GaAs et GaAs:In : influence des traitements de surface et caractérisation de l'homogénéité de la photoluminescenceKhoukh, Abdelaziz; Krawczyk, S. K.1988, 120 p.Thesis

Electrocristallisation de métaux sur n-GaAs et n-InP = Metal electrocristallization on n-GaAs and n-InPAllemand, Luc; Cachet, Hubert.1990, 139 p.Thesis

Etude de la passivation de GaAs (001) par un dépôt de nitrure de silicium réalisé par photolyse de Nh₃ en présence de SiH₄Guizot, Jean Luc; Friederich, A.1989, 178 p.Thesis

Analyse et caractérisation à l'échelon atomique de l'intéraction entre des plasmas multipolaires et les surfaces d'arséniure de galliumMabon, Roland; Petroff, Jean-François.1989, 241 p.Thesis

Contribution à l'étude de la réalisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs à structure autoalignée en technologie double mesa = Optimization of a self-aligned double mesa technology for AlGaAs/GaAs heterojonction bipolar transistorsBimuala, Bamueni; L'Hoir, Alain.1991, 217 p.Thesis

Etude et caractérisation de matériaux semi-conducteurs (arséniure de gallium et phosphure d'indium dopé au fer), en vue de leurs applications à la détection de rayonnements ionisants = Semi-insulating photoconductor study for X rays detectionMoulin, Hélène; Scavennec, A.1989, 299 p.Thesis

Piégeage du positon dans l'arséniure de gallium : mise en évidence de lacunes et d'ions charges négativementPierre, Fabrice; Quere, Yves.1989, 147 p.Thesis

Spectroscopie des impuretés isovalentes dans GaAsLeymarie, Joël; Neu, Gérard.1989, 177 p.Thesis

Synthèse par décharge luminescente radio-fréquence de films minces de Ga_xAs_1-x amorphes : propriétés électriques et optiquesHadidou, Mohamed; Despax, Bernard.1989, 147 p.Thesis

Donneurs et accepteurs dans GaAs étudiés par résonance paramagnétique électroniqueChristoffel, Eric; Schwab, Claude.1989, 166 p.Thesis

Piezoresistivity in GaAs/In_xGa_1-xAs/AlAs superlattice structuresWENDONG ZHANG; JIE HU; CHENYANG XUE et al.Physica status solidi. Rapid research letters (Print). 2008, Vol 2, Num 1, pp 43-45, issn 1862-6254, 3 p.Article

A nanomechanical system with piezoelectric actuation of a GaAs microbeamVOPILKIN, E. A; SHASHKIN, V. I; DROZDOV, Y. N et al.Journal of micromechanics and microengineering (Print). 2008, Vol 18, Num 9, issn 0960-1317, 095006.1-095006.5Article

Etude électrique et analyse du bruit électronique des photodétecteurs à multipuits quantiques GaAs/GaAlAs = Electrical and noise analysis of GaAs/GaAlAs multiple quantum well photodetectorsKibeya, Saidi; Orsal, Bernard.1992, 266 p.Thesis

Conception d'un déphaseur 0-90R monolithique large bande microonde pour faisceaux hertziens = Design of a monolithic microwave wide-band quadrature phase shifter for radio linkCoget, Patricia; Garault, Yves.1989, 180 p.Thesis

Development of the simulation package 'ELSES' for extra-large-scale electronic structure calculationHOSHI, T; FUJIWARA, T.Journal of physics. Condensed matter (Print). 2009, Vol 21, Num 6, issn 0953-8984, 064233.1-064233.4Conference Paper

Terahertz emission from semi-insulating GaAs with octadecanthiol-passivated surfaceXIAOJUN WU; XINLONG XU; XINCHAO LU et al.Applied surface science. 2013, Vol 279, pp 92-96, issn 0169-4332, 5 p.Article

Short-wavelength GaInNAs/GaAs semiconductor disk lasersVETTER, S. L; HASTIE, J. E; KORPIJARVI, V.-M et al.Electronics Letters. 2008, Vol 44, Num 18, pp 1069-1070, issn 0013-5194, 2 p.Article

Early stages of interface formation of C₆₀ on GaAs(100)BRAMBILLA, A; SESSI, P; DUO, L et al.Surface science. 2007, Vol 601, Num 18, pp 4078-4081, issn 0039-6028, 4 p.Conference Paper

STM analysis of defects at the GaAs(001)-c(4 × 4) surfaceBRUHN, Thomas; FIMLAND, Bjørn-Ove; ESSER, Norbert et al.Surface science. 2013, Vol 617, pp 162-166, issn 0039-6028, 5 p.Article

Electron-related nonlinearities in GaAs―Ga_1―xAl_xAs double quantum wells under the effects of intense laser field and applied electric fieldMORA-RAMOS, M. E; DUQUE, C. A; KASAPOGLU, E et al.Journal of luminescence. 2013, Vol 135, pp 301-311, issn 0022-2313, 11 p.Article

HIGH-SPEED N-ALGAAS-P-GAAS ELECTROLUMINESCENT DIODES.HEINEN J; HARTH W.1975; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1975; VOL. 11; NO 21; PP. 512-513; BIBL. 7 REF.Article

LINEARITY OF HIGH POWER, HIGH RADIANCE GA_XAL_1-XAS:GE DOUBLE HETEROSTRUCTURE LED'S.STRAUS J; SZENTESI OI.1975; IN: INT. ELECTRON DEVICES MEET.; WASHINGTON, D.C.; 1975; NEW YORK; INST. ELECTR. ELECTRON. ENG.; DA. 1975; PP. 484-486; BIBL. 2 REF.Conference Paper

ELECTROABSORPTION IN AL_YGA_1-YAS-AL_XGA_1-XAS DOUBLE HETEROSTRUCTURES = ELECTROABSORPTION DANS L'HETEROSTRUCTURE DOUBLE AL_YGA_1-YAS-AL_XGA_1-XASREINHART FK.1973; APPL. PHYS. LETTERS; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 22; NO 8; PP. 372-374; BIBL. 8 REF.Serial Issue

(GAAL)AS LASERS WITH A HETEROSTRUCTURE FOR OPTICAL CONFINEMENT AND ADDITIONAL HETEROJUNCTIONS FOR EXTREME CARRIER CONFINEMENTTHOMPSON GHB; KIRKBY PA.1973; I.E.E.E.J. QUANTUM ELECTRON.; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 9; NO 2; PP. 311-318; BIBL. 5 REF.Serial Issue

THE EFFECT OF DOUBLE HETEROJUNCTION WAVEGUIDE PARAMETERS ON THE FAR FIELD EMISSION PATTERNS OF LASERSKIRKBY PA; THOMPSON GHB.1972; OPTO-ELECTRONICS; G.B.; DA. 1972; VOL. 4; NO 3; PP. 323-334; BIBL. 4 REF.Serial Issue