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Détermination de la courbure des bandes près de la surface d'après la cinétique de l'effet photovoltaïque des pièges dans la barrièreBEDNYJ, B. I; VASILEVSKIJ, M. I; KARPOVICH, I. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 2, pp 362-364, issn 0015-3222Article

Enregistrement acoustique du confinement du plasma d'électrons-trous photoexcité non dégénéré près de la surface du germaniumGUSEV, V. EH; ZHDANOV, B. V; KUZNETSOV, V. I et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 2, pp 366-369, issn 0015-3222Article

Mobilité en surface des électrons dans les structures MIS en CdxHg1-xTe de type pPONOMARENKO, V. P; SALMIN, E. A; STAFEEV, V. I et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 1, pp 189-192, issn 0015-3222Article

Photorécepteur de rayonnement UV à base d'une couche de ZnxCd1-xSKNIGIN, P. I; MIRSAGATOV, SH. A; ROZIKOV, KH et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 2, pp 356-357, issn 0015-3222Article

Variation thermique de la forme de la raie d'ionisation photothermique des impuretés dans un semiconducteur faiblement dopé et faiblement compenséBARANOVSKIJ, S. D; SHKLOVSKIJ, B. I.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 1, pp 192-195, issn 0015-3222Article

Comportement de l'impureté or dans le silicium par actions thermique et d'irradiationANTONOVA, I. V; VASIL'EV, A. V; PANOV, V. I et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 2, pp 253-256, issn 0015-3222Article

Entraînement des trous par un rayonnement IR dans un semiconducteur déformé uniaxialementBAKHANOVA, E. V; YAS'KO, F. T.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 2, pp 274-278, issn 0015-3222Article

Oscillations de Shubnikov-de Haas dans PbTe(Cr)AKIMOV, B. A; VERTELETSKIJ, P. V; ZLOMANOV, V. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 2, pp 244-249, issn 0015-3222Article

Photodiode dans le violet en SiC-4HDMITRIEV, V. A; KOGAN, L. M; MOROZENKO, YA. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 1, pp 39-43, issn 0015-3222Article

Propriétés amphotères du germanium dans GaAs:BiCHALOYSHEV, V. V; YAKUSHEVA, N. A.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 1, pp 44-47, issn 0015-3222Article

Structure électronique de la bande de valence des solutions solides AlyGa1-yAs et GaAs1-xPx d'après les données de spectroscopie de RXTEREKHOV, V. A; KASHKAROV, V. M; DOMASHEVSKAYA, EH. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 2, pp 268-273, issn 0015-3222Article

Technique d'étude de la cinétique de l'effet photovoltaïque de surface dans GaAs et résultatsERSHOVA, T. P; ERSHOV, S. G; ZHUKOV, V. E et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 2, pp 323-327, issn 0015-3222Article

Variation thermique de l'ionisation par chocs et de la disruption en avalanche dans le carbure de siliciumKONSTANTINO, A. O.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 1, pp 52-57, issn 0015-3222Article

Contraintes élastiques dans Si contenant des impuretés électriquement passivesMIZRUKHIN, L. V; KHIRUNENKO, L. I; SHAKHOVTSOV, V. I et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 704-706, issn 0015-3222Article

Effet Gunn de conductivité différentielle négative submillimétrique en champs E⊥HDZAMUKASHVILI, G.EH; KACHLISHVILI, Z.S.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 6, pp 1101-1104, issn 0015-3222Article

Effet photoélectrique d'hétérojonctions In2O3/CuInSe2 obtenues par oxydation thermiqueMEDVEDKIN, G. A; RUD, YU. V; TAIROV, M. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 5, pp 869-872, issn 0015-3222Article

Limite d'absorption intrinsèque de AlxGa1-xAs1-yPyKUZNETSOV, V. V; RAZBEGAEV, V. N; SAID EHL-GIZIRI et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 5, pp 880-881, issn 0015-3222Article

Longueur de diffusion dans le silicium épitaxique polycristallin obtenu par évaporation sous videALESHIN, A.M; ZADOROZHNYJ, N.S; KOVALENKO, V.F et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 6, pp 1116-1118, issn 0015-3222Article

Niveaux des défauts du traitement thermique du silicium sous pression hydrostatiqueVYZHIGIN, YU. V; ZEMAN, YA; KOSTYLEV, V. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 719-722, issn 0015-3222Article

Propriétés photoélectriques des hétérostructures AlGaAs-GaAs ayant une «fenêtre à bande large» d'une minceur tunnelANDREEV, V. M; LARIONOV, V. R; PRUTSKIKH, T. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 597-600, issn 0015-3222Article

Variations de structure de AsGeSe vitreux irradié par des doses élevées de neutronsKONOROVA, L. F; ZHDANOVICH, N. S; DIDIK, V. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 706-709, issn 0015-3222Article

Bruit en 1/f et relaxation de longue durée de la photoconductivité dans GaAsDYAKONOVA, N. V; LEVINSHTEIN, M. E; RUMYANTSEV, S. L et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 10, pp 1828-1833, issn 0015-3222Article

Cinétique de variation de la concentration des défauts de structure et rôle de ces défauts dans la diffusion des trous dans GaAs-pBARANOV, A. N; VORONINA, T. I; LAGUNOVA, T. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 5, pp 780-786, issn 0015-3222Article

Commutateur rapide contrôlable à base de films minces d'arséniure de galliumVASHCHENKO, V. A; SINKEVICH, V. F.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 10, pp 1902-1903, issn 0015-3222Article

Diffusion de surface des porteurs de charge dans les canaux d'inversion de type n des structures Si-MOSBAJRAMOV, M. A; VEDENEEV, A. S; ZHDAN, A. G et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 9, pp 1618-1624, issn 0015-3222Article

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