Photoluminescence d'hétérostructures InGaAsP/GaAs à effet dimensionnel quantique obtenues par la méthode d'épitaxie en phase liquideALFEROV, ZH. I; ANTONISHKIS, N. YU; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 12, pp 2145-2149, issn 0015-3222Article

High-power 0.8 μm InGaAsP-GaAs SCH SQW lasersGARBUZOV, D. Z; ANTONISHKIS, N. YU; BONDAREV, A. D et al.IEEE journal of quantum electronics. 1991, Vol 27, Num 6, pp 1531-1536, issn 0018-9197Article

Laser à hétérojonction double à limitation séparée InGaAsP-GaAs, à effet dimensionnel quantique, préparée par épitaxie en phase liquide (λ=0,79 μ, In=124 A/cm2, T=300 T)ALFEROV, ZH. I; ANTONISHKIS, N. YU; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 1, pp 162-164, issn 0015-3222Article