Réalisation de transistors à effet de champ en AsGa par la neutralisation des donneurs légers par hydrogène atomiqueCaglio, Nathalie; Constant, Eugène.1989, 200 p.Thesis

POSITRON PROFILES AND POSITRON ANNIHILATION IN THIN LAYERSPOGREBNYAK AD; KUZMINIKH VA; AREFEV KP et al.1982; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1982-05; VOL. 71; NO 1; PP. 145-151; BIBL. 15 REF.Article

Electrical measurements on silver-diffused GaAs = Elektrische Messungen an GaAs, das mit Silberdiffusion behandelt wurdeADEGBOYEGA, G.A.Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 85, Num 1, pp 215-218, issn 0031-8965Article

Influence of source composition on the properties of flash-evaporated thin films in the Cu-In-Se system = Einfluss der Quellenzusammensetzung auf die Eigenschaften von durch Flashverdampfung hergestellten duennen Filmen im System Cu-In-SeNEUMANN, H; SCHUMANN, B; NOWAK, E et al.Crystal research and technology (1979). 1983, Vol 18, Num 7, pp 895-900, issn 0232-1300Article

LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF ALGEAS-GAAS HETEROSTRUCTURES FOR SOLAR ENERGY CONVERSIONROMERO R; PURON E.1981; CRYST. RES. TECH.; ISSN 0232-1300; DDR; DA. 1981-09; VOL. 16; NO 9; PP. 989-994; BIBL. 8 REF.Article

AMORPHOUS CRYSTALLINE TRANSITION IN ION IMPLANTED SEMICONDUCTORSBALKANSKI M; MORHANGE JF; KANELLIS G et al.1981; Z. PHYS. CHEM. (NEUE FOLGE); DEU; DA. 1981; VOL. 127; NO 2; PP. 207-222; BIBL. 12 REF.Article

Electric field influence on n-GaAs magnetoresistance in impurity conduction = Einfluss des elektrischen Feldes auf den Magnetowiderstand von n-GaAs im Zustand der StoerstellenleitungKAMARA, M.S; LUKASHEVICH, M.G; STELMAKH, V.F et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 84, Num 2, pp 613-619, issn 0031-8965Article

RADIATION DAMAGE AND NEAR EDGE OPTICAL PROPERTIES OF NITROGEN IMPLANTED GALLIUM ARSENIDE = STRAHLUNGSSCHAEDIGUNG UND OPTISCHE EIGENSCHAFTEN NAHE DER BANDKANTE VON STICKSTOFF-IMPLANTIERTEM GALLIUMARSENID = DETERIORATION PAR RAYONNEMENT ET PROPRIETES OPTIQUES PRES DE L'ARETE D'UNE BANDE D'ARSENIURE DE GALLIUM IMPLANTEE A L'AZOTEWESCH W; WILK E; HEHL K et al.1982; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; DDR; DA. 1982-03; VOL. 70; NO 1; PP. 243-248; BIBL. 16 REF.Article

Ge and Au profiles in GaAs produced from AuGe contacts and studied by SIMS = Untersuchung der von AuGe-Kontakten produzierten Ge- und Au-Profile in GaAs mittels SIMSNEBAUER, E; TRAPP, M.Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 84, Num 1, pp K39-K42, issn 0031-8965Article

Photoluminescence and electrical properties of vapour phase epitaxial ZnSe grown on GaAs = Photolumineszenz und elektrische Eigenschaften des aus der Dampfphase epitaktisch auf GaAs gewachsenen ZnSeLILLEY, P; CZERNIAK, M.R; NICHOLLS, J.E et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 85, Num 1, pp 235-242, issn 0031-8965Article

Optical absorption in neutron irradiated GaAs = Optische Absorption in neutronenbestrahltem GaAsBARAMIDZE, N.V; KURDIANI, N.I; BONCH-BRUEVICH, V.L et al.Physica status solidi. B. Basic research. 1984, Vol 124, Num 1, pp 241-247, issn 0370-1972Article

ARE AU PROFILES WELL MEASURABLE IN N-GAAS BY ELECTROETCHINGNEBAUER E; BRINK E; JANIETZ P et al.1982; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; DDR; DA. 1982-01; VOL. 69; NO 1; PP. K65-K68; BIBL. 9 REF.Article

MODELISATION et OPTIMISATION de DETECTEURS INFRAROUGE à MULTIPUITS QUANTIQUES = MODELING and OPTIMIZATION of QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTORSHerniou, Eric; Meyzonnette, Jean Louis.2001, 120 p.Thesis

Positron annihilation and profiles of radiation damages in GaAs and Si crystals irradiated by supercurrent proton or electron beams = Positronenvernichtung und Strahlenschaedigungsprofile in GaAs- und Si-Kristallen, die mit Protonen- und Elektronenstrahlen hoher Dichte bestrahlt wurdenPOGREBNYAK, A.D; BOYARKO, E.Yu; KRYUCHKOV, Yu.Yu et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 81, Num 1, pp 217-225, issn 0031-8965Article

Point defects in thermal GaAs/GaAs-oxide structures probed by electron paramagnetic resonanceNGUYEN, S; STESMANS, A; AFANAS'EV, V. V et al.Microelectronic engineering. 2013, Vol 109, pp 294-297, issn 0167-9317, 4 p.Article

Equation of state and pressure derivative of the bulk modulus for III-V covalent crystals = Zustandsgleichung und Druckableitung des Raummoduls von kovalenten III-V-KristallenSOMA, T; TAKAHASHI, Y; KAGAYA, H.M et al.Physica status solidi. B. Basic research. 1984, Vol 124, Num 1, pp K11-K14, issn 0370-1972Article

High resolution electron microscopic investigations of dislocations in deformed GaAs single crystals doped with Te = Hochaufgeloeste elektronenmikroskopische Untersuchung der Versetzungen in verformten GaAs-Einkristallen mit Te-DotierungMAKSIMOV, S.K; ZIEGLER, M; KHODOS, I.I et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 84, Num 1, pp 79-86, issn 0031-8965Article

Structural and chemical analysis of a silicon nitride film on GaAs by null ellipsometry = Strukturelle und chemische Analyse einer Siliziumnitrid-Duennschicht auf GaAs mittels Null-EllipsometrieALTEROVITZ, S.A; BU-ABBUD, G.H; WOOLLAM, J.A et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 85, Num 1, pp 69-76, issn 0031-8965Article

PSA solar furnace : A facility for testing PV cells under concentrated solar radiationFERNANDEZ-RECHE, J; CANADAS, I; SANCHEZ, M et al.Solar energy materials and solar cells. 2006, Vol 90, Num 15, pp 2480-2488, issn 0927-0248, 9 p.Conference Paper

Surface passivation of composition graded base in GaAlAs/GalnP/GaAs heterojunction bipolar transistorBOURGUIGA, R; SIK, H; SCAVEIMEC, A et al.EPJ. Applied physics (Print). 1999, Vol 6, Num 3, pp 299-301, issn 1286-0042Article

Band mapping of MBE-grown AlAs(100)KANSKI, J; NILSSON, P. O; KARLSSON, U. O et al.Solid state communications. 1991, Vol 77, Num 8, pp 617-618, issn 0038-1098, 2 p.Article

Lattice dynamics of tetrahedral compounds with the local Heine-Abarenkov model potential = Gitterdynamik tetraedrischer Verbindungen mit dem lokalen Heine-Abaranko-ModellpotentialKAGAYA, H.M; SOMA, T.Physica status solidi. B. Basic research. 1984, Vol 124, Num 1, pp 37-44, issn 0370-1972Article

ÉTUDE ET CONCEPTION DE MICROSYSTÈMES MICRO-USINÉS PAR LA FACE AVANT EN UTILISANT DES TECHNOLOGIES STANDARDS DES CIRCUITS INTÉGRÉS SUR ARSÉNIURE DE GALLIUM = MASKLESS FRONT-SIDE BULK MICROMACHINING COMPATIBLE TO STANDARD GaAs IC TECHNOLOGYPerez Ribas, Renato; Courtois, Bernard.1998, 132 p.Thesis

The influence of the lattice misfit on the growth of CuGaSe₂ epitaxial films on {1O0}-oriented GaAs and GaP substrates = L'influence de l'accommodation de défaut de réseau sur la croissance de films de CuGaSe déposés en phase vapeur sur des substrats de GaP et GaAs orientés(100) = Der Einfluss der Gitterfehlpassung auf das Wachstum von CuGaSe, Filmen, aufgedampft auf {100}-orientierte GaAs und GaP substrateSCHUMANN, B; TEMPEL, A; KUEHN, C et al.Crystal research and technology (1979). 1983, Vol 18, Num 1, pp 71-75, issn 0232-1300Article

Local Heine-Abarankov model potential for III-V and II-VI covalent compounds = Lokales Heine-Abarenko-Modellpotential fuer kovalente III-V- und II-VI-VerbindungenSOMA, T; KAGAYA, H.M.Physica status solidi. B. Basic research. 1983, Vol 119, Num 2, pp 547-553, issn 0370-1972Article