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THEORIE D'UN DOMAINE ANODIQUE DANS UNE DIODE DE GUNND'YAKONOV MI; FURMAN AS.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 10; PP. 1773-1782; BIBL. 13 REF.Article

PROPRIETES FONDAMENTALES DE LA COUCHE ENRICHIE DANS UNE DIODE GUNND'YAKONOV MI; LEVINSHTEJN ME; SIMIN GS et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 11; PP. 2116-2126; BIBL. 17 REF.Article

COMPOSES D'AVENIR A BASE D'ELEMENTS III-V POUR DIODES DE GUNN - VARIATIONS V(E)PROKHOROV EH D.1978; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 23; NO 3; PP. 591-600; BIBL. 14 REF.Article

METHODE DE MESURE DU RAPPORT COURANT MAXIMUM-COURANT MINIMUM DES DIODES DE GUNNKUKUSHKIN VV; EHLENKRIG BB.1980; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1980; NO 5; PP. 103-105; BIBL. 7 REF.Article

CARACTERISTIQUES DE SIGNAL D'UN RECEPTEUR AUTODYNE A PHOTORESISTANCE A GENERATEUR DE GUNNDOKTOREVICH MM; SHINKARENKO VG.1982; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1982; VOL. 27; NO 5; PP. 1026-1034; BIBL. 16 REF.Article

FORMATION D'IMPULSIONS COURTES PUISSANTES A L'AIDE D'UNE DIODE DE GUNNSTAROSEL'SKIJ VI.1980; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1980; VOL. 25; NO 4; PP. 843-846; BIBL. 6 REF.Article

BRUITS D'UN MELANGEUR AUTODYNE A DIODE DE GUNNZAJONCHKOVSKIJ A YA; RUCHKIN VG.1978; RADIOTEKHNIKA; SUN; DA. 1978; VOL. 33; NO 12; PP. 27-30; BIBL. 9 REF.Article

CALCUL ET ETUDE EXPERIMENTALE D'UN CONVERTISSEUR DE FREQUENCE AUTODYNE A DIODE DE GUNNBORODOVSKIJ PA; BULDYGIN AF; UTKIN KK et al.1977; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 20; NO 10; PP. 64-70; BIBL. 10 REF.Article

CARACTERISTIQUES DE SIGNAL D'UN RECEPTEUR AUTODYNE A PHOTORESISTANCE DIODE DE GUNN LORS D'UNE AUTODETECTIONDOKTOREVICH MM; SHINKARENKO VG.1983; RADIOTEHNIKA I ELEKTRONIKA; ISSN 508322; SUN; DA. 1983; VOL. 28; NO 2; PP. 380-386; BIBL. 4 REF.Article

THEORETICAL MODEL OF MAGNETIC EFFECT ON GUNN DIODEISHII TK.1983; PROCEEDINGS OF THE IEEE; ISSN 0018-9219; USA; DA. 1983; VOL. 71; NO 1; PP. 180-181; BIBL. 5 REF.Article

REGIMES DE GENERATION D'HYPERFREQUENCES DANS DES DIODES DE GUNN A UNE FREQUENCE SUPERIEURE A LA FREQUENCE DE TRANSITALTUKHOV IV; KAGAN MS; KALASHNIKOV SG et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 12; PP. 2316-2322; BIBL. 8 REF.Article

TEMPERATURE PROFILE INSIDE THE ACTIVE LAYER OF A GUNN DIODE.JANARDHANAN P; MAHAPATRA S.1976; INDIAN J. TECHNOL.; INDIA; DA. 1976; VOL. 14; NO 11; PP. 579-581; BIBL. 4 REF.Article

NUMERISCHE ANALYSE ELEKTRONISCHER HALBLEITERSTRUKTUREN = ANALYSE NUMERIQUE DES STRUCTURES ELECTRONIQUES DES SEMI-CONDUCTEURSRITZ S; GOETZE R; SCHUFFNY R et al.1978; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 28; NO 12; PP. 501-504; BIBL. 17 REF.Article

ANALIZA PRAXY GENERATORA Z DIODA GUNNA W UK NONLADZIE Z REZONATOROM POSREDNIM = ANALYSE OPERATIONNELLE D'UN GENERATEUR A DIODE GUNN DANS UN CIRCUIT AVEC RESONATEUR INTERMEDIAIREGALWAS B; PIOTROWSKI JK.1979; ARCH. ELEKTROTECH.; POL; DA. 1979; VOL. 28; NO 108-2; PP. 383-394; ABS. RUS/ENG; BIBL. 13 REF.Article

VARIATIONS EN FREQUENCE DES PARAMETRES D'UN DOUBLEUR DE FREQUENCE A DIODE DE GUNNALTUKHOV IV; BULAKHOVA LV; KUKUSHKIN VV et al.1977; RADIOTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 32; NO 5; PP. 74-80; BIBL. 15 REF.Article

MULTIPLICATEUR DE FREQUENCE POUR SUPER HAUTES FREQUENCES ET DE HAUT RAPPORTVENGER AZ; ERMAK AN; YAKIMENKO AM et al.1976; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 6; PP. 98-99; BIBL. 5 REF.Article

PROCESSUS DE DISPARITION DES DOMAINES MOBILES DANS LES DIODES DE GUNN PLANARSBROVKIN YU N; KOSTYLEV SA; PROKHOROV EF et al.1982; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1982; VOL. 11; NO 3; PP. 219-222; BIBL. 9 REF.Article

MICROWAVE INTRUDER ALARM. II. CONSTRUCTION OF DOPPLER RADAR TO DETECT MOVEMENT.HOSKING MW.1977; WIRELESS WORLD; G.B.; DA. 1977; VOL. 83; NO 1500; PP. 37-40Article

MEASUREMENT OF GUNN DIODE THERMAL RESISTANCE.HEATON J; RAMACHANDRAN TB.1976; MICROWAVE J.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 19; NO 8; PP. 43-46; BIBL. 5 REF.Article

EXTENSION DE LA PLAGE DE SYNCHRONISATION D'UN GENERATEURKATUSHKINA VM; MALYSHEV VP; SHALAPANOV AV et al.1976; RADIOTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 31; NO 11; PP. 51-56; BIBL. 5 REF.Article

COMPOSES III-V D'AVENIR POUR DIODES DE GUNN. PROPRIETES FREQUENTIELLESPROKHOROV EH D.1978; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 23; NO 4; PP. 811-817; BIBL. 6 REF.Article

CONDITIONS DE SUPPRESSION D'UN DOMAINE DANS UNE DIODE DE GUNN EN REGIME RELAXENAZAROV VB; PALSHKOV VV.1982; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; ISSN 0021-3470; SUN; DA. 1982; VOL. 25; NO 10; PP. 70-77; BIBL. 4 REF.Article

SIMPLE METHOD TO DETERMINE THE MAIN GUNN DOMAIN PARAMETERSLEVINSHTEIN ME; SIMIN GS.1980; ELECTRON. LETTERS; GBR; DA. 1980; VOL. 16; NO 5; PP. 191-193; BIBL. 11 REF.Article

EFFET DE LA CAPTURE SUR L'AFFAIBLISSEMENT DES OSCILLATIONS DE GUNN DANS LES DIODES AU N-GAASKOSTYLEV SA; PROKHOROV EF; BROVKIN YU N et al.1980; MIKROELEKTRONIKA; SUN; DA. 1980; VOL. 9; NO 2; PP. 164-168; BIBL. 6 REF.Article

VELOCITY-FIELD CHARACTERISTICS OF GAAS GUNN DIODES WITH DIFFERENT IMPURITY CONCENTRATION.KLIEFOTH K; PETZEL B.1977; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1977; VOL. 42; NO 2; PP. K133-K135; BIBL. 11 REF.Article

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