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ANALYSE DES STROMFLUSSES SOWIE DER FELD- UND POTENTIALVERTEILUNG BEI PUNCH-TROUGH = ANALYSE DE LA DENSITE DE COURANT ET DES REPARTITIONS DU CHAMP ET DU POTENTIEL LORS D'UNE DECHARGE DISRUPTIVEDIENER KH.1982; NACHRICHTENTECH., ELEKTRON.; ISSN 0323-4657; DDR; DA. 1982; VOL. 32; NO 1; PP. 14-17; ABS. ENG/RUS/FRE; BIBL. 5 REF.Article

RECHNERORIENTIERTE ANALYSE DES GEOMETRIEEINFLUSSES RECHTWINKLIGER LATERALAUS-LEGUNG AUF DIE U-I-KENNLINIE INTEGRIERTER MIS-TRANSISTOREN. = L'ANALYSE ASSISTEE PAR ORDINATEUR DE L'INFLUENCE GEOMETRIQUE D'UN DIMENSIONNEMENT LATERAL RECTANGULAIRE SUR LA CARACTERISTIQUE COURANT TENSION DE TRANSISTORS MIS INTEGRESDIENER KH.1976; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 26; NO 12; PP. 470-473; ABS. RUSSE ANGL. FR.; BIBL. 5 REF.Article

ELEKTRONISCHE PARAMETER VON MOS-TRANSISTOREN MIT KLEINEN DIMENSIONEN = LES PARAMETRES ELECTRONIQUES DES TRANSISTORS MOS DE PETITES DIMENSIONSDIENER KH; MOESCHWITZER A.1978; NACH.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 28; NO 1; PP. 6-8; BIBL. 6 REF.Article

RAUMLADUNGSANALYSE ZUR ERMITTLUNG DER U-I-RELATION INTEGRIERTER MOS-ENHANCEMENT-TRANSISTOREN IM WEAK-INVERSIONS-MODUS = ANALYSE DE LA CHARGE D'ESPACE POUR LA DETERMINATION DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DE TRANSISTORS MOS A ENRICHISSEMENT EN REGIME D'INVERSION FAIBLE DANS UN CIRCUIT INTEGREDIENER KH; MOESCHWITZER A.1982; Z. ELEKTR. INF.-ENERGIETECH.; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1982; VOL. 12; NO 1; PP. 14-27; BIBL. 5 REF.Article

EIN RAUMLADUNGSMODELL FUER DIE ANALYSE DER U-I-KENNLINIE INTEGRIERTER MOS-DEPLETIONTRANSISTOREN = UN MODELE DE CHARGE D'ESPACE POUR L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE TRANSISTORS MOS INTEGRES A MODE APPAUVRISSEMENTDIENER KH; KRAUSS M; MOESCHWITZER A et al.1980; Z. ELEKTR. INFORM.- U. ENERGIETECH.; DDR; DA. 1980; VOL. 10; NO 4; PP. 289-304; BIBL. 13 REF.Article

STRUKTUR-, PROZESSPARAMETER-UN ARBEITSPUNKTABHAENGIGKEIT DER SCHWELLSPANNUNG INTEGRIERTER MOS-DEPLETIONSTRANSISTOREN = INFLUENCE DE LA STRUCTURE, DES PARAMETRES DU PROCEDE DE FABRICATION ET DU POINT DE FONCTIONNEMENT SUR LA TENSION DE SEUIL DE TRANSISTORS MOS INTEGRES DU TYPE A APPAUVRISSEMENTDIENER KH; KRAUSS M; MUESCHWITZER A et al.1980; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1980; VOL. 30; NO 3; PP. 107-111; ABS. RUS/ENG; BIBL. 8 REF.Article

MISNET - EIN NETZWERKANALYSEPROGRAMM FUER INTEGRIERTE MIS-SCHALTKREISE. = MISNET - UN PROGRAMME D'ANALYSE DE RESEAU POUR CIRCUITS A MIS INTEGRESDIENER KH; FISCHER P; RIEDE F et al.1976; Z. ELEKTR. INFORM.-U. ENERGIETECH.; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 6; NO 6; PP. 494-502; BIBL. 9 REF.Article

MODELLIERUNG INTEGRIERTER MOS-GATTER UND ERMITTLUNG DER NETZWERKANALYSEPARAMETER AUS DEM LAYOUT = SIMULATION DE PORTES MOS INTEGREES ET RECHERCHE DES PARAMETRES D'ANALYSE DU RESEAU A PARTIR DE LA STRUCTUREDIENER KH; GAERTNER U; MOESCHWITZER A et al.1979; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1979; VOL. 29; NO 10; PP. 408-411; ABS. RUS/ENG; BIBL. 6 REF.Article

WAHL HEURISTISCHER PARAMETER IM GEAR-INTEGRATIONSALGORITHMUS UND PRAKTISCHE ERFAHRUNGEN BEI DER NUTZUNG. = PARAMETRES HEURISTIQUES DE CHOIX DANS L'ALGORITHME D'INTEGRATION GEAR ET EXPERIENCES PRATIQUES D'UTILISATIONDIENER KH; FISCHER P; RIEDEL F et al.1977; Z. ELEKTR. INFORM.- U. ENERGIETECH.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 7; NO 1; PP. 12-17; BIBL. 3 REF.Article

COMPUTER GERECHTE MODELLFAMILIE FUER INTEGRIERTE MOS-TRANSISTOREN. I: ANREICHERUNGSTRANSSISTOR = FAMILLE DE MODELES POUR TRANSISTORS MOS INTEGRES ADAPTEE A L'ORDINATEUR. I. TRANSISTOR A ENRICHISSEMENTDIENER KH; FISCHER P; KRAUSS M et al.1978; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 28; NO 10; PP. 414-417; BIBL. 18 REF.Article

COMPUTERGERECHTE MODELLFAMILIE FUER INTEGRIERTE MOS-TRANSISTOREN. II: VERARMUNGSTRANSISTOR, CMOS-TECHNIK = FAMILLE DE MODELES CONVENANT A LA SIMULATION SUR ORDINATEUR DE TRANSISTORS MOS INTEGRES. DEUXIEME PARTIE: TRANSISTOR A APPAUVRISSEMENT EN TECHNOLOGIE MOS COMPLEMENTAIREDIENER KH; FISCHER P; GAERTNER U et al.1980; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1980; VOL. 30; NO 4; PP. 155-158; ABS. RUS/ENG/FRE; BIBL. 11 REF.Article

INFORMATIONSSPEICHERUNG MIT HALBLEITERN = STOCKAGE DES INFORMATIONS A L'AIDE DE SEMI-CONDUCTEURSDIENER KH; ELSCHNER H; LANDGRAF DIETZ D et al.1972; Z. ELEKTR. INFORM.-U. ENERGIETECH.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 2; NO 3; PP. 151-164; BIBL. 1 P.Serial Issue

COMPUTERANALYSE NICHTSTATIONAERER VORGAENGE IN DER MIS-STRUKTUR. = ANALYSE ASSISTEE PAR ORDINATEUR DES PROCESSUS NON STATIONNAIRES DANS LES STRUCTURES MISDIENER KH; ELSCHNER H; KRAUSS M et al.1977; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 27; NO 2; PP. 71-72; BIBL. 2 REF.Article

BEITRAEGE ZUM ENTWURF HOCHINTEGRIERTER MOS-SCHALTKREISE = CONTRIBUTION A L'ETUDE DES CIRCUITS MOS A HAUTE INTEGRATIONDIENER KH; FISCHER P; GAERTNER U et al.1979; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1979; VOL. 29; NO 2; PP. 57-62; BIBL. 6 REF.Article

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