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EFFET DES VARIATIONS DES PARAMETRES DE LA STRUCTURE DE BANDE SUR LE SPECTRE D'ABSORPTION INTRINSEQUE DES SEMICONDUCTEURS (LIMITE DE L'ABSORPTION INTRINSEQUE DU GAAS_1-XP_X)PIKHTIN AN; RAZBEGAEV VN; YAS'KOV DA et al.1973; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 7; NO 3; PP. 471-479; BIBL. 17 REF.Serial Issue

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