A QUASI-STATIONARY TREATMENT OF THE TURN-ON DELAY PHASE OF ONE-DIMENSIONAL THYRISTORS. I. THEORY.DANNHAUSER F; VOSS P.1976; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 23; NO 8; PP. 928-936; BIBL. 17 REF.Article

DIE RAEUMLICHE VERTEILUNG DER REKOMBINATION IN LEGIERTEN SILIZIUM-PSN-GLEICHRICHTERN BEI BELASTUNG IN DURCHLASSRICHTUNG = LA DISTRIBUTION SPATIALE DE LA RECOMBINAISON DES PORTEURS DE CHARGE DANS DES REDRESSEURS PSN AU SI ALLIES ET POLARISES EN DIRECTDANNHAUSER F; KRAUSSE J.1973; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1973; VOL. 16; NO 8; PP. 861-873; ABS. ANGL.; BIBL. 19 REF.Serial Issue

DIE FELDSTAERKEBEDINGUNGEN FUER DIE MESSUNG DER TRAEGERLEBENSDAUER IN HALBLEITERKRISTALLEN NACH DER LICHTBLITZMETHODE = LES CONDITIONS DE L'I DU CHAMP POUR LA MESURE DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS DANS LES CRISTAUX SEMICONDUCTEURS PAR LA METHODE DES ECLAIRS LUMINEUXBENDA H; DANNHAUSER F; SPENKE E et al.1972; SIEMENS FORSCH.-U. ENTWICKL.-BER.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 1; NO 3; PP. 255-262; ABS. ANGL.; BIBL. 13 REF.Serial Issue

ZUM EINFLUSS VON TEMPERPROZESSEN AUF WIDERSTANDSSCHWANKUNGEN IN SILIZIUMEINKRISTALLEN = SUR L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LES OSCILLATIONS DE CONDUCTIVITE DANS DES MONOCRISTAUX DE SILICIUMDANNHAUSER F; KRAUSSE J; MAYER K et al.1972; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1972; VOL. 15; NO 12; PP. 1383-1385; H.T. 3; ABS. ANGL.; BIBL. 11 REF.Serial Issue