQUE VOLT-COULOMB ARBITRAIREMALYSHEV VA; TOLOMANENKO AF.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 7; PP. 89-94; BIBL. 7 REF.Article

CALCUL DE LA PRECISION DES APPROXIMATIONS DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DANS LA THEORIE SANS DIFFUSION DES COURANTS LIMITES PAR LA CHARGE D'ESPACEZYUGANOV AN.1975; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 20; PP. 45-54; BIBL. 14 REF.Article

CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES CONTACTS JOSEPHSONLANDA PS; TARANKOVA ND.1975; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 20; NO 2; PP. 353-359; BIBL. 14 REF.Article

CARACTERISTIQUE COURANT TENSION EN REGIME STATIQUE DE STRUCTURE MULTIJONCTIONAVAK'YANTS GM; KARAYAN GS; DZHEREDZHYAN AA et al.1974; IZVEST. AKAD. NAUK ARM. S.S.R., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 9; NO 6; PP. 498-505; ABS. ARM. ANGL.; BIBL. 10 REF.Article

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