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Localisation d'une impureté diffusant dans des structures de semiconducteursKAMILOV, B. S.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 9, pp 1704-1706, issn 0015-3222Article

Effet du profil de la distribution des impuretés dans la couche de base d'une structure diode à semiconducteur sur l'écoulement du courant en régime balistique ou quasi balistiqueBANNOV, N. A; RYZHIJ, V. I.Mikroèlektronika (Moskva). 1984, Vol 13, Num 2, pp 148-151, issn 0544-1269Article

Plasma stimulated impurity redistribution in siliconKOVESHNIKOV, S. V; YAKIMOV, E. B; YARYKIN, N. A et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1989, Vol 111, Num 1, pp 81-88, issn 0031-8965, 8 p.Article

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Analyse de la distribution inhomogène des impuretés dans une couche de semiconducteurs au voisinage de la surfaceROMANOV, O. V; KOLODYAZNYJ, O. A; SULTANMAGOMEDOV, S. N et al.Mikroèlektronika (Moskva). 1984, Vol 13, Num 3, pp 232-238, issn 0544-1269Article

Distribution des impuretés dans l'épaisseur d'une lame, lors de leur augmentation à partir de la phase gazeuse, obtenue par simulation sur ordinateurALEKSANDROV, L. N; KOGAN, A. N; D'YAKONOVA, V. I et al.Inženerno-fizičeskij žurnal. 1983, Vol 45, Num 2, pp 320-325, issn 0021-0285Article

Determination of the Ni⁺-F^- distance for square-planar and linear centers in LiF: Ni⁺ and NaF:Ni⁺BARRIUSO, M. T; MORENO, M.Solid state communications. 1984, Vol 51, Num 5, pp 335-338, issn 0038-1098Article

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MESURES EXPERIMENTALES DE LA PENETRATION DES PROTONS DANS LE SILICIUM.CASTAING C; BARUCH P; PICARD C et al.1974; VIDE; FR.; DA. 1974; NO 171 SUPPL.; PP. 61-68; ABS. ANGL.; BIBL. 11 REF.; (APPL. PROCESSUS ELECTRON. IONIQUES. IVE. CONGR. INT. AVISEM 74; TOULOUSE; 1974)Conference Paper

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MODELES MATHEMATIQUES DE L'IMPLANTATION IONIQUE.COMBASSON JL.1974; VIDE; FR.; DA. 1974; NO 171 SUPPL.; PP. 321-328; BIBL. 15 REF.; (APPL. PROCESSUS ELECTRON. IONIQUES. IVE. CONGR. INT. AVISEM 74; TOULOUSE; 1974)Conference Paper

INFLUENCE DU CHAUFFAGE A HAUTE TEMPERATURE SOUS VIDE SUR LA COUCHE PROCHE DE LA SURFACE DES CRISTAUX DE SILICIUMBIBIK VF; DADYKIN AA; TITOV VA et al.1975; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 20; NO 10; PP. 1684-1688; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article

IN-DEPTH INFORMATION FROM AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY.MEYER F; VRAKKING JJ.1974; SURF. SCI.; NETHERL.; DA. 1974; VOL. 45; NO 2; PP. 409-418; BIBL. 15 REF.Article

APPLICATION DE LA REACTION ¹H(¹¹B, ALPHA )ALPHA ALPHA A L'ANALYSE DE L'HYDROGENE IMPLANTE DANS LE SILICIUM.GUIVARC'H A; PIAGUET J; DANIELOU R et al.1974; VIDE; FR.; DA. 1974; NO 171 SUPPL.; PP. 141-149; BIBL. 1 P. 1/2; (APPL. PROCESSUS ELECTRON. IONIQUES. IVE. CONGR. INT. AVISEM 74; TOULOUSE; 1974)Conference Paper

REPARTITION DES ATOMES D'ELEMENTS D'ADDITION LE LONG D'UNE DISLOCATION DANS UN CHAMP ELASTIQUEKRISHTAL MA; GAEVSKIJ VV.1974; FIZ. KHIM. OBRABOT. MATER.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 5; PP. 120-123; BIBL. 6 REF.Article

DISTRIBUTION DES ATOMES D'IMPURETE DANS UN CRISTAL AVEC CHAMPS DE CONTRAINTES INTERNES ALEATOIRESALEKSEEV AA; STRUNIN BM.1974; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 16; NO 12; PP. 3671-3675; BIBL. 7 REF.Article

Three-dimensional potential distribution model in channel of small geometry MOSFET with gauss impurity distributionRAMOVIC, R; KRIJESTORAC, S; LUKIC, P et al.International conference on microelectronics. 2004, isbn 0-7803-8166-1, 2Vol, vol 1, 307-310Conference Paper

Monte Carlo simulation of channeling tails formation under heavy-dose ion bombardmentMAZZONE, A. M.Journal of applied physics. 1985, Vol 57, Num 6, pp 2337-2339, issn 0021-8979Article

The Raman spectrum of carbon in siliconFORMAN, R. A; BELL, M. I; MYERS, D. R et al.Japanese journal of applied physics. 1985, Vol 24, Num 10, pp L848-L850, issn 0021-4922Article

Dynamique de la recristallisation et redistribution des impuretés dans les semiconducteurs sous l'action d'un laser pendant quelques msKIYAK, S. G; SHUKHOSTANOV, A. K; SAVITSKIJ, G. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 8, pp 1446-1449, issn 0015-3222Article