INFLUENCE DE LA TEMPERATURE D'IRRADIATION SUR LA CONCENTRATION DES DONNEURS DANS LA COUCHE PRESUPERFICIELLE DU SILICIUM DANS LES STRUCTURES SI-SIO₂VERSHININA NV; GERASIMENKO NN.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 4; PP. 750-754; BIBL. 9 REF.Article

THE INTERACTION BETWEEN THE POINT DEFECTS INTRODUCED BY IMPLANTATION AND DISLOCATIONS IN SILICONKALININ VV; GERASIMENKO NN.1983; PHYSICA STATUS SOLIDI. (A). APPLIED RESEARCH; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1983; VOL. 76; NO 1; PP. 65-70; ABS. RUS; BIBL. 16 REF.Article

RECUIT DE COUCHES GUIDES D'ONDE FORMEES PAR IRRADIATION D'UN VERRE DE QUARTZ PAR DES IONS HE⁺, B⁺, XE⁺GERASIMENKO NN; TSEJTLIN GM.1983; FIZIKA I HIMIJA STEKLA; ISSN 0132-6651; SUN; DA. 1983; VOL. 9; NO 1; PP. 118-122; BIBL. 11 REF.Article

SOME PECULIARITIES OF RADIATION-INDUCED CHANGES IN THE PROPERTIES OF SI-SIO₂ STRUCTURES IRRADIATED AT ELEVATED TEMPERATURESVERSHININA NV; GERASIMENKO NN.1982; PHYSICA STATUS SOLIDI. (A). APPLIED RESEARCH; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1982; VOL. 72; NO 2; PP. 569-574; ABS. RUS; BIBL. 15 REF.Article

MECANISME DE VARIATION DES PROPRIETES OPTIQUES D'UN VERRE DE QUARTZ IRRADIE PAR IONS BGERASIMENKO NN; TSEJTLIN GM.1981; FIZ. KHIM. STEKLA; SUN; DA. 1981; VOL. 7; NO 5; PP. 595-600; BIBL. 13 REF.Article

FORMATION DE DEFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM CONTENANT DES ATOMES D'HYDROGENEGERASIMENKO NN; TNYSHTYKBAEV KB.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 9; PP. 1673-1676; BIBL. 16 REF.Article

THE EFFECT OF IMPLANTATION TEMPERATURE ON THE MECHANISM OF MISFIT DISLOCATION FORMATION.KALININ VV; GERASIMENKO NN; STENIN SI et al.1978; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1978; VOL. 45; NO 2; PP. 377-385; ABS. RUSSE; BIBL. 15 REF.Article

THE FORMATION OF A HIGH-RESISTIVITY LAYER CLOSE TO THE SURFACE IN SI IRRADIATED WITH ELECTRONS AT HIGHER TEMPERATURESGERASIMENKO NN; KIBALINA NP; STAS VF et al.1980; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 59; NO 1; PP. K65-K68; BIBL. 7 REF.Article

DEFECT ANNEALING INVESTIGATION ON ION IMPLANTED SI BY CESR TECHNIQUE.DVURECHENSKY AV; GERASIMENKO NN; GLAZMAN VB et al.1976; RAD. EFFECTS; G.B.; DA. 1976; VOL. 31; NO 1; PP. 37-40; BIBL. 7 REF.Article

OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM BOMBARDE PAR DES IONSGERASIMENKO NN; DVURECHENSKIJ AV; TSEJTLIN GM et al.1972; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 5; PP. 254; BIBL. 3 REF.; RES. DE L'ARTICLE NO 4684-72 DEPOSE AU VINITISerial Issue

FORMATION OF B₂-CENTRES DURING ION IRRADIATION OF SIO_X LAYERSGERASIMENKO NN; TSEITLIN GM; VASILEV SV et al.1980; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 62; NO 2; PP. K169-K174; BIBL. 10 REF.Article

RPE DES ELECTRONS DE CONDUCTION DANS LES COUCHES DE SILICIUM SOUMISES A L'IMPLANTATION IONIQUE: INHOMOGENEITE DE LA DISTRIBUTION DES IMPURETESANTONENKO A KH; GERASIMENKO NN; DVURECHENSKIJ AV et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 3; PP. 559-562; BIBL. 9 REF.Article

ETUDES DE LA MODIFICATION DES STRUCTURES RADIATIVES DANS LES COUCHES MINCES DE SIO₂ PAR LA METHODE DE RESONANCE PARAMETRIQUE ELECTRONIQUEVIKHREV BI; GERASIMENKO NN; LEBEDEV GP et al.1977; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 6; NO 1; PP. 71-74; BIBL. 9 REF.Article

ETUDE DES PROFILS DE DEFAUTS APRES RECUIT DE SILICIUM IRRADIE PAR DES IONS, PAR RPE DES ELECTRONS DE CONDUCTIONGERASIMENKO NN; GLAZMAN VB; DVURECHENSKIJ AV et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 9; PP. 1734-1739; BIBL. 9 REF.Article

INTERACTION DEFAUT-IMPURETE LORS D'UNE IMPLANTATION D'IONS DANS SIGERASIMENKO NN; DVURECHESKIJ AV; ROMANOV SI et al.1972; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 6; NO 10; PP. 1978-1981; BIBL. 15 REF.Serial Issue

INTERACTION DEFAUT-IMPURETE DANS LE CAS D'IMPLANTATION IONIQUE DANS LE SILICIUMGERASIMENKO NN; DVURETCHENSKIJ AV; ROMANOV SI et al.1975; ; S.L.; DA. 1975; DU RUSSE: FIZIKA I TEKHNIKA POLUPROVODNIKOV, OCTOBRE 1972; 6, NO 10, 1978-1981, 3 FIGMiscellaneous

DIFFUSION DU PHOSPHORE DANS LE SILICIUM A PARTIR D'UNE COUCHE IMPLANTEE PAR DES IONS AUX DOSES DE DOPAGE ELEVEESGERASIMENKO NN; ROMANOV SI; STAS VF et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 11; PP. 2117-2120; BIBL. 12 REF.Article

CARACTERISTIQUES DES DOMMAGES D'IRRADIATION DU SILICIUM APRES BOMBARDEMENT PAR DES RESIDUS DE FISSION ²³⁵UTAKIBAEV ZH S; GORELKINSKIJ YU V; GRISHCHENKO VF et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 10; PP. 1991-1994; BIBL. 8 REF.Article

NATURE DE LA CONVERSION P-N DES CRISTAUX DE INSB BOMBARDES PAR DES IONSBLAUT BLACHEV AN; GERASIMENKO NN; LEZHEJKO LV et al.1980; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 2; PP. 306-310; BIBL. 11 REF.Article

LE PROCESSUS D'AMORPHISATION DU SILICIUM IRRADIE PAR IONS LOURDSGERASIMENKO NN; GUDAEV GA; DVURECHENSKIJ AV et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 7; PP. 1237-1241; BIBL. 11 REF.Article

PROFILS DE DEFAUTS LORS DE L'IMPLANTATION D'IONS DANS LE SILICIUMGASHTOL'D VN; GERASIMENKO NN; DVURECHENSKIJ AV et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 5; PP. 835-839; BIBL. 16 REF.Article

INTERACTION DANS LE SILICIUM DES ATOMES D'HYDROGENE AVEC LES DEFAUTS IMPLANTES PAR BOMBARDEMENT IONIQUEVIKHREV BI; GERASIMENKO NN; DVURECHENSKIJ AV et al.1974; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 8; NO 7; PP. 1345-1348; BIBL. 9 REF.Article

PROPRIETES DES COUCHES DE GAP SUR SI OBTENUES PAR EPITAXIE LIQUIDE IONIQUEGERASIMENKO NN; LEZHEJKO LV; LYUBOPYTOVA EV et al.1982; IZV. AKAD. NAUK SSSR, NEORG. MATER.; ISSN 0002-337X; SUN; DA. 1982; VOL. 18; NO 10; PP. 1689-1692; BIBL. 10 REF.Article

FORMATION DE DEFAUTS DANS LES CONDITIONS DE DIFFUSION ACCELEREE PAR L'IRRADIATIONKALININ VV; ASEEV AL; GERASIMENKO NN et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 1; PP. 28-36; BIBL. 13 REF.Article

PROPRIETES ELECTRIQUES ET PHOTOELECTRIQUES D'UNE HETEROJONCTION SI-GAPGERASIMENKO NN; LEZHEJKO LV; LYUBOPYTOVA EV et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 6; PP. 1088-1092; BIBL. 13 REF.Article