PROPRIETES FONDAMENTALES DE LA COUCHE ENRICHIE DANS UNE DIODE GUNND'YAKONOV MI; LEVINSHTEJN ME; SIMIN GS et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 11; PP. 2116-2126; BIBL. 17 REF.Article

COMPOSES D'AVENIR A BASE D'ELEMENTS III-V POUR DIODES DE GUNN - VARIATIONS V(E)PROKHOROV EH D.1978; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 23; NO 3; PP. 591-600; BIBL. 14 REF.Article

METHODE DE MESURE DU RAPPORT COURANT MAXIMUM-COURANT MINIMUM DES DIODES DE GUNNKUKUSHKIN VV; EHLENKRIG BB.1980; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1980; NO 5; PP. 103-105; BIBL. 7 REF.Article

CARACTERISTIQUES DE SIGNAL D'UN RECEPTEUR AUTODYNE A PHOTORESISTANCE A GENERATEUR DE GUNNDOKTOREVICH MM; SHINKARENKO VG.1982; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1982; VOL. 27; NO 5; PP. 1026-1034; BIBL. 16 REF.Article

THEORETICAL MODEL OF MAGNETIC EFFECT ON GUNN DIODEISHII TK.1983; PROCEEDINGS OF THE IEEE; ISSN 0018-9219; USA; DA. 1983; VOL. 71; NO 1; PP. 180-181; BIBL. 5 REF.Article

REGIMES DE GENERATION D'HYPERFREQUENCES DANS DES DIODES DE GUNN A UNE FREQUENCE SUPERIEURE A LA FREQUENCE DE TRANSITALTUKHOV IV; KAGAN MS; KALASHNIKOV SG et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 12; PP. 2316-2322; BIBL. 8 REF.Article

TEMPERATURE PROFILE INSIDE THE ACTIVE LAYER OF A GUNN DIODE.JANARDHANAN P; MAHAPATRA S.1976; INDIAN J. TECHNOL.; INDIA; DA. 1976; VOL. 14; NO 11; PP. 579-581; BIBL. 4 REF.Article

NUMERISCHE ANALYSE ELEKTRONISCHER HALBLEITERSTRUKTUREN = ANALYSE NUMERIQUE DES STRUCTURES ELECTRONIQUES DES SEMI-CONDUCTEURSRITZ S; GOETZE R; SCHUFFNY R et al.1978; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 28; NO 12; PP. 501-504; BIBL. 17 REF.Article

ANALIZA PRAXY GENERATORA Z DIODA GUNNA W UK NONLADZIE Z REZONATOROM POSREDNIM = ANALYSE OPERATIONNELLE D'UN GENERATEUR A DIODE GUNN DANS UN CIRCUIT AVEC RESONATEUR INTERMEDIAIREGALWAS B; PIOTROWSKI JK.1979; ARCH. ELEKTROTECH.; POL; DA. 1979; VOL. 28; NO 108-2; PP. 383-394; ABS. RUS/ENG; BIBL. 13 REF.Article

VARIATIONS EN FREQUENCE DES PARAMETRES D'UN DOUBLEUR DE FREQUENCE A DIODE DE GUNNALTUKHOV IV; BULAKHOVA LV; KUKUSHKIN VV et al.1977; RADIOTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 32; NO 5; PP. 74-80; BIBL. 15 REF.Article

MULTIPLICATEUR DE FREQUENCE POUR SUPER HAUTES FREQUENCES ET DE HAUT RAPPORTVENGER AZ; ERMAK AN; YAKIMENKO AM et al.1976; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 6; PP. 98-99; BIBL. 5 REF.Article

CONDITIONS DE SUPPRESSION D'UN DOMAINE DANS UNE DIODE DE GUNN EN REGIME RELAXENAZAROV VB; PALSHKOV VV.1982; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; ISSN 0021-3470; SUN; DA. 1982; VOL. 25; NO 10; PP. 70-77; BIBL. 4 REF.Article

SIMPLE METHOD TO DETERMINE THE MAIN GUNN DOMAIN PARAMETERSLEVINSHTEIN ME; SIMIN GS.1980; ELECTRON. LETTERS; GBR; DA. 1980; VOL. 16; NO 5; PP. 191-193; BIBL. 11 REF.Article

EFFET DE LA CAPTURE SUR L'AFFAIBLISSEMENT DES OSCILLATIONS DE GUNN DANS LES DIODES AU N-GAASKOSTYLEV SA; PROKHOROV EF; BROVKIN YU N et al.1980; MIKROELEKTRONIKA; SUN; DA. 1980; VOL. 9; NO 2; PP. 164-168; BIBL. 6 REF.Article

VELOCITY-FIELD CHARACTERISTICS OF GAAS GUNN DIODES WITH DIFFERENT IMPURITY CONCENTRATION.KLIEFOTH K; PETZEL B.1977; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1977; VOL. 42; NO 2; PP. K133-K135; BIBL. 11 REF.Article

EFFET DES CARACTERISTIQUES NON LINEAIRES DE L'ELEMENT ACTIF SUR LES CARACTERISTIQUES DE L'AMPLITUDE, EN FONCTION DE LA FREQUENCE D'UN AMPLIFICATEUR REGENERATEUR HYPERFREQUENCEKANTSEROV M YU; TAGER AS.1977; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 22; NO 5; PP. 988-994; BIBL. 2 REF.Article

SUR LE SCHEMA EQUIVALENT DE DIODES STABILISEES A TRANSFERT ELECTRONIQUE INTERVALLEKAL'FA AA; PORESH SB; TAGER AS et al.1977; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 22; NO 12; PP. 2599-2603; BIBL. 4 REF.Article

AN ESTIMATE OF THE TIME FOR THE FORMATION OF A STRONG-FIELD DOMAIN IN A GUNN DIODE.STAROSEL'SKIY VI.1976; RADIO ENGNG ELECTRON. PHYS.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 21; NO 6; PP. 105-109; BIBL. 7 REF.Article

CALCUL ANALYTIQUE DU FACTEUR DE BRUIT D'UNE DIODE DE GUNN EN TENANT COMPTE DE LA 2EME CONDITION LIMITE SUR L'ANODE ET DE L'IRREGULARITE DU PROFIL DU DOPAGEZATSEPIN EN; MURAV'EV VV.1980; VESCI AKAD. NAVUK BSSR, SER. FIZ.-TEH. NAVUK; ISSN 0002-3566; BYS; DA. 1980; NO 4; PP. 123-124Article

EFFICACITE DES DIODES A TRANSFERT D'ELECTRONSHABOVCIK P.1977; ELEKTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1977; VOL. 28; NO 5; PP. 369-377; ABS. RUSSE ALLEM. ANGL.; BIBL. 7 REF.Article

CALCUL DE LA CARACTERISTIQUE EN AMPLITUDE D'UN MELANGEUR A DIODE DE GUNN EN REGIME SANS DOMAINEKUKUSHKIN VV; SOLYAKOV VN.1976; RADIOTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 31; NO 7; PP. 76-81; BIBL. 7 REF.Article

CARACTERISTIQUE, MOYENNE PAR RAPPORT AU TEMPS, DU COURANT EN FONCTION DE LA TENSION D'UNE DIODE DE GUNN, EN CAS D'IONISATION PAR CHOC A L'INTERIEUR D'UN DOMAINE MOBILEAVAK'YANTS GM; ARUTYUNYAN VM.1976; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 21; NO 9; PP. 1960-1966; BIBL. 18 REF.Article

GENERATION DE BRUIT EN HYPERFREQUENCES PAR UNE DIODE DE GUNN A DOMAINE CATHODIQUE STATIQUEPROKHOROV EH D; SKOROBOGATOVA SN; ZOLOTAREV ES et al.1976; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 21; NO 8; PP. 1732-1739; BIBL. 16 REF.Article

MILLIMETER-WAVE MIXERS FORGE AHEAD WITH GUNN AND BEAM-LEAD DIODES1979; MICROWAVES; USA; DA. 1979; VOL. 18; NO 4; PP. 25-26Article

AUGMENTATION DE LA LIMITE EN FREQUENCE DE LA GENERATION DANS LES DIODES DE GUNN AVEC DES INHOMOGENEITESBROVKIN YU N; VYSHEMIRSKAYA NA; KOSTYLEV SA et al.1979; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; UKR; DA. 1979; VOL. 22; NO 10; PP. 89-92; BIBL. 5 REF.Article