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DISTRIBUTION DU COURANT ET DU POTENTIEL DANS LES REGIONS VOISINES DE L'ELECTRODESTRONGIN MP.1975; IZVEST. SIBIR. OTDEL. AKAD. NAUK S.S.S.R., TEKH. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 2; PP. 31-36; BIBL. 4 REF.Article

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UEBER DIE MODELLMAESSIGE BESCHREIBUNG VON POTENTIALVERTEILUNGEN IN FLAECHEN STARK ANISOTROPER KRISTALLE MITTELS EBENER ANISSOTROPER WIERSTANDSNETZE. BEISPIEL TCNQ-KOMPLEXSALZ-KRISTALLE. = DESCRIPTION PAR UN MODELE DE LA DISTRIBUTION DE POTENTIEL DANS LES CRISTAUX ANISOTROPES AU MOYEN D'UN RESEAU DE RESISTANCES ANISOTROPES PLAN. EXEMPLE DES CRISTAUX DE SELS COMPLEXES DE TCNQRITSCHEL H; EICHLER H.1974; Z. PHYS. CHEM., LEIPZIG; DTSCH.; DA. 1974; VOL. 255; NO 4; PP. 629-643; BIBL. 3 REF.Article

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DESCRIPTION MACROSCOPIQUE GENERALE DES ELECTRODES POREUSES PAR ANALOGIE AUX REACTEURS CATALYTIQUES GAZ-SOLIDECOEURET F; LEROUX F.1981; ENTROPIE; ISSN 0013-9084; FRA; DA. 1981; VOL. 17; NO 102; PP. 12-17; ABS. ENG/GER/SPA/POR; BIBL. 7 REF.Article

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DISPOSITIF POUR LA TOPOGRAPHIE DES D.D.P. DE CONTACTARSLAMBEKOV VA; SMUSHCHENKO V YA; MINYAJLIK VS et al.1972; PRIBORY. TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 3; PP. 271; RES. D'UN ART. NO 4384-72 DEPOSE AU VINITISerial Issue

UTILISATION D'UN MODELE DU POTENTIEL DES SATELLITES SUR UNE SURFACE PHYSIQUE DE PLANETECHUJKOVA NA.1978; ASTR. ZH.; SUN; DA. 1978; VOL. 55; NO 4; PP. 862-872; ABS. ENG; BIBL. 1 REF.Article

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SUR LA POSSIBILITE D'UTILISATION DES SOURCES IONIQUES A OUVERTURES MULTIPLES POUR LES SEPARATEURS ELECTROMAGNETIQUES DE MASSESLEBEDEV SV.1974; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 44; NO 7; PP. 1550Article

ON THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON SCHOTTKY DIODESINAN CHEN; SANBOH LEE.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 2; PP. 1045-1051; BIBL. 25 REF.Article

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ON THE POTENTIAL PROFILE OF OVERCRITICALLY BIASED THIN EPITAXIAL GAAS LAYERSFREY W; ENGELMANN RWH.1973; ARCH. ELEKTRON. UBERTRAG. TECH.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 27; NO 6; PP. 284-285; ABS. ALLEM.; BIBL. 7 REF.Serial Issue