Sur un système discret généralisé de service de masse avec un nombre infini de canauxDVURECHENSKIJ, A; OSOSKOV, G. A.Izvestiâ Akademii nauk SSSR. Tehničeskaâ kibernetika. 1986, Num 6, pp 59-63, issn 0002-3388Article

Sur les propriétés limites d'un système généralisé de service de masse avec un nombre infini de canauxDVURECHENSKIJ, A; OSOSKOV, G. A.Izvestiâ Akademii nauk SSSR. Tehničeskaâ kibernetika. 1985, Num 4, pp 60-64, issn 0002-3388Article

Transformation de phase cristal-état amorphe dans le silicium fortement dopéGRETTSSHEL, R; DVURECHENSKIJ, A. V; POPOV, V. P et al.Fizika tverdogo tela. 1986, Vol 28, Num 10, pp 3134-3136, issn 0367-3294Article

Bilacunes non réorientables dans le silicium irradié par neutronsDVURECHENSKIJ, A. V; KARANOVICH, A. A.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 11, pp 1944-1948, issn 0015-3222Article

Distribution d'une impureté introduite par implantation d'ions dans le silicium après recuit par impulsions multiples d'électronsDVURECHENSKIJ, A. V; IGONINA, N. M; GRETTSSHEL, R et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 2, pp 357-360, issn 0015-3222Article

Conductivité par sauts dans les semiconducteurs moyennement dopésDVURECHENSKIJ, A. V; DRAVIN, V. A; YAKIMOV, A. I et al.Fizika tverdogo tela. 1988, Vol 30, Num 2, pp 401-406, issn 0367-3294Article

Conductivité par saut sans activation suivant les états de la bande interdite de Coulomb dans a-Si<Mn>DVURECHENSKIJ, A. V; DRAVIN, V. A; YAKIMOV, A. I et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1988, Vol 48, Num 3, pp 144-146, issn 0370-274XArticle

Cristallisation en phase liquide des couches amorphes de silicium lors de l'échauffement impulsionnel de durée variableBALANDIN, V. YU; DVURECHENSKIJ, A. V; ALEKSANDROV, L. N et al.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1986, Vol 56, Num 4, pp 807-810, issn 0044-4642Article

RPE des défauts dans Si<Al> irradié par des doses d'électrons élevéesDVURECHENSKIJ, A. V; KASHNIKOV, B. P; SUPRUNCHIK, V. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 10, pp 1763-1766, issn 0015-3222Article

Défaut lacune-impureté séparées dans l'espace dans le silicium irradié par électronsDVURECHENSKIJ, A. V; KARANOVICH, A. A; KASHNIKOV, B. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 1, pp 50-56, issn 0015-3222Article

Détermination de la température de fusion des semiconducteurs amorphes d'après la cinétique de la cristallisation auto-entretenueKULYASOVA, O. A; BALANDIN, V. YU; DVURECHENSKIJ, A. V et al.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1987, Vol 57, Num 12, pp 2397-2400, issn 0044-4642Article

Implantation d'hydrogène au cours du dépôt de silicium amorpheBOLOTOV, V. V; DVURECHENSKIJ, A. V; RYAZANTSEV, I. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 12, pp 2150-2154, issn 0015-3222Article

Grande bande interdite coulombienne dans le spectre des états de Mn dans a-SiDVURECHENSKIJ, A. V; RYAZANTSEV, I. A; DRAVIN, V. A et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1986, Vol 43, Num 1, pp 46-48, issn 0370-274XArticle

Accumulation et recuit des défauts d'irradiation dans le silicium en fonction de la température lors de l'irradiation par les neutronsANTONENKO, A. KH; BOLOTOV, V. V; DVURECHENSKIJ, A. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 5, pp 887-892, issn 0015-3222Article

Conductivité électrique à basse température d'un silicium amorphe fortement dopéALESHIN, A. N; DVURECHENSKIJ, A. V; IONOV, A. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 7, pp 1240-1244, issn 0015-3222Article