Transitions tunnel et activées dans le tellurure d'étain-plomb contenant du cadmiumBARYSHEV, N. S.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 7, pp 1341-1342, issn 0015-3222Article

Particularités du comportement de l'indium implanté dans des monocristaux de Cdxg1-xTe-nAKHMEDOVA, F. I; BARYSHEV, N. S; IBRAGIMOVA, M. I et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 3, pp 575-577, issn 0015-3222Article

Electrical properties of n-type epitaxial manganese-mercury-tellurium filmsTRIFONOVA, M. M; BARYSHEV, N. S; MEZENTSEVA, M. P et al.Soviet physics. Semiconductors. 1991, Vol 25, Num 6, pp 613-615, issn 0038-5700Article

Propriétés électriques des cristaux de CdxHg1-xTe implantés par Xe+, Cu+, Ag+ et thermiquement recuitsIBRAGIMOVA, H. I; BARYSHEV, N. S; KHAJBULLIN, I. B et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 7, pp 1249-1253, issn 0015-3222Article