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MULTIPLE MICROWAVE SOLID-STATE DEVICES.GUPTA MS.1975; MASSACHUSETTS INST. TECHNOL., R.L.E. PROGR. REP.; U.S.A.; DA. 1975; NO 116; PP. 54-55; BIBL. 1 REF.Article

MICROWAVE DEVICES.1973; OYO BUTURI; JAP.; DA. 1973; VOL. 43; SUPPL.; PP. 209-259; BIBL. DISSEM.; (5TH INT. CONF. SOLID STATE DEVICES. PROC.; TOKYO; 1973)Conference Paper

DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS DE LA GAMME UHF A PROPRIETES VOLUMIQUES NON LINEAIRES ET A CONDUCTIVITE DIFFERENTIELLE NEGATIVESKVORTSOVA NE.1973; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 2; NO 2; PP. 99-112; BIBL. 43 REF.Serial Issue

FM NOISE MEASUREMENT OF W-BAND IMPATT DIODES WITH A QUASIOPTICAL DIRECT DETECTION SYSTEMHARTH W; LEISTNER D; FREYER J et al.1982; ELECTRONICS LETTERS; ISSN 0013-5194; GBR; DA. 1982; VOL. 18; NO 9; PP. 355-356; BIBL. 5 REF.Article

INTERNATIONAL HARMONISATION OF MICROWAVE STANDARDSBAILEY AE.1980; I.E.E. PROC., H; GBR; DA. 1980; VOL. 127; NO 2; PP. 70-73; BIBL. 13 REF.Article

CURRENT STATUS OF MICROWAVE TECHNOLOGY.BRAND F.1976; MICROWAVE J.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 19; NO 5; PP. 18-21 (3P.); BIBL. 3 REF.Article

A COMPUTER SIMULATION SCHEME FOR VARIOUS SOLID-STATE DEVICES.SE PUAN YU; TANTRAPORN W.1975; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 22; NO 8; PP. 515-522; BIBL. 11 REF.Article

REFLEXIONS SUR LES STRUCTURES HYPERFREQUENCES A PROFILS CONTROLES.MARIN BH.1974; ELECTR. ELECTRON. MOD., INDUSTR.; FR.; DA. 1974; VOL. 44; NO 280; PP. 57-63Article

HYBRID PARAMETRIC AMPLIFIER. AN EXPERIMENTAL RESULT.AITCHISON CS; WONG AS.1976; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1976; VOL. 12; NO 7; PP. 172-173; BIBL. 1 REF.Article

NICHTINTEGRIERTE HALBLEITERBAUELEMENTE.STRACK H.1976; WISSENSCH. BER. A.E.G.-TELEFUNKEN; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 49; NO 1-2; PP. 7-15; ABS. ANGL.; BIBL. 4 REF.Article

AT MEGAWATTS AND MICROWAVES, SOLID-STATE POWER REACHES NEW HIGHS.MATTERA L.1975; ELECTRONICS; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 48; NO 13; PP. 81-82Article

MICROWAVE SYMPOSIUM. MICROWAVES IN SERVICE TO MAN; PALO ALTO, CALIF.; 1975.1975; PISCATAWAY, N.J.; INST. ELECTR. ELECTRON. ENG.; DA. 1975; PP. 1-377; BIBL. DISSEM.Conference Proceedings

MICRODISPOSITIFS UHF A COUCHES MINCES MONOCRISTALLINES DE FERRITE MG-MNGLUSHCHENKO AG; KURUSHIN EP; KOSHKIN LI et al.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 11; PP. 93-94Article

SUR LES POSSIBILITES DE LA MICROELECTRONIQUE SOLIDE POUR OBTENIR UNE NOUVELLE BASE ELEMENTAIRE DANS LA GAMME UHFKUKARIN SV; KONDRATENKO PA.1974; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 3; NO 6; PP. 536-543; BIBL. 17 REF.Article

SOLID-STATE MICROWAVE ELECTRONICSGODDARD NE.1971; PHILIPS TECH. REV.; NETHERL.; DA. 1971; VOL. 32; NO 9-12; PP. 282-291; BIBL. 42 REF.Patent

CARACTERISTIQUES EXTERNES GENERALISEES DE DISPOSITIFS MICROONDESMAKSIMOV VM.1983; IZVESTIJA VYSSIH UCEBNYH ZAVEDENIJ. RADIOELEKTRONIKA; ISSN 0021-3470; SUN; DA. 1983; VOL. 26; NO 6; PP. 37-41; BIBL. 6 REF.Article

CARACTERISTIQUES DE SIGNAL D'UN RECEPTEUR AUTODYNE A PHOTORESISTANCE A GENERATEUR DE GUNNDOKTOREVICH MM; SHINKARENKO VG.1982; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1982; VOL. 27; NO 5; PP. 1026-1034; BIBL. 16 REF.Article

RECHERCHE DE NOUVEAUX PHENOMENES PHYSIQUES DANS UN SOLIDE POUR UNE UTILISATION EN ELECTRONIQUE MICROONDE (REVUE)VENDIK OG.1980; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; ISSN 0021-3470; SUN; DA. 1980; VOL. 23; NO 10; PP. 4-11; BIBL. 43 REF.Article

DISPOSITIFS SHF REALISES A PARTIR DE DIODES NIPIN ELABOREES POUR DES RADIOSPECTROMETRES SUR L'ONDE 21 CMRAKHIMOV IA; VENGER AP.1975; IZVEST. AKAD. NAUK TURKM. S.S.R., FIZ.-TEKH. KHIM. GEOL. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 2; PP. 22-26; ABS. TURKM. ANGL.; BIBL. 7 REF.Article

RILASSAMENTO MAGNETICO IN MATERIALI PER DISPOSITIVITI A MICROONDE. = RELAXATION MAGNETIQUE DANS DES MATERIAUX POUR DISPOSITIFS HYPERFREQUENCESBORGHESE C.1975; ALTA FREQ.; ITAL.; DA. 1975; VOL. 44; NO 7; PP. 338-349; BIBL. 49 REF.Article

LA METHODE DES AMPLITUDES DE MODULATION ET SON APPLICATION A DES DISPOSITIFS D'ELECTRONIQUE EN HYPERFREQUENCESGAJDUK VI; AFANAS'EVA TB.1977; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 22; NO 1; PP. 141-152; BIBL. 15 REF.Article

HEATSINKING GAAS 4-18 GHZ GUNN AND IMPATT DEVICES.LINDSTROEM C; JEPPSSON B.1976; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1976; VOL. 12; NO 3; PP. 66-67; BIBL. 5 REF.Article

SMALL-SIGNALL DC AND AC ANALYSIS OF BARITT DIODE. = ANALYSE EN COURANT CONTINU ET EN COURANT ALTERNATIF POUR DES SIGNAUX FAIBLES D'UNE DIODE BARITTSATYANARAYANA VS; SUBRAHMANIAM V.1975; INDIAN J. PURE APPL. PHYS.; INDIA; DA. 1975; VOL. 13; NO 11; PP. 746-751; BIBL. 4 REF.Article

MODELE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP BAS NIVEAU POUR LA CONCEPTION DE DISPOSITIFS MICROONDESBARVET S; DEGOUT R; OBREGON J et al.1981; ONDE ELECTR.; ISSN 0030-2430; FRA; DA. 1981; VOL. 61; NO 4; PP. 23-28; ABS. ENG; BIBL. 8 REF.Article

LES SEMICONDUCTEURS POUR HYPERFREQUENCES1978; TELONDE; FRA; DA. 1978; NO 2; PP. 8-11Article

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