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kw.\*:("CONCENTRATION PORTEUR CHARGE")

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THE MOBILITY OF FREE CARRIERS IN PBSE CRYSTALSSCHLICHTING U; GOBRECHT KH.1973; J. PHYS. CHEM. SOLIDS; G.B.; DA. 1973; VOL. 34; NO 4; PP. 753-758; BIBL. 11 REF.Serial Issue

CALCULATION OF INTRINSIC CARRIER CONCENTRATION IN TELLURIUM TAKING ANISOTROPY INTO ACCOUNT.CHAMPNESS CH.1976; CANAD. J. PHYS.; CANADA; DA. 1976; VOL. 54; NO 9; PP. 967-969; ABS. FR.; BIBL. 11 REF.Article

LOW CURRENT BASE-COLLECTOR BOUNDARY CONDITIONS IN GHZ FREQUENCY TRANSISTORS.ROULSTON DJ.1975; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1975; VOL. 18; NO 10; PP. 845-847; BIBL. 5 REF.Article

FORME ASYMPTOTIQUE DE QUASI-DERIVE DE LA FONCTION DE DISTRIBUTION DANS LES SEMICONDUCTEURSGRIBNIKOV ZS.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 7; PP. 1372-1379; BIBL. 5 REF.Article

PROPERTIES OF VACANCY DEFECTS IN GAAS SINGLE CRYSTALS.CHIANG SY; PEARSON GL.1975; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 46; NO 7; PP. 2986-2991; BIBL. 20 REF.Article

VARIATION THERMIQUE DE LA CONCENTRATION DES PORTEURS DE CHARGE POUR DES NIVEAUX D'IMPURETES DANS LES BANDES PERMISESBARISS VO; KLOTYN'SH EH EH.1975; LATV. P.S.R. AKAD. VEST., FIZ. TEH. ZINAT. SER.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 5; PP. 25-29; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article

ANISOTROPIE DE LA TENSION THERMOELECTRIQUE DU TELLURESHENOEROVSKIJ VA; GORLEJ PN; SOLONCHUK LS et al.1976; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 21; NO 2; PP. 268-271; ABS. ANGL.; BIBL. 9 REF.Article

NONPARABOLICITY AND INTRINSIC CARRIER CONCENTRATION IN SI AND GE.GAGLIANI G; REGGIANI L.1975; NUOVO CIMENTO, B; ITAL.; DA. 1975; VOL. 30; NO 2; PP. 207-216; ABS. ITAL. RUSSE; BIBL. 31 REF.Article

DIE TRAGERDICHTE VON EIGENLEITENDEM SILIZIUM. = CONCENTRATION EN PORTEURS DANS LE SILICIUM INTRINSEQUEWASSERRAB T.1976; Z. NATURFORSCH., A; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 31; NO 5; PP. 505-506; ABS. ANGL.; BIBL. 11 REF.Article

OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM A DIFFERENTES DENSITES D'IMPURETES DOPANTES ET DE DISLOCATIONSARIFOV AA; SAFAROV A.1975; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 4; NO 3; PP. 244-247; BIBL. 8 REF.Article

CALCUL DE LA CONCENTRATION DES PORTEURS DE CHARGE LIBRES DANS LE SILICIUM DOPEBUBLEJ EE; DZYUBA LP.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 1; PP. 110-112; BIBL. 5 REF.Article

A NEW TYPE OF ELECTRICAL INSTABILITY IN CDS.GILBERT F; HOFFMANN HJ.1975; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1975; VOL. 31; NO 2; PP. 543-546; ABS. ALLEM.; BIBL. 9 REF.Article

DIFFERENTIAL ANALYSIS OF THE FREE-CHARGE-CARRIER CONCENTRATION IN SEMICONDUCTORS CONTAINING LOCALIZED LEVELS WITH NEGATIVE ELECTRONIC CORRELATION ENERGYHOFFMANN HJ.1981; PHYS. REV. B; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1981; VOL. 23; NO 10; PP. 5603-5606; BIBL. 11 REF.Article

MANY-BODY EFFECTS IN THE SI METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR INVERSION LAYER: SUBBAND STRUCTURENAKAMURA K; EZAWA H; WATANABE K et al.1980; PHYS. REV. B; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1980; VOL. 22; NO 4; PP. 1892-1904; BIBL. 10 REF.Article

METHODE DE TRAITEMENT DES MESURES HAUTE TEMPERATURE DU COEFFICIENT DE HALL DANS GAAS DU TYPE N FORTEMENT ALLIEGRINITEJN PM; LIPKES M YA; FISTUL VI et al.1975; ZAVODSK. LAB.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 41; NO 6; PP. 705-706Article

POSSIBILITE D'UNE DISTRIBUTION PERIODIQUE DE LA DENSITE DES PORTEURS DE CHARGE DANS UNE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE LORS D'UNE GENERATION NON-UNIFORME INTERBANDE DE PORTEURS DE CHARGERUMYNINA AF.1975; VEST. MOSKOV. UNIV., 3; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 16; NO 4; PP. 394-400; BIBL. 3 REF.Article

ABSORPTION DE LA LUMIERE PAR LES PORTEURS LIBRES DANS LES MONOCRISTAUX DE GAASNMALINKO VN; NEMISH I YU; PIDLISNYJ EV et al.1974; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 19; NO 9; PP. 1425-1433; ABS. ANGL.; BIBL. 18 REF.Article

PROPRIETES OPTIQUES DU SILICIUM LIQUIDESHVAREV KM; BAUM BA; GEL'D PV et al.1974; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 16; NO 11; PP. 3246-3248; BIBL. 9 REF.Article

MESURES AUX BASSES TEMPERATURES DE LA CONCENTRATION DES PORTEURS DE CHARGE ET DE LA RESISTIVITE DU SILICIUM DE HAUTE RESISTANCELEVINZON DI; DANKOVSKIJ YU V.1972; ZAVODSK. LAB.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 38; NO 12; PP. 1483-1484; BIBL. 4 REF.Serial Issue

ON THE MOBILITY OF VERY PURE SEMICONDUCTORS AT VERY LOW TEMPERATURES.FUJITA S; KO CL; CHI JY et al.1976; J. PHYS. CHEM. SOLIDS; G.B.; DA. 1976; VOL. 37; NO 2; PP. 227-233; BIBL. 14 REF.Article

POLARIZABILITY OF SHALLOW DONORS IN SILICON. A REPLY.CASTNER TG; LEE NK.1976; SOLID STATE COMMUNIC.; G.B.; DA. 1976; VOL. 19; NO 4; PP. 323-324; BIBL. 7 REF.Article

ECHAUFFEMENT DES PORTEURS DANS LE GERMANIUM DE TYPE P PAR UN CHAMP ELECTRIQUE FAIBLEBOLTAEV AP; PENIN NA.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 5; PP. 911-917; BIBL. 15 REF.Article

EFFETS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM IRRADIE PAR RAYONS XZAJKOVSKAYA MA; TAKHIROV KR; YUNUSOV MS et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 1; PP. 37-40; BIBL. 17 REF.Article

R.F. METHOD FOR PRECISE SIZE EFFECT MEASUREMENT.YU TUNG YANG.1975; NUOVO CIMENTO, B; ITAL.; DA. 1975; VOL. 28; NO 1; PP. 87-92; ABS. ITAL. RUSSE; BIBL. 6 REF.Article

DISPOSITIF POUR LES ETUDES, A BASSES TEMPERATURES, DE LA CONCENTRATION ET DE LA MOBILITE DES PORTEURS DANS LES SEMICONDUCTEURSPEKAR GS; KHANDROS LI; SHTRUM EL et al.1975; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 2; PP. 221-222; BIBL. 1 REF.Article

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