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APPLICATION DU MICROSCOPE ELECTRONIQUE ET DE LA TOPOGRAPHIE AUX RAYONS X A L'ETUDE DE LA STRUCTURE DES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS)STENIN SI; ASEEV AL.1975; IZVEST. SIBIR. OTDEL. AKAD. NAUK S.S.S.R., KHIM. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 2; PP. 136-160; BIBL. 2 P.Article
INTERACTION DES DEFAUTS PONCTUELS AVEC LA SURFACE DE CRISTAUX DE SILICIUM LORS DE L'IRRADIATION AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE SOUS HAUTE TENSIONASEEV AL; ASTAKHOV VM.1982; FIZ. TVERD. TELA; ISSN 0367-3294; SUN; DA. 1982; VOL. 24; NO 7; PP. 2037-2042; BIBL. 9 REF.Article
DISLOCATION PROCESSES DURING PLASTIC DEFORMATION OF SI AND GE IN THE RANGE 0.50 TO 0.95 OF THE MELTING TEMPERATURE.ASEEV AL; GOLOBOKOV YN; STENIN SI et al.1975; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1975; VOL. 28; NO 1; PP. 355-364; ABS. RUSSE; BIBL. 22 REF.Article
NATURE ET CONDITIONS DE FORMATION DES DEFAUTS EN BATONNETS DANS LE SILICIUMASEEV AL; BOLOTOV VV; SMIRNOV LS et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 7; PP. 1302-1307; BIBL. 14 REF.Article
EFFETS D'IRRADIATION A HAUTE TEMPERATURE DANS LE GERMANIUM LORS D'UNE IRRADIATION SOUS LE MICROSCOPE ELECTRIQUE A HAUTE TENSIONPCHELYAKOV OP; ASEEV AL; SMIRNOV LS et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 8; PP. 1472-1479; BIBL. 9 REF.Article
FORMATION OF DISLOCATION STRUCTURE IN SILICON LAYERS ON NON-ORIENTING SUBSTRATES.MEYER S; ASEEV AL; KLIMENKO AG et al.1975; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 10; NO 3; PP. 247-257; ABS. RUSSE; BIBL. 23 REF.Article
FORMATION DE DEFAUTS DANS LES CONDITIONS DE DIFFUSION ACCELEREE PAR L'IRRADIATIONKALININ VV; ASEEV AL; GERASIMENKO NN et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 1; PP. 28-36; BIBL. 13 REF.Article
INVESTIGATION OF GERMANIUM FILMS AND GE-SI INTERFACE STRUCTURE BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY.ASEEV AL; VASIN OI; STENIN SI et al.1975; THIN SOLID FILMS; NETHERL.; DA. 1975; VOL. 30; NO 1; PP. 73-82; BIBL. 23 REF.Article