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EMPLOI D'ELECTRODES AUXILIAIRES POUR L'ANALYSE DES ELEMENTS DE TRANSITION DANS LES VERRES ET SILICES TRES PURS, PAR SPECTROGRAPHIE DE MASSE A ETINCELLESGAUNEAU M.1975; ANALUSIS; FR.; DA. 1975; VOL. 3; NO 7; PP. 368-375; ABS. ANGL.; BIBL. 22 REF.Article

PROFILS D'IMPLANTATION A HAUTE ENERGIE DE BORE DANS LE SILICIUM ET L'ARSENIURE DE GALLIUM, D'ARSENIC DANS LE SILICIUM PAR MICROANALYSE IONIQUE.GAUNEAU M.1977; ANALUSIS; FR.; DA. 1977; VOL. 5; NO 8; PP. 357-365; ABS. ANGL.; BIBL. 22 REF.Article

DETERMINATION DE PROFILS D'IMPLANTATION DE BORE DANS LE SILICIUM OU L'ARSENIURE DE GALLIUM, D'ARSENIC DANS LE SILICIUM A L'AIDE D'UN NOUVEAU MICROANALYSEUR IONIQUE.GAUNEAU M.1976; VIDE; FR.; DA. 1976; VOL. 183; SUPPL.; PP. 186-188; ABS. ANGL.; (MATER. TECHNOL. MICROELECTR. TENDANCES ACTUELLES. COLLOQ. C.R.; MONTPELLIER; 1976)Conference Paper

LES MATERIAUX POUR CABLESGAUNEAU M.1980; ECHO RECH.; FRA; DA. 1980; NO 98-99; PP. 48-59; BIBL. 13 REF.Article

ESSAIS D'ANALYSE DU CINABRE PAR SPECTROGRAPHIE DE MASSE A ETINCELLESGAUNEAU M; BOUVY G.1973; ANALUSIS; FR.; DA. 1973; VOL. 2; NO 4; PP. 314-319; BIBL. 13 REF.Serial Issue

CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE DES CONDUCTEURS EN CUIVRE DES CABLES COAXIAUX TELEPHONIQUESGAUNEAU M; LE CALVEZ Y.1979; CABLES ET TRANSM.; FRA; DA. 1979; VOL. 33; NO 2; PP. 105-126; ABS. ENG; BIBL. 16 REF.Article

USE OF IMPLANTED SAMPLES AS STANDARDS IN SPARK-SOURCE MASS SPECTROMETRY WITH APPLICATION TO THE ANALYSIS OF III-V SEMICONDUCTORSGAUNEAU M; RUPERT A; MINIER M et al.1982; ANAL. CHIM. ACTA; ISSN 0003-2670; NLD; DA. 1982; VOL. 135; NO 2; PP. 193-204; BIBL. 15 REF.Article

DIFFUSION OF GALLIUM IN SILICONHARIDOSS S; BENIERE F; GAUNEAU M et al.1980; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1980; VOL. 51; NO 11; PP. 5833-5837; BIBL. 21 REF.Article

LONG-RANGE ENHANCEMENT OF BORON DIFFUSIVITY INDUCED BY A HIGH-SURFACE-CONCENTRATION PHOSPHORUS DIFFUSIONLECROSNIER D; GAUNEAU M; PAUGAM J et al.1979; APPL. PHYS. LETTERS; USA; DA. 1979; VOL. 34; NO 3; PP. 224-226; BIBL. 15 REF.Article

DEPTH PROFILES OF FE AND CR IMPLANTS IN INP AFTER ANNEALINGGAUNEAU M; L'HARIDON H; RUPERT A et al.1982; JOURNAL OF APPLIED PHYSICS; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 10; PP. 6823-6827; BIBL. 11 REF.Article

CORRELATION BETWEEN D.C. BULK CONDUCTIVITY AND IMPURITIES IN UNDOPED POLY(P-PHENYLENE)MAURICE F; FROYER G; MINIER M et al.1981; J. PHYSIQUE, LETT.; ISSN 0302-072X; FRA; DA. 1981; VOL. 42; NO 18; PP. L.425-L.427; ABS. FRE; BIBL. 8 REF.Article

ETUDE DE LA DIFFUSION DU GALLIUM DANS LE SILICIUM PAR MICROANALYSE IONIQUE ET ACTIVATION NEUTRONIQUEGAUNEAU M; RUPPERT A; HARIDOSS S et al.1980; ANALUSIS; ISSN 0365-4877; FRA; DA. 1980; VOL. 8; NO 4; PP. 142-147; ABS. ENG; BIBL. 8 REF.Article

DOSAGE DE L'ALUMINIUM PAR SPECTROMETRIE D'ABSORPTION ATOMIQUE ET DIFFRACTION DES RAYONS X DANS DES COUCHES EPITAXIEES PAR JETS MOLECULAIRES DE GA1-XALXASBAUDET M; REGRENY O; DUPAS G et al.1983; MATERIALS RESEARCH BULLETIN; ISSN 0025-5408; USA; DA. 1983; VOL. 18; NO 2; PP. 123-133; ABS. ENG; BIBL. 26 REF.Article

X-ray topography and TEM studies of (Ga,Fe)-double-doped LEC grown InP crystalsHAJI, L; COQUILLE, R; GAUNEAU, M et al.Journal of crystal growth. 1987, Vol 82, Num 3, pp 487-494, issn 0022-0248Article

DOSAGE DE L'ALUMINIUM PAR SPECTROMETRIE D'ABSORPTION ATOMIQUE ET DIFFRACTION DES RAYONS X DANS DES COUCHES EPITAXIEES PAR JETS MOLECULAIRES DE GA1-XALXAS = QUANTITATIVE DETERMINATION OF ALUMINIUM IN GA1-XALXAS EPITAXIAL FILMS OBTAINED BY MOLECULAR BEAMS BY MEANS OF ATOMIC ABSORPTION SPECTROMETRY AND X RAY DIFFRACTIONBAUDET M; REGRENY O; DUPAS G et al.1982; ; FRA; DA. 1982; NT-LAD-ICM/61; 20 P.; 30 CM; BIBL. 25 REF.; NOTE TECHNIQUEReport

CHROMIUM GETTERING IN GAAS BY OXYGEN IMPLANTATIONFAVENNEC PN; GAUNEAU M; L'HARIDON H et al.1981; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1981; VOL. 38; NO 4; PP. 271-273; BIBL. 10 REF.Article

COLLECTIVE INVESTIGATIONS ON TWO TYPICAL SEMI-INSULATING GAAS INGOTSBONNAFE J; CASTAGNE M; CLERJAUD B et al.1981; MATER. RES. BULL.; ISSN 0025-5408; USA; DA. 1981; VOL. 16; NO 10; PP. 1193-1212; BIBL. 46 REF.Article

Interacting donors in n-type GaP studied with Raman scattering and ESR techniquesGALTIER, P; MARTINEZ, G; LAMBERT, B et al.Physical review. B, Condensed matter. 1986, Vol 33, Num 10, pp 6909-6915, issn 0163-1829Article

Depth profiles of manganese implants in InP after annealingCHAPLAIN, R; GAUNEAU, M; L'HARIDON, H et al.Journal of applied physics. 1985, Vol 58, Num 5, pp 1803-1808, issn 0021-8979Article

Rapport de mission effectuée à Berlin du 7 au 12 Juillet 1985. 7ème Conférence internationale sur les méthodes d'analyse par faisceaux d'ions = Mission report: Berlin 7-12 July 1985. 7th International congress about the ion beams analysis methodGAUNEAU, M.1985, 2 p.Report

Surface accumulation of manganese in Si+-implanted and annealed semi-insulating indium phosphideRAO, E. V. K; DUHAMEL, N; GAUNEAU, M et al.Journal of applied physics. 1984, Vol 56, Num 12, pp 3413-3417, issn 0021-8979Article

Rapport de mission aux Etats-Unis du 4 au 18 mai 1983. Participation: «13ème réunion de l'Association Francophone de Spectrométrie de Masse» (Québec), «31th Annual conference on mass spectrometry and allied topics» (Boston) = Mission report, U.S.A, 4-18 May 1983. Participation: «13th conference of French speaking Association on mass spectrometry» (Quebec), «31th Annual conference on mass spectrometry and allied topics» (Boston)GAUNEAU, M.1983, 34 p.Report

Delta-doping in diffusion studiesBENIERE, F; CHAPLAIN, R; GAUNEAU, M et al.Journal de physique. III (Print). 1993, Vol 3, Num 12, pp 2165-2171, issn 1155-4320Article

Characterisation of semi-insulating InP:FeLAMBERT, B; COQUILLE, R; GAUNEAU, M et al.Semiconductor science and technology. 1990, Vol 5, Num 6, pp 616-619, issn 0268-1242, 4 p.Article

On the use of dimeric antimony in molecular beam epitaxyROUILLARD, Y; LAMBERT, B; TOUDIC, Y et al.Journal of crystal growth. 1995, Vol 156, Num 1-2, pp 30-38, issn 0022-0248Article

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