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ETUDE DES MECANISMES DE DIFFUSION DU ZINC DANS LES COMPOSES III-V.BOISSY MC.1977; DGRST-7571481; FR.; DA. 1977; PP. 1-37; H.T. 4; BIBL. 11 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: PHYS. ELECTRON.)Report

ETUDE PRELIMINAIRE DE PHOTORECEPTEURS A BASE DE COMPOSES III-V A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE.BOISSY MC; DIGUET D.1975; DGRST-7470677; FR.; DA. 1975; PP. 1-25; BIBL. 4 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: CCM)Report

ZINC ION IMPLANTATION AS A PREDEPOSITION PROCESS IN GALLIUM ARSENIDEBOISSY MC; DIGUET D.1978; J. ELECTROCHEM. SOC.; USA; DA. 1978; VOL. 125; NO 9; PP. 1505-1509; BIBL. 14 REF.Article

PREDEPOT D'IMPURETES DIVALENTES DANS LES COMPOSES III-V.BOISSY MC; DIGUET D.1976; DGRST-7570647; FR.; DA. 1976; PP. 1-29; BIBL. 2 P.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES)Report

COMPOSANTS A 1,3 MU M POUR TELECOMMUNICATIONS OPTIQUESHALLAIS J; BOISSY MC.1981; ACTA ELECTRON.; ISSN 0001-558X; FRA; DA. 1981-1982; VOL. 24; NO 1; PP. 17-39; ABS. ENG; BIBL. 63 REF.Article

ETUDE PRELIMINAIRE D'UNE PHOTODIODE AU GA IN AS.BOISSY MC; DIGUET D.1976; DGRST-7570706; FR.; DA. 1976; PP. 1-9; H.T. 12; BIBL. 1 P.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: CCM)Report

PREDEPOT DE ZINC PAR IMPLANTATION IONIQUE DANS LES COMPOSES III-V.BOISSY MC; DIGUET D; GARCIA M et al.1976; VIDE; FR.; DA. 1976; NO 183 SUPPL.; PP. 105-108; ABS. ANGL.; (MATER. TECHNOL. MICROELECTR. TENDANCES ACTUELLES. COLLOQ. C. R.; MONTPELLIER; 1976)Conference Paper

HIGH BRIGHTNESS GAALAS HETEROJUNCTION RED LED'SVARON J; MAHIEU M; VANDENBERG P et al.1981; IEEE TRANS. ELECTRON DEVICES; ISSN 0018-9383; USA; DA. 1981; VOL. 28; NO 4; PP. 416-420; BIBL. 15 REF.Article

ETUDE DES MECANISMES DE DIFFUSION DU ZINC DANS LES COMPOSES III-IV (ANNEXE)BOISSY MC.1977; ; FRA; DA. 1977; DGRST/75 7 1481; 65 P.; 30 CM; ACTION CONCERTEE: PHYSIQUE ELECTRONIQUEReport

ETUDE DES EFFETS DE FORT DOPAGE ET DE COMPENSATION SUR LES CINETIQUES ET INTENSITES DE RECOMBINAISON DANS LE GAALASBOISSY MC.1980; ; FRA; DA. 1980; DGRST/76 7 1421; 56 P.; 30 CM; BIBL. 16 REF.; ACTION CONCERTEE: PHYSIQUE ELECTRONIQUEReport

ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF N-TYPE ALXGA1-XAS GROWN BY MO-VPEHALLAIS J; ANDRE JP; MIRCEA ROUSSEL A et al.1981; J. ELECTRON. MATER.; ISSN 0361-5235; USA; DA. 1981; VOL. 10; NO 4; PP. 665-682; BIBL. 19 REF.Article

ETUDES DES EMETTEURS SUBMICRONIQUES = STUDY OF SUB-MICROELECTRONIC TRANSMITTERSLEBAILLY J; DAVID GR; BOISSY MC et al.1981; ; FRA; DA. 1981; DGRST/707 0767; 22 P.; 30 CM; BIBL. 47 REF.; ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS ELECTRONIQUESReport

ETUDE PRELIMINAIRE DE PHOTORECEPTEURS A BASE DE COMPOSES III-V A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE (ANNEXE)BOISSY MC; DIGUET D.1975; ; FRA; DA. 1975; DGRST/74 7 0677; 91 P.; 30 CM; ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROMINIATURISESReport

EFFECT OF COMPENSATION ON RECOMBINATION INTO SI DOPED (GA, AL) ASMAZZASCHI J; BARRAU J; BRABANT JC et al.1980; REV. PHYS. APPL.; ISSN 0035-1687; FRA; DA. 1980; VOL. 15; NO 4; PP. 861-864; ABS. FRE; BIBL. 4 REF.Article

ETUDE D'UNE DIODE AU GA AL AS DE TRES FORTE RADIANCE ELECTROLUMINESCENTE DANS LE SPECTRE ROUGEVARON J; MAHIEU M; VANDENBERG P et al.1980; ; FRA; DA. 1980; DGRST/79 7 0765/DGRST/79 7 0766; 40 P.; 30 CM; BIBL. 14 REF.; ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROMINIATURISESReport

ETUDE PRELIMINAIRE D'UNE PHOTODIODE AU GAINAS (ANNEXE)BOISSY MC; DIGUET D.1976; ; FRA; DA. 1976; DGRST/75 7 0706; 53 P.; 30 CM; BIBL. 4 REF.; ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROMINIATURISESReport

ETUDE DES CONDITIONS DE CROISSANCE ET DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES DOUBLES HETEROJONCTIONS AU GAALAS ELABOREES EN PHASE VAPEUR POUR APPLICATIONS OPTOELECTRONIQUESBOISSY MC; MAHIEU M; VARON J et al.1979; ; FRA; DA. 1979; DGRST 77 7 0951; (76) P.: ILL.; 30 CM; BIBL. 12 REF.; ACTION CONCERT.: PHYS. ELECTRON.Report

COMPARAISON DES DOUBLES HETEROSTRUCTURES A BASE DE GAASSB/GAALASSB ET DE GAINASP/INPBOISSY MC; LEROY D; VARON J et al.1979; ; FRA; DA. 1979; DGRST-78 7 0309; (68) F.: ILL.; 30 CM; BIBL. 10 REF.; ACTION CONCERTEE: PHYSIQUE ELECTRONIQUEReport

METHODES DE MODELISATION, CONCEPTION ET REALISATION DE STRUCTURES ELECTROLUMINESCENTES A SIMPLE ET DOUBLE HETEROJONCTIONS AU GAALASMARTINOT H; BAILHE A; MOTAWIE I et al.1979; ; FRA; DA. 1979; DGRST-77 7 1003; 2 FASC., 53+235 P.: ILL.; 30 CM; BIBL. 71 REF.; ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROMINIATURISESReport

METHODES DE MODELISATION, CONCEPTION ET REALISATION DE STRUCTURES ELECTROLUMINESCENTES A SIMPLE ET DOUBLE HETEROJONCTIONS AU GAALASMARTINOT HENRI; BAILHE A; MOTAWIE I et al.1979; ; FRA; DA. 1979; DGRST-77 7 1003; 53 P.: ILL.-PL.; 30 CM; ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROMINIATURESReport

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