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INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY OF INDIUM (1-X) THALLIUM (X) TELLURIDEGAW CA; KANNEWURT CR.1981; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1981; VOL. 38; NO 8; PP. 634-636; BIBL. 16 REF.Article

EFFET PHOTOELECTRIQUE DANS LES STRUCTURES GA_1-XAL_XP A BARRIERE SUPERFICIELLE ET A LARGEUR DE BANDE INTERDITEANNAEVA AR; BERKELIEV A; BESSOLOV VN et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 1; PP. 109-112; BIBL. 7 REF.Article

ETUDE DE LA VARIATION DES PARAMETRES DES SOLUTIONS SOLIDES A LARGEUR DE BANDE VARIABLE DE AL_XGA_1-XAS EN FONCTION DE LA COMPOSITION PAR DES METHODES PHOTOLUMINESCENTESBAZYK AI; KOVALENKO VF; PEKA GP et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 7; PP. 1363-1367; BIBL. 7 REF.Article

CARACTERISTIQUE FREQUENCE-CONTRASTE D'UN DISPOSITIF A COUPLAGE PAR CHARGE A GAZ VARIABLEDENISENKO VV; SHAKHIDZHANOV SS.1980; MIKROELEKTRONIKA; SUN; DA. 1980; VOL. 9; NO 1; PP. 26-31; BIBL. 14 REF.Article

DETERMINATION DES PARAMETRES DE SEMICONDUCTEURS MINCES A LARGEUR DE BANDE INTERDITE VARIABLE PAR LA METHODE PHOTOLUMINESCENTEKESAMANLY FP; KOVALENKO VF.1980; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON.; UKR; DA. 1980; NO 31; PP. 42-48; BIBL. 7 REF.Article

TRANSPORT DE PORTEURS DE CHARGE PAR LES PHOTONS DANS UN SEMICONDUCTEUR A LARGEUR DE BANDE INTERDITE VARIABLEVOLKOV AS; LIPKO AL.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 3; PP. 412-418; BIBL. 25 REF.Article

PREPARATION AND PROPERTIES OF GRADED BAND GAP CDS_XTE_1-X THIN FILM SOLAR CELLSRADOJCIC R; HILL AE; HAMPSHIRE MJ et al.1981; SOL. CELLS; ISSN 0379-6787; CHE; DA. 1981; VOL. 4; NO 2; PP. 121-126; BIBL. 9 REF.Article

EFFICIENCY OF THE VOLUME PHOTOVOLTAIC EFFECT OF VARIABLE BAND GAP SEMICONDUCTORS WITH RADIATIVE RECOMBINATIONEVDOKIMOV VM.1981; GELIOTEHNIKA (TASKENT); ISSN 0130-0997; SUN; DA. 1981; NO 1; PP. 15-20; BIBL. 8 REF.Article

PHENOMENES GALVANOMAGNETIQUES DANS LES STRUCTURES A LARGEUR DE BANDE VARIABLE DE CD_XHG_1-XTE (0<X<0,8)PONOMARENKO VP; BOVINA LA; STAFEEV VI et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 3; PP. 441-451; BIBL. 23 REF.Article

TRANSPORT DES PORTEURS HORS D'EQUILIBRE PAR EFFET DE PHOTONS DANS UN SEMICONDUCTEUR A LARGEUR DE BANDE VARIABLE LORS DE LA RECOMBINAISON RADIATIVE BANDE-NIVEAU D'IMPURETETSARENKOV GV.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 3; PP. 447-457; BIBL. 6 REF.Article

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FORME DE LA LIMITE D'ABSORPTION DES STRUCTURES A BANDES VARIABLES DE COMPOSES SEMICONDUCTEURS A^IIIB^VMOROZOV BV; BALKHOVITYANOV YU B; GABARAEV RS et al.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 8; PP. 1486-1491; BIBL. 12 REF.Article

PHOTORECEPTEURS A BARRIERE SUPERFICIELLE, LARGEUR DE BANDE VARIABLE, PASSE-BANDEANNAEVA AR; BERKELIEV A; GOL'DBERG YU A et al.1980; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 2; PP. 356-359; BIBL. 5 REF.Article

COURANTS DE RECOMBINAISON DANS LES STRUCTURES P-N A BANDE INTERDITE VARIABLESOBOLEVA TI; KHOLODNOV VA.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 6; PP. 1169-1172; BIBL. 11 REF.Article

PARTICULARITES DU COMPORTEMENT DES CENTRES D'IMPURETE PROFONDS ET PHOTOLUMINESCENCE D'IMPURETES DANS LES SOLUTIONS SOLIDES DE AL_XGA_1-XAS A BANDE VARIABLE DOPEES PAR LE CHROMEGORSHKOV LI; KOVALENKO VF; PEKA GP et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 3; PP. 551-556; BIBL. 16 REF.Article

GRADED HETEROJUNCTION MOS AND OPTOELECTRONIC DEVICESCHAKRABARTI NB.1980; J. INSTIT. ELECTRON. TELECOMMUNIC. ENGRS; IND; DA. 1980; VOL. 26; NO 2; PP. 145-149; BIBL. 12 REF.Article

WANNIER-SLATER THEOREM FOR SOLIDS WITH NONUNIFORM BAND STRUCTUREVAN VLIET CM; MARSHAK AH.1982; PHYSICAL REVIEW. B: CONDENSED MATTER; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1982; VOL. 26; NO 12; PP. 6734-6738; BIBL. 11 REF.Article

PHOTOELECTRIC CONVERTERS BASED ON THE VOLUME PHOTOVOLTAIC EFFECTEVDOKIMOV VM; MILOVANOV AF.1981; GELIOTEHNIKA (TASKENT); ISSN 0130-0997; SUN; DA. 1981; NO 2; PP. 22-28; BIBL. 14 REF.Article

INTERNAL PHOTO-EFFECTS IN GRADED-GAP SEMICONDUCTORS. I: EXCESS-CARRIER DISTRIBUTIONSPAWLIKOWSKI JM.1980; INFRARED PHYS.; GBR; DA. 1980; VOL. 20; NO 4; PP. 257-269; BIBL. 23 REF.Article

PHOTO-F.E.M. DANS LES HETEROSTRUCTURES SEMICONDUCTRICES FORTEMENT ECLAIREESEVDOKIMOV VM; MILOVANOV AF.1980; Z. TEH. FIZ.; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1980; VOL. 50; NO 9; PP. 2011-2014; BIBL. 7 REF.Article

GRADED OR STEPPED ENERGY BAND-GAP-INSULATOR MIS STRUCTURES (GI-MIS OR SI-MIS)DIMARIA DJ.1979; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1979; VOL. 50; NO 9; PP. 5826-5829; BIBL. 20 REF.Article

PHOTON RECYCLING IN GA_1-XAL_XAS:SI GRADED-BAND-GAP LED'SROEDEL RJ; KERAMIDAS VG.1979; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1979; VOL. 50; NO 10; PP. 6353-6362; BIBL. 17 REF.Article

TENSION PHOTOVOLTAIQUE DE BANDE INTERDITE VARIABLE ET DE BARRIERE D'UNE STRUCTURE P-N A BANDE INTERDITE VARIABLEBERKELIEV A; VOLKOV AS; IMENKOV AN et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 5; PP. 938-944; BIBL. 4 REF.Article

OPTIMIZATION OF GRADED BAND GAP CDHGTE SOLAR CELLS.BOUAZZI A; MARFAING Y; MIMILA ARROYO J et al.1978; REV. PHYS. APPL.; FR.; DA. 1978; VOL. 13; NO 3; PP. 145-154; ABS. FR.; BIBL. 22 REF.Article