Durées de vie des transitions radiatives intrinsèques dans des hétérostructures à effet dimensionnel quantiqueKHALFIN, V. B; GARBUZOV, D. Z; KRASOVSKIJ, V. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 10, pp 1816-1822, issn 0015-3222Article

Influence de la saturation de l'amplification et des effets dimensionnels quantiques sur les caractéristiques de seuil des lasers à régions actives ultramincesGARBUZOV, D. Z; TIKUNOV, A. V; KHALFIN, V. B et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 6, pp 1085-1094, issn 0015-3222Article

Processus radiatifs et Auger dans le plasma d'électrons-trous photoexcité de la double hétérostructure InGaAsP/InP (λ=1,3 μm)GARBUZOV, D. Z; AGAEV, V. V; KHALFIN, V. B et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 9, pp 1557-1563, issn 0015-3222Article

High-power (1W, CW) single-lobe operation of LPE-grown GaInAsP/GaInP (λ=O•8μm) separate-confinement single-quantum-well broad-area lasersGARBUZOV, D. Z; KOCHERGIN, A. V; RAFAILOV, E. U et al.Electronics Letters. 1989, Vol 25, Num 18, pp 1239-1240, issn 0013-5194, 2 p.Article

Generation of electrically wavelength tunable (Δλ=40nm) singlemode laser pulses from a 1.3μm Fabry-Perot laser by self-seeding in a fibre-optic configurationHUHSE, D; SCHELL, M; KAESSNER, J et al.Electronics Letters. 1994, Vol 30, Num 2, pp 157-158, issn 0013-5194Article

Un laser à injection continu à 0,677 μm, en hétérostructure double InGaAsP/GaAsP à limite séparée, obtenu par épitaxie en phase liquideALFEROV, ZH. I; ARSENT'EV, I. N; VAVILOVA, L. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 6, pp 1115-1118, issn 0015-3222Article

Laser à injection continu de puissance 60 mW à hétérojonction double InGaAsP à limite séparée en phase liquide (λ=1,35 μm, T=300 K)ALFEROV, ZH. I; GARBUZOV, D. Z; NIVIN, A. F et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 3, pp 456-459, issn 0015-3222Article

Emetteurs spontanés latéraux à base de doubles hétérostructures InGaAsP (λ~1,3 μm) à ηe=6% à 300 KGARBUZOV, D. Z; GATSOEV, K. A; GORELENOK, A. T et al.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1983, Vol 53, Num 7, pp 1408-1411, issn 0044-4642Article

Low-threshold, high-power, 1.3-μm wavelength, InGaAsP-InP etched-facet folded-cavity surface-emitting lasersCHAO, C.-P; GARBUZOV, D. Z; SHIAU, G.-J et al.IEEE photonics technology letters. 1995, Vol 7, Num 8, pp 836-838, issn 1041-1135Article

Electron-microscope studies of liquid-phase epitaxy of InGaAsP/InGaP/GaAs structures with thin (<10 nm) layersBERT, N. A; GARBUZOV, D. Z; ZHURAVKEVICH, E. V et al.Soviet physics. Technical physics. 1992, Vol 37, Num 2, pp 170-174, issn 0038-5662Article

High-power 0.8 μm InGaAsP-GaAs SCH SQW lasersGARBUZOV, D. Z; ANTONISHKIS, N. YU; BONDAREV, A. D et al.IEEE journal of quantum electronics. 1991, Vol 27, Num 6, pp 1531-1536, issn 0018-9197Article

Hétérojonctions AlGaAs/GaAs à effet dimensionnel quantique, de rendement quantique de recombinaison radiative égal à 100%, obtenues par la méthode d'épitaxie de faisceaux moléculairesALFEROV, ZH. I; GARBUZOV, D. Z; DENISOV, A. G et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 12, pp 2105-2110, issn 0015-3222Article

Influence de la saturation de l'amplification sur les caractéristiques de seuil des lasers à hétérojonctions InGaAsP/GaAs à effet dimensionnel quantiqueGARBUZOV, D. Z; TIKUNOV, A. V; ZHIGULIN, S. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 6, pp 1035-1039, issn 0015-3222Article

Laser à hétérojonction double à limitation séparée InGaAsP-GaAs, à effet dimensionnel quantique, préparée par épitaxie en phase liquide (λ=0,79 μ, In=124 A/cm2, T=300 T)ALFEROV, ZH. I; ANTONISHKIS, N. YU; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 1, pp 162-164, issn 0015-3222Article

InGaP/InGaAsP/GaAs 0.808 μm separate confinement laser diodes grown by metalorganic chemical vapor depositionDIAZ, J; ELIASHEVICH, I; MOBARHAN, K et al.IEEE photonics technology letters. 1994, Vol 6, Num 2, pp 132-134, issn 1041-1135Article

Characteristics of the electric-current dependence of the efficiency of spontaneous emission from AlGaAs/GaAs laser diodes with a single quantum wellGARBUZOV, D. Z; GULAKOV, I. V; KOCHNEV, I. V et al.Semiconductors (Woodbury, N.Y.). 1993, Vol 27, Num 10, pp 946-949, issn 1063-7826Article

High-power buried InGaAsP/GaAs (λ=0.8 μm) laser diodesGARBUZOV, D. Z; ANTONISHKIS, N. J; ZHIGULIN, S. N et al.Applied physics letters. 1993, Vol 62, Num 10, pp 1062-1064, issn 0003-6951Article

Profils Auger de la composition et études de luminescence d'hétérostructures en phase liquide de InGaAsP avec régions actives de (1,5-5)×10-6 cmALFEROV, ZH. I; GARBUZOV, D. Z; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 6, pp 1108-1114, issn 0015-3222Article

Lasers à injection à double hétérostructure InGaAsP/InP à limite séparée, de seuil 300 A/cm2, (échantillons divisés en 4, λ=1,25 μm, T=300 K)ALFEROV, ZH. I; ARSENT'EV, I. N; GARBUZOV, D. Z et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 11, pp 2057-2060, issn 0015-3222Article

Transitions radiatives cohérentes et spontanées dans les hétérostructures doubles InGaAsP/InP à région active mince (da=2×10-5―2×10-6 cm) obtenue par épitaxie en phase liquideGARBUZOV, D. Z; ARSENT'EV, I. N; CHALYJ, V. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 11, pp 2041-2045, issn 0015-3222Article

In situ laser measurements of CO and CH₄ close to the surface of a burning single fuel particleLACKNER, M; TOTSCHNIG, G; WINTER, F et al.Measurement science & technology (Print). 2002, Vol 13, Num 10, pp 1545-1551, issn 0957-0233, 7 p.Article

High-power high-efficiency 0.98-μm wavelength InGaAs-(In)GaAs(P)-InGaP broadened waveguide lasers grown by gas-source molecular beam epitaxyGOKHALE, M. R; DRIES, J. C; STUDENKOV, P. V et al.IEEE journal of quantum electronics. 1997, Vol 33, Num 12, pp 2266-2276, issn 0018-9197Article

Dark-line-resistant, aluminum-free diode laser at 0.8 μmYELLEN, S. L; SHEPARD, A. H; HARDING, C. M et al.IEEE photonics technology letters. 1992, Vol 4, Num 12, pp 1328-1330, issn 1041-1135Article

Experimental and theoretical investigations of singularities of the thresholdand power characteristics of InGaAsP/InP separate-confinement double-heterostructure lasers (λ = 1.3 μm)GARBUZOV, D. Z; OVCHINNIKOV, A. V; PIKHTIN, N. A et al.Soviet physics. Semiconductors. 1991, Vol 25, Num 5, pp 560-564, issn 0038-5700Article

Influence des flux internes dans le matériau fondu lors de la croissance de couches épitaxiques sur un support mobileGARBUZOV, D. Z; VASIL'EV, A. V; ZHURAVKEVICH, E. V et al.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1989, Vol 59, Num 1, pp 92-97, issn 0044-4642Article