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DER EINFLUSS DER INHOMOGENEN SUBSTRATDOTIERUNG AUF DIE STROM-SPANNUNGSKENNLINIE DES MIS-TRANSISTORS. = L'INFLUENCE DU DOPAGE INHOMOGENE DU SUBSTRAT SUR LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DU TRANSISTOR MISFISCHER WJ.1975; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 25; NO 12; PP. 473-477; ABS. RUSSE ANGL. FR.; BIBL. 6 REF.Article

TECHNOLOGIE UND SCHALTUNGSTECHNIK STATISCHER MOS-SPEICHER. = TECHNOLOGIE ET TECHNIQUE DE CIRCUIT DE MEMOIRES MOS STATIQUES.FISCHER WJ.1978; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 28; NO 7; PP. 279-283; ABS. RUS/ENG; BIBL. 7 REF.Article

ZANBIT: EIN PROGRAMM ZUR OERTLICHEN EIN- UND ZWEIDIMENSIONALEN NUMERISCHEN ANALYSE VON BIPOLARSTRUKTUREN: I. = ZANBIT: PROGRAMME D'ANALYSE NUMERIQUE, A UNE OU DEUX DIMENSIONS DE STRUCTURES BIPOLAIRES A UNE OU DEUX DIMENSIONS. PREMIERE PARTIESCHUEFFNY R; FISCHER WJ; MOESCHWITZER A et al.1981; Z. ELEKTR. INF.-ENERGIETECH.; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1981; VOL. 11; NO 6; PP. 516-530Article

OERTLICH ZWEIDIMENSIONALE ANALYSE DES MOSFET = (ANALYSE BIDIMENSIONNELLE LOCALE DU TRANSISTOR MOS)SCHUEFFNY R; FISCHER WJ; MOESCHWITZER A et al.1980; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1980; VOL. 30; NO 5; PP. 194-196; ABS. RUS/ENG/FRE; BIBL. 32 REF.Article

ZANBIT. EIN PROGRAMM ZUR OERTLICH EIN- UND ZWEIDIMENSIONALEN NUMERISCHEN ANALYSE VON BIPOLARSTRUKTUREN. II = ZANBIT. UN PROGRAMME POUR L'ANALYSE NUMERIQUE BIDIMENSIONNELLE ET UNIDIMENSIONNELLE LOCALE DE STRUCTURES BIPOLAIRESSCHUEFFNY R; FISCHER WJ; MOESCHWITZER A et al.1982; ZEITSCHRIFT FUER ELEKTRISCHE INFORMATIONS- UND ENERGIETECHNIK; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1982; VOL. 12; NO 2; PP. 127-140; BIBL. 98 REF.Article

BESTIMMUNG VON SCHWELL- UND DURCHBRUCHSPANNUNG VON KMOS. TRANSISTOREN DURCH ZWEIDIMENSIONALE SIMULATION = DETERMINATION DE LA TENSION DE SEUIL ET DE PERCAGE DE TRANSISTORS KMOS A L'AIDE D'UNE SIMULATION A 2 DIMENSIONSSCHUEFFNY R; FISCHER WJ; MOESCHWITZER A et al.1981; Z. ELEKTR. INF.-ENERGIETECH.; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1981; VOL. 11; NO 4; PP. 359-373; BIBL. 29 REF.Article

STATISCHES UND DYNAMISCHES VERHALTEN VON KMOS-TRANSISTOREN = COMPORTEMENT STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DES TRANSISTORS CMOSSCHUFFNY R; SCHAARSCHMIDT J; FISCHER WJ et al.1982; ZEITSCHRIFT FUER ELEKTRISCHE INFORMATIONS- UND ENERGIETECHNIK; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1982; VOL. 12; NO 6; PP. 481-494; BIBL. 25 REF.Article

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