ETUDE DE REACTIONS DE DEPOTS CHIMIQUES SUR "FRONT CHAUD" A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE. APPLICATION A L'ELABORATION DE BORURES DE MOLYBDENE, TUNGSTENE, NIOBIUM ET TANTALE(II)ARMAS B.1976; REV. INTERNATION. HAUTES TEMPER. REFRACT.; FR.; DA. 1976; VOL. 13; NO 1; PP. 49-69; ABS. ANGL. ALLEM.; BIBL. 49 REF.Article

ETUDE DE REACTIONS DE DEPOTS CHIMIQUES SUR "FRONT CHAUD" A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE. APPLICATION A L'ELABORATION DE BORURES DE MOLYBDENE, TUNGSTENE, NIOBIUM ET TANTALEARMAS B.1973; AO-CNRS-8275; FR.; DA. 1973; PP. 1-86; H.T. 100; BIBL. 5 P.; (THESE DOCT. SCI. PHYS.; UNIV. PAUL SABATIER TOULOUSE)Thesis

SYNTHESE EN PHASE GAZEUSE, ET ETUDE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE COMPOSES BORE-SILICIUM EN VUE DE LEURS APPLICATIONS COMME CONVERTISSEURS THERMOELECTRIQUES.PISTOULET B; ARMAS B.1977; DGRST-7571493; FR.; DA. 1977; PP. 1-22; H.T. 4; BIBL. 14 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE; PHYS. ELECTRON.)Report

CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION OF MOLYBDENUM AND TUNGSTEN BORIDES BY THERMAL DECOMPOSITION OF GASEOUS MIXTURES OF HALIDES ON A SOLAR "FRONT CHAUD" = DEPOT CHIMIQUE DE VAPEUR DE BORURES DE MOLYBDENE ET DE TUNGSTENE OBTENU PAR DECOMPOSITION THERMIQUE DE MELANGES GAZEUX D'HALOGENURES SUR UN FRONT CHAUD SOLAIREARMAS B; TROMBE F.1973; SOLAR ENERGY; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 15; NO 1; PP. 67-73; H.T. 1; ABS. FR. ESP.; BIBL. 26 REF.Serial Issue

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF NBB₂ AND TAB₂ THROUGH HEATING BY CONCENTRATION OF SOLAR RADIATIONARMAS B; COMBESCURE C; TROMBE F et al.1976; J. ELECTROCHEM. SOC.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 123; NO 2; PP. 308-310; BIBL. 5 REF.Article

THE VAPOUR TRANSPORT OF NBB₂ AND TAB₂ARMAS B; JEFFES JHE; HOCKING MG et al.1978; J. CRYST. GROWTH; NLD; DA. 1978; VOL. 44; NO 5; PP. 609-612; BIBL. 10 REF.Article

Kinetic interpretation of pyrolysis at low pressure of silicon boron bromidesCOMBESCURE, C; ARMAS, B.Journal of the less-common metals. 1986, Vol 117, Num 1-2, pp 355-359, issn 0022-5088Article

DETERMINATION OF THE BORON-RICH SIDE OF THE B-SI-PHASE DIAGRAMARMAS B; MALE G; SALANOUBAT D et al.1981; J. LESS-COMMON MET.; CHE; DA. 1981-12; VOL. 81; NO 1/2; PP. 245-254; BIBL. 16 REF.Conference Paper

KINETIC STUDY OF BORON TRIBROMIDE PYROLYSIS AT LOW PRESSURECOMBESCURE C; ARMAS B; ALNOT M et al.1981; J. ELECTROCHEM. SOC.; ISSN 0013-4651; USA; DA. 1981; VOL. 128; NO 2; PP. 358-361; BIBL. 7 REF.Article

PROPRIETES DES COMPOSES BORE SILICIUM DOPES: RECHERCHE D'OBTENTION DE MONOCRISTAUXPISTOULET BERNARD; ARMAS B; VIALA JC et al.1979; ; FRA; DA. 1979; DGRST-77 7 1642; (68) P.; 30 CM; ACTION CONCERTEE: PHYSIQUE ELECTRONIQUEReport

Etude cinétique de l'interaction du tribromure de bore et du fer à haute température et sans pression réduite = Kinetic study of interaction of boron tribromide and iron under high temperature and at low pressureARMAS, B; COMBESCURE, C; RAMAIN, S et al.Revue internationale des hautes températures et des réfractaires. 1986, Vol 23, Num 3, pp 135-143, issn 0035-3434Article

Measurements of temperature fields in gases by holographic interferometryBENET, S; CHEHOUANI, H; BRUNET, S et al.Revue internationale des hautes températures et des réfractaires. 1992, Vol 28, Num 1, pp 25-34, issn 0035-3434Article

Deposition of aluminium nitride coatings using a cold wall CVD reactorARMAS, B; DE ICAZA HERRERA, M; SIBIEUDE, F et al.Surface & coatings technology. 2000, Vol 123, Num 2-3, pp 199-203, issn 0257-8972Article

Mesure par holographie du champ de températures dans un réacteur de vapodéposition = Temperature field holography measurement in chemical vapor deposition reactorMENET, S; BRUNET, S; ARMAS, B et al.Revue générale de thermique. 1988, Vol 27, Num 322, pp 525-533, issn 0035-3159Article

Dépôt chimique en phase gazeuse de nitrure d'aluminium, étude de l'interface AlN-SiCASPAR, B; BERJOAN, R; ARMAS, B et al.Le Vide, les couches minces. 1991, Vol 47, Num 259, pp 319-325, issn 0223-4335Article

Contribution à l'étude de codépôts de AlN-Si₃N₄ par dépôt chimique en phase gazeuse = Contribution to AlN-Si₃N₄ codeposits study by chemical vapour depositionHenry, Franck; Armas, B.1995, 230 p.Thesis

Low pressure chemical vapour deposition of AlN-Si₃N₄ codepositsHENRY, F; ARMAS, B; BERJOAN, R et al.Journal of the European Ceramic Society. 1997, Vol 17, Num 15-16, pp 1803-1806, issn 0955-2219Conference Paper

LPCVD of Al₂O₃ layers using a hog-wall reactorLABATUT, C; COMBESCURE, C; ARMAS, B et al.Journal de physique. IV. 1993, Vol 3, Num 3, pp 589-596, issn 1155-4339Conference Paper

Thermodynamic analysis of metalorganic chemical vapour deposition of SiC using tetramethylsilane as precursor. II: Influence of the minoritary tetramethylsilane pyrolysis byproducts in the preferred crystallization of SiC layersMADIGOU, V; VEINTEMILLAS, S; RODRIGUEZ-CLEMENTE, R et al.Journal of crystal growth. 1995, Vol 148, Num 4, pp 390-395, issn 0022-0248Article

Heat transfer studies in cold CVD reactors using holographic interferometryCHEHOUANI, H; BENET, S; BRUNET, S et al.Journal de physique. IV. 1993, Vol 3, Num 3, pp 83-90, issn 1155-4339Conference Paper

Vapodeposition of Si₃N₄ layers using a new PECVD reactorFAKIH, C; BES, R. S; ARMAS, B et al.Le Vide, les couches minces. 1991, Vol 47, Num 256, pp 335-337, issn 0223-4335, SUPConference Paper

Détermination de la température de la phase vapeur dans un réacteur C.V.D. par interférométrie holographique = Study of the gas phase temperature in a CVD reactor using a holographic interferometry deviceDIAZ, C; ARMAS, B; COMBESCURE, C et al.Revue internationale des hautes températures et des réfractaires. 1987, Vol 24, Num 1, pp 27-41, issn 0035-3434Article

Influence of the experimental conditions on the morphology of CVD AlN filmsASPAR, B; RODRIGUEZ-CLEMENTE, R; FIGUERAS, A et al.Journal of crystal growth. 1993, Vol 129, Num 1-2, pp 56-66, issn 0022-0248Article

Influence de l'oxygène sur la vapodéposition d'AlN = Influence of oxygen on the chemical vapour deposition of AlNASPAR, B; FIGUERAS, A; RODRIGUEZ-CLEMENTE, R et al.Comptes rendus de l'Académie des sciences. Série 2, Mécanique, Physique, Chimie, Sciences de l'univers, Sciences de la Terre. 1992, Vol 314, Num 9, pp 909-914, issn 0764-4450Article

Influence of temperature and tetramethylsilane partial pressure on the β-SiC deposition by cold wall chemical vapor depositionRODRIGUEZ-CLEMENTE, R; FIGUERAS, A; GARELIK, S et al.Journal of crystal growth. 1992, Vol 125, Num 3-4, pp 533-542, issn 0022-0248Article