Un laser à injection continu à 0,677 μm, en hétérostructure double InGaAsP/GaAsP à limite séparée, obtenu par épitaxie en phase liquideALFEROV, ZH. I; ARSENT'EV, I. N; VAVILOVA, L. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 6, pp 1115-1118, issn 0015-3222Article

Laser à hétérojonction double à limitation séparée InGaAsP-GaAs, à effet dimensionnel quantique, préparée par épitaxie en phase liquide (λ=0,79 μ, In=124 A/cm2, T=300 T)ALFEROV, ZH. I; ANTONISHKIS, N. YU; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 1, pp 162-164, issn 0015-3222Article

Profils Auger de la composition et études de luminescence d'hétérostructures en phase liquide de InGaAsP avec régions actives de (1,5-5)×10-6 cmALFEROV, ZH. I; GARBUZOV, D. Z; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 6, pp 1108-1114, issn 0015-3222Article

Lasers à injection à double hétérostructure InGaAsP/InP à limite séparée, de seuil 300 A/cm2, (échantillons divisés en 4, λ=1,25 μm, T=300 K)ALFEROV, ZH. I; ARSENT'EV, I. N; GARBUZOV, D. Z et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 11, pp 2057-2060, issn 0015-3222Article

Transitions radiatives cohérentes et spontanées dans les hétérostructures doubles InGaAsP/InP à région active mince (da=2×10-5―2×10-6 cm) obtenue par épitaxie en phase liquideGARBUZOV, D. Z; ARSENT'EV, I. N; CHALYJ, V. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 11, pp 2041-2045, issn 0015-3222Article

Etude de l'émission photoélectronique par rayons X d'hétérostructures de InGaAsP obtenues par épitaxie en phase liquide avec une étendue des couches de transition ≤20 ÅARSENT'EV, I. N; GARBUZOV, D. Z; KONNIKOV, S. G et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 12, pp 2206-2211, issn 0015-3222Article

Photoluminescence d'hétérostructures InGaAsP/GaAs à effet dimensionnel quantique obtenues par la méthode d'épitaxie en phase liquideALFEROV, ZH. I; ANTONISHKIS, N. YU; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 12, pp 2145-2149, issn 0015-3222Article

Laser continu à double hétérostructure InGaAsP/GaAs à limite séparée formée par épitaxie liquide, de puissance 77 mW (T = 300 K, λ = 0,87 μm)GARBUZOV, D. Z; ARSENT'EV, I. N; VAVILOVA, L. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 1, pp 136-138, issn 0015-3222Article

Lasers à double hétérostructure InGaAsP/GaAs à injection et bas seuil, avec limite différente, obtenus par la méthode d'épitaxie en phase liquide (λ=0,78-0,87 μm, Iseuil=460 A/cm2, T=300 K)ALFEROV, ZH. I; ARSENT'EV, I. N; VAVILOVA, L. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 9, pp 1655-1659, issn 0015-3222Article