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EIN BEITRAG ZUR KLAERUNG DER HERKUNFT DER ISOLATORLADUNGEN IN ISOLATOR-HALBLEITER-HETEROUEBERGANGSSTRUKTUREN = CONTRIBUTION A LA CLARIFICATION DE L'ORIGINE DES CHARGES DANS L'ISOLANT DANS DES HETEROSTRUCTURES ISOLANT SEMICONDUCTEURLOBNER B; LIPPMANN H.1978; WISSENSCH. Z. TECH. HOCHSCH. KARL. MARX-STADT; DDR; DA. 1978; VOL. 20; NO 5; PP. 611-622; BIBL. 27 REF.Article

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CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE L'INTERFACE SI/SIO₂ SOUMISE A DIFFERENTS TRAITEMENTS: IRRADIATION ELECTRONIQUE, RECUIT THERMIQUE SOUS CHAMP, ECLAIREMENT ULTRAVIOLET.KRISHNA SAMINADAYAR K.1975; AO-CNRS-11395; FR.; DA. 1975; PP. 1-210; BIBL. 9 P. 1/2; (THESE DOCT. SCI. PHYS.; UNIV. SCI. MED. GRENOBLE)Thesis

AN AC FIELD-EFFECT STUDY OF SI-SIO₂ INTERFACE STATESRAO DK; MAJHI J.1982; J. PHYS. D; ISSN 0022-3727; GBR; DA. 1982; VOL. 15; NO 9; PP. 1769-1773; BIBL. 16 REF.Article

THE INFLUENCE OF MOBILE IONS ON THE SI/SIO₂ INTERFACE TRAPSHILLEN MW; HEMMES DG.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 8; PP. 773-780; BIBL. 23 REF.Article

ION-ELECTRON (CONFIGURATIONAL) INTERFACE STATES IN MOS STRUCTURESKAMIENIECKI E.1979; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1979; VOL. 35; NO 10; PP. 807-809; BIBL. 13 REF.Article

PHOTO-ASSISTED ELECTRON INJECTION AT A SEMICONDUCTOR-NH₃ INTERFACEKROHN CE; THOMPSON JC.1979; CHEM. PHYS. LETTERS; NLD; DA. 1979; VOL. 65; NO 1; PP. 132-135; BIBL. 12 REF.Article

ROLE DES ELECTRONS DE CONDUCTION DANS LA FORMATION DE LA RESISTANCE THERMIQUE A LA LIMITE METAL-DIELECTRIQUESHKLOVSKIJ VA.1977; PIS'MA ZH. EKSPER. TEOR. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 26; NO 10; PP. 679-683; BIBL. 5 REF.Article

VARIATION DE LA DENSITE DES ETATS SUPERFICIELS A LA LIMITE DE SEPARATION SEMICONDUCTEUR-DIELECTRIQUE DURANT LA FABRICATION DE MATRICES INTEGREES DE DIODESGAYIDEHNKA PP; KALESHKA UM; BUYIKO LD et al.1977; VESCI AKAD. NAVUK B.S.S.R., FIZ. MAT. NAVUK; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 4; PP. 105-108; BIBL. 8 REF.Article

SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION VIDICONS.WRONSKI CR.1975; R.C.A. REV.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 36; NO 3; PP. 425-443; BIBL. 17 REF.Article