DIODE A CARACTERISTIQUE COURANT TENSION EN S AVEC 36 PARTIES A RESISTANCE NEGATIVEKASYMOVA RS.1975; IZVEST. AKAD. NAUK UZ. S.S.R., FIZ.-MAT. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 19; NO 3; PP. 48-51; ABS. OUZB.; BIBL. 3 REF.Article

STABILITE THERMIQUE DES CARACTERISTIQUES I-V EN DELTA DE TRANSISTORS A AVALANCHED'YAKONOV VP; ALI ZADE DG.1974; IZVEST. AKAD. NAUK AZERBAJDZH. S.S.R., FIZ.-TEKH. MAT. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 3; PP. 69-73; ABS. ANGL. AZERB.; BIBL. 5 REF.Article

EFFET DE COMMUTATION DU TYPE S DANS LES SYSTEMES TUNNEL: SEMICONDUCTEUR - DIELECTRIQUE - SEMICONDUCTEUR DOPES A LA NAPHTALENEIGNAT'EV OM.1975; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 4; NO 3; PP. 254-257; BIBL. 12 REF.Article

L'antidépresseur S-citalopram : la vérification clinique d'un paradigme pharmacologiqueLa Lettre du pharmacologue (Boulogne). 2003, Vol 17, Num 2, issn 0984-452X, 10 p., SUPSerial Issue

QUELQUES PROPRIETES DES DIODES S D'ARSENIURE DE GALLIUM SEMI-ISOLANTEGIAZARYAN GA; STAFEEV VI.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 3; PP. 508-512; BIBL. 4 REF.Article

STABILITAETSPROBLEME AN ELEKTRISCHEN ZWEIPOLEN MIT THERMISCH INDUZIERTEM NEGATIVEM DIFFERENTIELLEM WIDERSTAND. = PROBLEMES DE STABILITE POUR DES DIPOLES ELECTRIQUES AVEC RESISTANCE DIFFERENTIELLE NEGATIVE INDUITE THERMIQUEMENTMUELLER KH; WOLF M; HAUSMANN K et al.1975; EXP. TECH. PHYS.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 23; NO 6; PP. 599-603; ABS. ANGL.; BIBL. 15 REF.Article

QUELQUES RECHERCHES SUR LES DIODES-S EN ARSENIURE DE GALLIUMRUBIN VS.1972; IZVEST. AKAD. NAUK UZ. S.S.R., FIZ.-MAT. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 16; NO 3; PP. 57-59; ABS. OUZB.; BIBL. 7 REF.Serial Issue

AJUSTEMENT DES PARAMETRES DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DU TYPE S DANS UN CIRCUIT A TRANSISTORS EQUIVALENT A UNE STRUCTURE P-N-P-NBASKAKOV EN; STEPANOVA LN.1974; RADIOTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 29; NO 7; PP. 101-103; BIBL. 4 REF.Article

PROPRIETES SELECTIVES ET OSCILLANTES DES DIODES A CARACTERISTIQUE EN FORME DE S CONSTITUEES PAR DU SILICIUM COMPENSE PAR DU ZINCAVAK'YANTS GM; ADAMYAN ZA; BARSEGYAN RS et al.1971; IZVEST. AKAD. NAUK ARM. S.S.R., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1971; VOL. 6; NO 5; PP. 386-390; ABS. ARM. ANGL.; BIBL. 5 REF.Serial Issue

PROPRIETES DE RESONANCE DE DIODES S A BASE DE STRUCTURES SYMETRIQUES EN GAASBRODOVOJ VA; GOZAK A CH; PEKA GP et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 5; PP. 915-919; BIBL. 13 REF.Article

ETUDE DE DIODES A CARACTERISTIQUE EN S CONSTITUEES PAR SI: RHAZIMOV SA; KARIMOV FR; LEBEDEV AA et al.1974; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 8; NO 12; PP. 2359-2362; BIBL. 8 REF.Article

CARACTERISTIQUES S DE STRUCTURES P⁺-N-N⁺ A BASE DE SILICIUM COMPENSE AU NICKELAVAK'YANTS GM; MINASYAN SV; POGOSYAN VA et al.1972; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 1; NO 3; PP. 250-256; BIBL. 7 REF.Serial Issue

Microbial hydrolysis of 3-substituted glutaronitrilesKAKEYA, H; SAKAI, N; SANO, A et al.Chemistry Letters. 1991, Num 10, pp 1823-1824, issn 0366-7022Article

LIGNE NEURISTOR A BASE DE DIODES S EN GERMANIUMBATALINA MA; BURLAKOV ID; VLASOV AN et al.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 11; PP. 2103-2108; BIBL. 8 REF.Article

STRUCTURES AVEC CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION EN S, A BASE DE CRISTAUX LAMELLAIRES DE GAASVAJNBERG VV; VARSHAVA SS.1978; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON.; UKR; DA. 1978; NO 28; PP. 53-56; BIBL. 6 REF.Article

DISPOSITIFS A CARACTERISTIQUE V-A EN S ET EN N PREPARES A PARTIR DE SI AVEC L'IMPURETE RHODIUMSULTANOV NA; USMANOV KU.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 9; PP. 1675-1679; BIBL. 12 REF.Article

REPONSE IMPULSIONNELLE DE DIODES AU SILICIUM COMPENSEES PAR DU ZINC A CARACTERISTIQUES EN SAVAK'YANTS GM; ADAMYAN ZN; ARUTYUNYAN VM et al.1975; IZVEST. AKAD. NAUK ARM. S.S.R., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 10; NO 1; PP. 43-49; ABS. ARM. ANGL.; BIBL. 10 REF.Article

INFLUENCE DES DISLOCATIONS SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES DIODES EN S A L'ARSENIURE DE GALLIUMKHLUDKOV SS; TARASOVA LK; LAKHTIKOVA VG et al.1974; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 19; NO 9; PP. 1917-1924; BIBL. 23 REF.Article

MULTIPLICATION DU COURANT DANS LES SEMICONDUCTEURS DU TYPE GAAS A CARACTERISTIQUE EN SAVAK'YANTS GM; ARUTYUNYAN VM.1974; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 17; NO 11; PP. 87-91; BIBL. 17 REF.Article

INFLUENCE DE LA LUMIERE SUR DES DIODES A CARACTERISTIQUE EN S AU SILICIUM COMPENSEES PAR DU ZINCARUTYUNYAN VM; GASPARYAN FV.1976; IZVEST. AKAD. NAUK ARM.S.S.R., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 11; NO 6; PP. 449-457; ABS. ARM. ANGL.; BIBL. 20 REF.Article

PROPRIETES DE GUIDE D'ONDES D'UNE COUCHE EN S HETEROGENEMOGILEVICH VN.1981; VESCI AKAD. NAVUK BSSR, SER. FIZ.-MAT. NAVUK; ISSN 0002-3574; BYS; DA. 1981; NO 2; PP. 121-126; ABS. ENG; BIBL. 6 REF.Article

DISPOSITIF A CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DU TYPE S COMMANDEEBASKAKOV EN; STEPANOVA LN.1977; RADIOTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 32; NO 7; PP. 85-89; BIBL. 18 REF.Article

INFLUENCE DE LA LUMIERE SUR DES DIODES A CARACTERISTIQUES EN S REALISEES AVEC UN SEMICONDUCTEUR COMPENSE AVEC DES ACCEPTEURS DANS LA MOITIE SUPERIEURE DE LA BANDE INTERDITEARUTYUNYAN VM; GASPARYAN FV.1977; IZVEST. AKAD. NAUK ARM. S.S.R., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 12; NO 2; PP. 123-128; ABS. ARM. ANGL.; BIBL. 4 REF.Article

ROLE DES NIVEAUX DE PIEGEAGE PROFONDS DANS LA FORMATION DES CARACTERISTIQUES VOLT-AMPERE DE DIODES SBRODOVOJ VA; PEKA GP; SMOLYAR AN et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 2; PP. 280-284; BIBL. 8 REF.Article

CARACTERISTIQUES PHOTOELECTRIQUES DES DIODES S DE GERMANIUMVILISOV AA; VORONKOV VP; DIAMANT VM et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 7; PP. 1342-1344; BIBL. 6 REF.Article