BESONDERHEITEN DES ENTWURFS INTEGRIERTER MIS-SCHALTKREISE = PARTICULARITES DE LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES MOSROESSLER F.1982; RADIO FERNS. ELEKTRON.; ISSN 0033-7900; DDR; DA. 1982; VOL. 31; NO 1; PP. 39-43Article

PROBLEMI CONNESSI ALLA VALUTAZIONE ED ALL' IMPIEGO DI CONTENITORI PLASTICI IN APPLICAZIONI A VITA UTILE MOLTO LUNGA. = PROBLEMES LIES A L'EVALUATION ET A EMPLOI DE CONTAINERS EN PLASTIQUE A DUREE DE VIE TRES LONGUEBASILE L; FANTINI F.1976; ALTA FREQ.; ITAL.; DA. 1976; VOL. 45; NO 5; PP. 324-332; BIBL. 54 REF.Article

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FILTRES CAPACITIFS A COMMUTATIONSPOPOV VP.1974; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 17; NO 9; PP. 36-42; BIBL. 7 REF.Article

CMOS INTEGRATED CIRCUIT RELIABILITYSCHNABLE GL; COMIZZOLI RB.1981; MICROELECTRON. RELIAB.; ISSN 0026-2714; GBR; DA. 1981; VOL. 21; NO 1; PP. 33-50; BIBL. 145 REF.Article

M.O.S. DEVELOPMENTS.STRATH AB.1976; NEW ELECTRON.; G.B.; DA. 1976; VOL. 9; NO 6; PP. 38.Article

GRACE A L'IMPLANTATION IONIQUE ET A L'ELECTRON-LITHOGRAPHIE, IBM A REALISE UNE RAM DE 8 K BITS EN MOS AVEC ACCES EN 90 NS.1976; ELECTRON. MICROELECTRON. INDUSTR.; FR.; DA. 1976; NO 214; PP. 7Article

CMOS OPTIMIZATION FOR RADIATION HARDNESS.DERBENWICK GF; FOSSUM JG.1975; IN: INT. ELECTRON DEVICES MEET.; WASHINGTON, D.C.; 1975; NEW YORK; INST. ELECTR. ELECTRON. ENG.; DA. 1975; PP. 433-436; BIBL. 8 REF.Conference Paper

EIN HALBLEITERKOPPELBAUSTEIN FUER BREITBANDSIGNALE. = MATRICE DE COUPLAGE A SEMI-CONDUCTEUR POUR SIGNAUX A LARGE BANDERALL B.1975; WISSENSCH. BER. A.E.G.-TELEFUNKEN; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 48; NO 2-3; PP. 60-65; ABS. ANGL.; BIBL. 2 REF.Article

RECHNERGESTUETZTER TOPOGRAPHIE-ENTWURF FUER MOS-STANDARDZELLENSCHALTUNGEN MIT DEM PROGRAMMSYSTEM AVESTA. = CONCEPTION ASSISTEE PAR CALCULATION DE LA TOPOGRAPHIE POUR DES CIRCUITS A CELLULES NORMALISEES AVEC LE SYSTEME DE PROGRAMME AVESTAKOLLER K; LAUTHER U.1975; SIEMENS FORSCH.-U. ENTWICKL.-BER.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 4; NO 1; PP. 8-12; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article

ASPECTS PHYSIQUES DE LA FIABILITE DES BLOCS DE CIRCUITS INTEGRES A TRANSISTORS MOSKOSTYCHEV GI.1974; RADIOTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 29; NO 8; PP. 76-80; BIBL. 6 REF.Article

MOS AREA SENSOR. II: LOW-NOISE MOS AREA SENSOR WITH ANTIBLOOMING PHOTODIODESOHBA S; NAKAI M; ANDO H et al.1980; IEEE TRANS. ELECTRON. DEVICES; ISSN 0018-9383; USA; DA. 1980; VOL. 27; NO 8; PP. 1682-1687; BIBL. 17 REF.Article

STATIC ESFI MOS (SOS) CELLS FOR HIGH-DENSITY MEMORIES.GOSER K; POMPER M.1975; SIEMENS FORSCH.-U. ENTWICKL.-BER.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 4; NO 4; PP. 220-225; BIBL. 11 REF.Article

SPEICHERSCHALTUNGEN MIT MNOS-TRANSISTOREN. = CIRCUITS MEMOIRE A TRANSISTORS MNOSHORNINGER K.1975; SIEMENS FORSCH.-U. ENTWICKL.-BER.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 4; NO 4; PP. 213-219; BIBL. 9 REF.Article

AN OPTIMIZED OUTPUT STAGE FOR MOS INTEGRATED CIRCUITS.HUNG CHANG LIN; LINHOLM LW.1975; I.E.E.E. J. SOLID-STATE CIRCUITS; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 10; NO 2; PP. 106-109Article

ANALYSIS OF HARMONIC DISTORTION IN SINGLE-CHANNEL MOS INTEGRATED CIRCUITSFONG E; ZEMAN R.1982; IEEE J. SOLID-STATE CIRCUITS; ISSN 0018-9200; USA; DA. 1982; VOL. 17; NO 1; PP. 83-86; BIBL. 8 REF.Article

MULGA - AN INTERACTIVE SYMBOLIC LAYOUT SYSTEM FOR THE DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITSWESTE NHE.1981; BELL SYST. TECH. J.; ISSN 0005-8580; USA; DA. 1981; VOL. 60; NO 6; PART. 1; PP. 823-857; BIBL. 18 REF.Article

L'AFFIDABILITA DEI COMPONENTI A MOS DAL PUNTO DI VISTA DI UN UTILIZZATORE. = LA FIABILITE DES COMPOSANTS MOS DU POINT DE VUE D'UN UTILISATEURSALVINI A.1976; ALTA FREQ.; ITAL.; DA. 1976; VOL. 45; NO 5; PP. 318-324Article

A MOS MODEL FOR COMPUTER-AIDED DESIGN.KLAASSEN FM.1976; PHILIPS RES. REP.; NETHERL.; DA. 1976; VOL. 31; NO 1; PP. 71-83; BIBL. 20 REF.Article

FAULT CLUSTERING: MODELING AND OBSERVATION ON EXPERIMENTAL LSI CHIPS. = ACCUMULATION DE DEFAUTS: MODELISATION ET OBSERVATION SUR DES PAILLETTES EXPERIMENTALES INTEGREES A GRANDE ECHELLEMUEHLDORF EI.1975; I.E.E.E. J. SOLID-STATE CIRCUITS; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 10; NO 4; PP. 237-244; BIBL. 14 REF.Article

AUSLEGUNG INTEGRIERTER, DIGITALER MOS-SCHALTUNGEN FUER OPTIMALES ZEITVERHALTEN. = CONCEPTION DE CIRCUITS MOS NUMERIQUES INTEGRES POUR UN COMPORTEMENT TEMPOREL OPTIMALHEBENSTREIT E.1975; NACHR.-TECH. Z.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 28; NO 12; PP. 418-420; BIBL. 5 REF.Article

INTEGRATED NMOS OUTPUT STAGE WITH LOW OUTPUT IMPEDANCECALZOLARI PU; MASETTI G; TURCHETTI C et al.1981; ELECTRON. LETT.; ISSN 0013-5194; GBR; DA. 1981; VOL. 17; NO 6; PP. 218-220; BIBL. 8 REF.Article

VERS DES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS INTEGRES HOMOGENES EN MOSBAILLIEU F.1979; ELECTRON. APPL. INDUSTR.; FRA; DA. 1979; NO 276; PP. 71-75Article

WHY DON'T THESE PARTS WORK IN OUR CIRCUITS. PREVENTING CMOS FAILURE.HART W.1978; EVAL. ENGNG; USA; DA. 1978; VOL. 17; NO 5; PP. 42-44Article

SUCCESSFUL LARGE-SCALE USE OF CMOS DEVICES ON SPACECRAFT TRAVELING THROUGH INTENSE RADIATION BELTS.BRUCKER GJ; OHANIAN RS; STRASSINOPOULOS EG et al.1976; I.E.E.E. TRANS. AEROSPACE ELECTRON. SYST.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 12; NO 1; PP. 23-31; BIBL. 18 REF.Article