Electrocristallisation de métaux sur n-GaAs et n-InP = Metal electrocristallization on n-GaAs and n-InPAllemand, Luc; Cachet, Hubert.1990, 139 p.Thesis

Intégration d'un laser B.R.S. 1,3 microns et de transistors MPIS InP de commande: réalisation, caractérisation et modélisation = Integration of a 1,3 microns B.R.S. laser and of a MISFET's driver circuit: realization, characterization and simulation modelDelorme, Franck; Koster, A.1990, 194 p.Thesis

Méthodes d'exploitation des transitoires de capacité en spectroscopie des niveaux profonds (DLTS). Application à des jonctions Au-InP = Capacitance transients analyse in deep level transient spectroscopy (DLTS). Application to Au-InP junctionsLosson, Etienne; Lepley, Bernard.1992, 202 p.Thesis

Etude et caractérisation de matériaux semi-conducteurs (arséniure de gallium et phosphure d'indium dopé au fer), en vue de leurs applications à la détection de rayonnements ionisants = Semi-insulating photoconductor study for X rays detectionMoulin, Hélène; Scavennec, A.1989, 299 p.Thesis

Etude de structures MS et MIS-(n)InP par photoluminescence. Effet du champ électrique = Photoluminescence study of MS and MIS-(n)InP structures. Effect of the electrical fieldAhaitouf, Ali; Bath, Armand.1992, 177 p.Thesis

Etude expérimentale des propriétés de transport non stationnaire dans InP par photoconduction = Experimental study of non stationary transport properties in InP by photoconductionDe Carre, Patrice; Laval, Suzanne.1990, 202 p.Thesis

Formation of nanodots on oblique ion sputtered InP surfacesSOM, T; CHINI, T. K; KATHARIA, Y. S et al.Applied surface science. 2009, Vol 256, Num 2, pp 562-566, issn 0169-4332, 5 p.Conference Paper

Anodic behavior and pore growth of n-InP in acidic liquid ammoniaEB, Alexandra; GONGALVES, Anne-Marie; SANTINACCI, Lionel et al.Comptes rendus. Chimie. 2008, Vol 11, Num 9, pp 1023-1029, issn 1631-0748, 7 p.Conference Paper

SURFACE FEATURES ON ZINC-DIFFUSED INDIUM PHOSPHIDE.TUCK B; HOOPER A.1976; J. MATER. SCI.; G.B.; DA. 1976; VOL. 11; NO 3; PP. 491-499; BIBL. 12 REF.Article

INP MICROWAVE OSCILLATORS WITH 2-ZONE CATHODES.GRAY KW; PATTISON JE; REES HD et al.1975; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1975; VOL. 11; NO 17; PP. 402-403; BIBL. 4 REF.Article

ETUDE DE LA MAGNETORESISTANCE NEGATIVE DANS INP NEMEL'YANENKO OV; LAGUNOVA TS; MASAGUTOV KG et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 8; PP. 1517-1522; BIBL. 13 REF.Article

TRANSFERRED ELECTRON PHOTOEMISSION FROM INP.BELL RL; JAMES LW; MOON RL et al.1974; APPL. PHYS. LETTERS; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 25; NO 11; PP. 645-646; BIBL. 7 REF.Article

PROPRIETES THERMODYNAMIQUES DU PHOSPHURE D'INDIUMABBASOV AS; MUSTAFAEV FM; SULEJMANOV DM et al.1974; IZVEST. AKAD. NAUK AZERBAJDZH. SSR., FIZ.-TEKH. MAT. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 4; PP. 65-66; ABS. AZERB. ANGL.; BIBL. 10 REF.Article

FUNDAMENTAL PHOTOLUMINESCENCE OF UNDOPED INP CRYSTALS CLEANED BY THE FLOATING ZONE METHOD.POPOV AS.1976; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1976; VOL. 37; NO 1; PP. K53-K56; BIBL. 3 REF.Article

DIFFUSION PROFILES OF ZINC IN INDIUM PHOSPHIDE.TUCK B; HOOPER A.1975; J. PHYS. D; G.B.; DA. 1975; VOL. 8; NO 15; PP. 1806-1821; BIBL. 15 REF.Article

ZN-DOPED VAPOR-GROWN INPCHEVRIER J; HUBER A; LINH NT et al.1980; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1980; VOL. 51; NO 1; PP. 815-817; BIBL. 16 REF.Article

PROPRIETES MECANIQUES DU PHOSPHURE D'INDIUMSIMASHKO SG; BEZHAN NP; MARTYNKO VD et al.1977; IZVEST. AKAD. NAUK MOLDAV. S.S.R., FIZIKO-TEKH. MAT. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 3; PP. 42-48; H.T. 4; BIBL. 7 REF.Article

EPVOM de InP. Synthèse et purification d'un nouveau précurseur de l'indium. Contribution à l'étude de la phase gazeuse et à la réalisation de différents dépôts d'InP = MOVPE of InP. Synthesis and purification of a new indium precursor. Contribution to the study of the gazeous phase and growth of InP layersSouliere, Véronique; Monteil, Yves.1992, 170 p.Thesis

PHONON DISPERSION CURVES IN INDIUM PHOSPHIDE.BORCHERDS PH; ALFREY GF; SAUNDERSON DH et al.1975; J. PHYS. C; G.B.; DA. 1975; VOL. 8; NO 13; PP. 2022-2030; BIBL. 19 REF.Article

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A NEW OPTICAL METHOD TO INVESTIGATE DEEP TRAPS IN GAAS AND INPRUEHLE W; LOESCH K; FISCHBACH JU et al.1979; PHYS. STATUS SOLIDI, A; DDR; DA. 1979; VOL. 52; NO 1; PP. K65-K67; BIBL. 5 REF.Article

DILATATION THERMIQUE ET VARIATIONS DE VOLUME AU COURS DE LA FUSION DU PHOSPHURE D'INDIUMGLAZOV VM; DAVLETOV K; NASHEL'SKIJ A YA et al.1977; ZH. FIZ. KHIM.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 51; NO 10; PP. 2558-2562; BIBL. 16 REF.Article

RESISTANCE ELECTRIQUE DE TYPE S ET EFFET PHOTOELECTRIQUES DANS DES CRISTAUX INP TYPE N(CU)BERKELIEV A; DURDYEV K; MEREDOV A et al.1977; IZVEST. AKAD. NAUK TURKM. S.S.R., FIZ.-TEKH. KHIM. GEOL. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 2; PP. 36-39; ABS. TURKM. ANGL.; BIBL. 7 REF.Article

OHMIC CONTACTS FOR MODERATELY RESISTIVE P-TYPE INP.SCHIAVONE LM; PRITCHARD AA.1975; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 46; NO 1; PP. 452-453; BIBL. 7 REF.Article

AVALANCHE EFFECTS IN BULK INP MICROWAVE DIODE OSCILLATORSJERVIS BW; HOBSON GS.1972; PROC. I.E.E.E.; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 60; NO 6; PP. 722-723; BIBL. 10 REF.Serial Issue