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ANALYSE PAR UNE METHODE DE PHYSIQUE NUCLEAIRE, DE L'HYDROGENE DANS LES COUCHES SUPERFICIELLES DES MATERIAUXCHERNOV IP; CHERDANTSEV YU P; SHADRIN VN et al.1980; Z. FIZ. HIM.; ISSN 0044-4537; SUN; DA. 1980; VOL. 54; NO 11; PP. 2831-2835; BIBL. 8 REF.Conference Paper

APPLICATION DE L'OXYDATION ANODIQUE A L'ANALYSE SPECTROCHIMIQUE COUCHE PAR COUCHE DE L'ARSENIURE DE GALLIUM ET DE L'ANTIMONIURE D'INDIUMSHELPAKOVA IR; SOLTAN SA; SHCHERBAKOVA OI et al.1978; ZH. ANAL. KHIM.; SUN; DA. 1978; VOL. 33; NO 12; PP. 2316-2323; ABS. ENG; BIBL. 20 REF.Article

SECONDARY ION MASS SPECTROMETRIC IMAGE DEPTH PROFILE ANALYSIS OF THIN LAYERSCHU PK; HARRIS WC JR; MORRISON GH et al.1982; ANAL. CHEM. (WASH.); ISSN 0003-2700; USA; DA. 1982; VOL. 54; NO 13; PP. 2208-2210; BIBL. 13 REF.Article

DOSAGE DU CHROME DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM PAR SPECTROMETRIE D'ABSORPTION ATOMIQUE EN FOUR GRAPHITEGUENAIS B; POUDOULEC A; MINIER M et al.1982; ANALUSIS; ISSN 0365-4877; FRA; DA. 1982; VOL. 10; NO 2; PP. 78-82; ABS. ENG; BIBL. 9 REF.Article

PHOTON STIMULATED ION DESORPTION OF H⁺ IONS FROM GAAS(110)/H₂OTHORNTON G; ROSENBERG RA; REHN V et al.1981; SOLID STATE COMMUN.; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1981; VOL. 40; NO 2; PP. 131-133; BIBL. 17 REF.Article

ALLOYING OF AU LAYERS AND REDISTRIBUTION OF CR IN GAAS = MISE EN ALLIAGE DE COUCHES AU ET REDISTRIBUTION DE CR DANS GAASMAGEE TJ; PENG J; HONG JD et al.1979; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1979; VOL. 35; NO 8; PP. 615-617; BIBL. 19 REF.Article

DE L'INFLUENCE DE LA DIFFUSION DES ELECTRONS PRIMAIRES SUR LES RESULTATS DE LA MICROANALYSE DES HETEROSTRUCTURES PAR FLUORESCENCE RXUKHORSKAYA TA; BERNER AI; GIMEL'FARB FA et al.1978; ZAVODSK. LAB.; SUN; DA. 1978; VOL. 44; NO 11; PP. 1327-1331; BIBL. 7 REF.Article

AGM⁴,5)N⁴,5)N⁴,5) AUGER LINESHAPE VARIATION DURING THE EPITAXIAL GROWTH OF AG ON TO GAAS(001) = VARIATION DE FORME DE LA TRANSITION AUGER M⁴,5)N⁴,5)N⁴,5) DE L'ARGENT AU COURS DE LA CROISSANCE EPITAXIALE DE AG SUR GAAS(001)MASSIES J; NGUYEN TL.1982; JOURNAL DE PHYSIQUE; ISSN 0302-0738; FRA; DA. 1982; VOL. 43; NO 6; PP. 939-944; ABS. FRE; BIBL. 23 REF.Article

QUANTITATIVE MEASUREMENT OF IMPURITIES IN GAAS LAYERS BY SECONDARY ION MASS SPECTROMETRYCLEGG JB.1980; SURF. INTERFACE. ANAL.; USA; DA. 1980; VOL. 2; NO 3; PP. 91-95; BIBL. 13 REF.Article

COMPARAISON DES POSSIBILITES ANALYTIQUES DE LA VOLTAMMETRIE DE REDISSOLUTION ANODIQUE DU TELLURE, AVEC BALAYAGE DE POTENTIEL CATHODIQUE ET ANODIQUE, EN PRENANT COMME EXEMPLE L'ANALYSE COUCHE-PAR-COUCHE DE FILMS DE GAAS-TEKAPLIN AA; PORTIYAGINA EH O; GRIDAEV VF et al.1979; ZH. ANAL. KHIM.; SUN; DA. 1979; VOL. 34; NO 5; PP. 950-958; BIBL. 24 REF.Article

HYDROGEN ADSORPTION ON GAAS (110) STUDIED BY ELECTRON-ENERGY-LOSS SPECTROSCOPYLUTH H; MATZ R.1981; PHYS. REV. LETT.; ISSN 0031-9007; USA; DA. 1981; VOL. 46; NO 25; PP. 1652-1655; BIBL. 10 REF.Article

ION IMPLANTED STANDARDS FOR SECONDARY ION MASS SPECTROMETRIC DETERMINATION OF THE 1A-7A GROUP ELEMENTS IN SEMICONDUCTING MATRICESLETA DP; MORRISON GH.1980; ANAL. CHEM. (WASH.); ISSN 0003-2700; USA; DA. 1980; VOL. 52; NO 3; PP. 514-519; BIBL. 16 REF.Article

DIRECT MEASUREMENTS OF CONCENTRATION OF TRACE ELEMENTS IN GAAS CRYSTALS BY ZEEMAN ATOMIC ABSORPTION SPECTROSCOPYHADEISHI T; KIMURA H.1979; J. ELECTROCHEM. SOC.; ISSN 0013-4651; USA; DA. 1979; VOL. 126; NO 11; PP. 1988-1992; BIBL. 13 REF.Article

DIFFERENTIAL PULSE POLAROGRAPHIC DETERMINATION OF CHROMIUM IN GALLIUM ARSENIDEFERRI D; ZIGNANI F; BULDINI PL et al.1982; FRESENIUS Z. ANAL.; ISSN 0016-1152; DEU; DA. 1982; VOL. 313; NO 7; PP. 539-541; BIBL. 5 REF.Article

NEW RESULTS IN THE STUDY OF THE ALUMINIUM EPITAXIAL GROWTH ON GALLIUM ARSENIDE (001) = NOUVEAUX RESULTATS DANS L'ETUDE DE LA CROISSANCE EPITAXIQUE DE L'ALUMINIUM SUR L'ARSENIURE DE GALLIUM (001)MASSIES J; CHAPLART J; LINH NT et al.1979; SOLID STATE COMMUN.; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1979; VOL. 32; NO 8; PP. 707-709; BIBL. 10 REF.Article

DOSAGE DE L'OXYGENE EN FAIBLE TENEUR, INFERIEURE A 1 P.P.M. ATOMIQUE, DANS LES COUCHES MINCES SEMICONDUCTRICES. APPLICATION A L'ARSENIURE DE GALLIUM ET COMPOSES III-V APPARENTES.HUBER A; MORILLOT G; LINH NT et al.1978; ; FRA; DA. 1978; DGRST-7670508; (51 P.): ILL.; 30 CM; BIBL. 18 REF.; ACTION CONCERT.: CHIM. ANAL.Report

CHEMISORPTION ON SEMICONDUCTOR SURFACES: GENERALIZED EXPRESSION OF PARTIAL INJECTION AND ADSORPTION ENERGYENGLER C; LORENZ W.1981; SURF. SCI.; ISSN 0039-6028; NLD; DA. 1981; VOL. 104; NO 2-3; PP. 549-558; BIBL. 8 REF.Article

PREDICTION OF SECONDARY ION CURRENTS FOR TRACE ELEMENTS IN GALLIUM ARSENIDE IN SECONDARY ION MASS SPECTROMETRYMORGAN AE; CLEGG JB.1980; SPECTROCHIM. ACTA, B; GBR; DA. 1980; VOL. 35; NO 5; PP. 281-285; BIBL. 9 REF.Article

UNTERSUCHUNGEN ZUR ATOMSPEKTROSKOPISCHEN SPURENANALYSE IN A^IIIB^V-HALBLEITER-MIKROPROBEN. IV: VERGLEICH DER BESTIMMUNG VON TELLURSPUREN IM GA-P UND GA-AS DURCH AAS, AFS UND AES = ETUDE SUR L'ANALYSE DE TRACES PAR SPECTROMETRIE ATOMIQUE DANS LES MICRO-ECHANTILLONS DE SEMICONDUCTEURS A^IIIB^V. COMPARAISON DU DOSAGE DES TRACES DE TELLURE DANS GA-P ET GA-AS PAR SPECTROMETRIE D'ABSORPTION ATOMIQUE, SPECTROMETRIE DE FLUORESCENCE ATOMIQUE ET SPECTROGRAPHIE D'EMISSION ATOMIQUEDITTRICH K; VOGEL H.1979; TALANTA; GBR; DA. 1979; VOL. 26; NO 8; PP. 737-740; ABS. ENG; BIBL. 19 REF.Article

ELECTRONIC STRUCTURE OF THE AL-GAAS (110) SURFACE CHEMISORPTION SYSTEMCHELIKOWSKY JR; CHADI DJ; COHEN ML et al.1981; PHYS. REV. B; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1981; VOL. 23; NO 8; PP. 4013-4022; BIBL. 30 REF.Article

CONTRIBUTION AU DOSAGE DE L'OXYGENE DANS LES METAUX ET LES SEMI-CONDUCTEURS PAR LES TRITONS D'ENERGIE LIMITEE A 3,5 MEV: APPLICATION DES REACTIONS NUCLEAIRES DE BASSE ENERGIE A L'ANALYSE PAR ACTIVATIONVALLADON MICHEL.1980; ; FRA; DA. 1980; 106 P.; 30 CM; BIBL. 151 REF.; TH. ING.-DOCT./ORLEANS/1980Thesis

DETERMINATION OF TRACE LEVELS OF OXYGEN BY GAMMA-PHOTON ACTIVATIONWILLIAMS DR; HISLOP JS; MEAD AP et al.1979; J. RADIOANAL. CHEM.; CHE; DA. 1979; VOL. 48; NO 1-2; PP. 213-228; BIBL. 14 REF.Article

INTERFACIAL REACTION AND SCHOTTKY BARRIER BETWEEN PT AND GAAS = REACTION INTERFACIALE ET BARRIERE DE SCHOETTKY ENTRE PT ET GAASFONTAINE C; OKUMURA T; TU KN et al.1983; JOURNAL OF APPLIED PHYSICS; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1983; VOL. 54; NO 3; PP. 1404-1412; BIBL. 19 REF.Article

USE OF IMPLANTED SAMPLES AS STANDARDS IN SPARK-SOURCE MASS SPECTROMETRY WITH APPLICATION TO THE ANALYSIS OF III-V SEMICONDUCTORSGAUNEAU M; RUPERT A; MINIER M et al.1982; ANAL. CHIM. ACTA; ISSN 0003-2670; NLD; DA. 1982; VOL. 135; NO 2; PP. 193-204; BIBL. 15 REF.Article