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OBSERVATIONS OF MULTICONFIGURATIONS FOR A VORTEX MODE IN LONG JOSEPHSON TUNNEL JUNCTIONSSCHEUERMANN M; CHEN JT.1983; APPLIED PHYSICS LETTERS; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1983; VOL. 42; NO 1; PP. 48-50; BIBL. 19 REF.Article

PARTICULARITES DU TRANSPORT DE COURANT ET DE L'EFFET DE COMMUTATION DANS LES ELEMENTS D'UNE MEMOIRE SEMICONDUCTRICE, INDEPENDANTE DE L'ENERGIE A BASE D'HETEROJONCTION AVEC DIELECTRIQUE MINCE POUR L'EFFET TUNNELTERESHIN SA; MAD'YAROV MR; MALAKHOV BA et al.1982; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1982; VOL. 11; NO 3; PP. 231-237; BIBL. 4 REF.Article

APPROXIMATION GENERALISEE DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION EN L'ABSENCE D'UNE LIMITATION DU COURANT PAR LE CONTACTZYUGANOV AN.1976; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 23; PP. 63-70; BIBL. 13 REF.Article

RADIATION AND THE I-V CHARACTERISTIC OF SMALL JOSEPHSON JUNCTIONS.ZILBERMAN LA.1975; J. LOW TEMPER. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 18; NO 3-4; PP. 283-295; BIBL. 14 REF.Article

ETUDE DES CARACTERISTIQUES COURANT TENSION DES DIPOLES DANS UN AMPLIFICATEUR A CONTRE-REACTIONVOSKRESENSKIJ VV; IVANITSKIJ AM.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 12; PP. 47-51; BIBL. 3 REF.Article

CHEMICAL BONDING AT METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES.PHILLIPS JC.1974; J. VACUUM SCI. TECHNOL.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 11; NO 6; PP. 947-950; BIBL. 18 REF.; (SYMP. ELECTRON. STRUCT. PROP. INTERFACES. PROC.; PRINCETON, N.J.; 1973)Conference Paper

NEW CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OBSERVED IN SUPERCONDUCTING THIN FILM CROSSINGS.IGUCHI I.1974; PHYS. LETTERS, A; NETHERL.; DA. 1974; VOL. 50; NO 4; PP. 247-248; BIBL. 4 REF.Article

AMPLIFICATEURS A ELEMENTS DE CARACTERISTIQUE VOLTAMPEREMETRIQUE EN SBASKAKOV EN; STEPANOVA LN.1974; IZMERITEL. TEKH.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 4; PP. 58-60; BIBL. 9 REF.Article

ETUDE DES PROPRIETES D'UN ELEMENT D'UNE MEMOIRE INDEPENDANTE DE L'ENERGIE A BASE D'HETEROJONCTIONS SI-SIO2-SNO2-METAL (SYSTEME MOOS)MAD'YAROV MR; TERESHIN SA; ELINSON MI et al.1982; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1982; VOL. 11; NO 3; PP. 238-243; BIBL. 8 REF.Article

MODELE ANALOGIQUE TRANSISTORISE DU NEGATROND'YAKONOV VP.1976; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 21; NO 1; PP. 188-192; BIBL. 3 REF.Article

CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF A NEW TYPE OF SUPERCONDUCTING THIN FILM BRIDGE.SMITH CW; BOHNER JJ.1975; PHYS. LETTERS, A; NETHERL.; DA. 1975; VOL. 51; NO 8; PP. 453-454; BIBL. 4 REF.Article

DIPOLES ELECTROTHERMIQUES A ELEMENTS CONDUCTEURS DE LA CHALEURRYABETS NN; GAPONENKO NP.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 11; PP. 78-84; BIBL. 9 REF.Article

EFFET DE LA VARIATION DU POUVOIR EMISSIF D'UN CONTACT SUR LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DANS DIFFERENTES GAMMES D'INJECTION DE PORTEURS AU CONTACTZYUGANOV AN; SVECHNIKOV SV; SMERTENKO S et al.1975; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 20; PP. 97-106; BIBL. 16 REF.Article

GENERATEUR POUR LE RELEVE DES CARACTERISTIQUES VOLT AMPERE DES STRUCTURES TUNNELONDRIS L; STOFANIK F; NAGY L et al.1975; ELEKTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1975; VOL. 26; NO 7; PP. 576-580; BIBL. 1 REF.Article

EFFET DE L'OXYGENE SUR LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE JONCTIONS P-N AU GE-NBARANSKIJ PI; BESSONOVA NV; DUDNIK EM et al.1973; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 11; PP. 74-75; BIBL. 7 REF.Serial Issue

EFFECT OF MICROWAVE RADIATION ON TUNNELING BETWEEN SUPERCONDUCTORS: AN IMPROVED COMPUTATIONYU KW; ENTIN WOHLMAN O.1981; PHYS. REV. B; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1981; VOL. 24; NO 3; PP. 1587-1588; BIBL. 3 REF.Article

EXACT J/V CHARACTERISTIC OF AN INSULATOR DIODE WITH THERMAL FREE CARRIERS IN NONCONSTANT MOBILITY REGIMESHARMA YK; RAGHAV VS.1981; ELECTRON. LETT.; ISSN 0013-5194; GBR; DA. 1981; VOL. 17; NO 10; PP. 355-356; BIBL. 5 REF.Article

1/F NOISE IN GATE-CONTROLLED IMPLANTED RESISTORSAMBERIADIS K; VAN DER ZIEL A; RUCKER LM et al.1981; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1981; VOL. 52; NO 11; PP. 6989-6990; BIBL. 2 REF.Article

ANALYSE DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES PHOTOTRANSDUCTEURS AU SILICIUM.BORISOVA NA.1978; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., ENERGET. TRANSP.; SUN; DA. 1978; NO 3; PP. 172-176; BIBL. 5 REF.Article

ON SUBHARMONIC STEPS IN THE I-V CHARACTERISTICS OF JOSEPHSON JUNCTIONS.OVERSON K; SOLYMAR L.1975; PHYS. LETTERS, A; NETHERL.; DA. 1975; VOL. 54; NO 1; PP. 42-44; BIBL. 5 REF.Article

CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DES PETITS CONTACTS DE JOSEPHSONZIL'BERMAN LA.1975; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 45; NO 4; PP. 871-876; BIBL. 5 REF.Article

ETUDE DES CARACTERISTIQUES VOLT-AMPERE D'UN CONTACT PONCTUEL A JONCTION N-N+ASHMONTAS S.1975; LITOV. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 1; PP. 65-72; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 4 REF.Article

INFLUENCE DE LA TECHNOLOGIE SUR LES CARACTERISTIQUES I-V DE STRUCTURES PSN EPITAXIQUES CONSTITUEES PAR GAASMORVIC M; KORDOS P; SIMKO L et al.1975; ELEKTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1975; VOL. 26; NO 4; PP. 318-322Article

CURRENT-VOLTAGE DEPENDENCIES OF HETEROGENEOUS SEMICONDUCTOR SYSTEMS.MARK P; SANG LEE B.1974; J. PHYS. CHEM. SOLIDS; G.B.; DA. 1974; VOL. 35; NO 7; PP. 865-869; BIBL. 35 REF.Article

CURRENT/VOLTAGE RELATIONS IN PUNCHTHROUGH TRANSISTORS.WARD PJ; PERKINS KD.1974; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1974; VOL. 10; NO 18; PP. 374-375; BIBL. 4 REF.Article

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