au.\*:("ATABAEV, I. G")
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Propriétés électrophysiques de la solution solide Si-Ge dopée par neutrons du côté des compositions riches en silicium. I. Paramètres électrophysiques et conductivité ε1ZABRODSKJ, A. G; EVSEEV, V. A; KONOPLEVA, R. F et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 11, pp 2042-2051, issn 0015-3222Article
New semiconductor detectors for nuclear radiation utilizing Si1-xGex alloySAIDOV, M. S; MUMINOV, R. A; ATABAEV, I. G et al.Atomic energy (New York, N.Y.). 1996, Vol 81, Num 4, pp 710-713, issn 1063-4258Article
Réactions des centres de l'or lors du pompage optique des solutions solides silicium-germaniumATABAEV, I. G; BAGRAEV, N. T; MASHKOV, V. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 4, pp 745-747, issn 0015-3222Article
Mécanisme de la formation de défauts dans les alliages Si1-xGex par irradiation électroniqueATABAEV, i. G; SAIDOV, M. S; KHIRUNENKO, L. I et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 3, pp 570-573, issn 0015-3222Article