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Equilibre de phase dans le système phase liquide-phase solide avant l'hétéroépitaxie des couches. II. Création de solutions à composants multiples en équilibre A3B5 par saturation au moyen de la dissolution de la source-support. Limites d'application de la méthodeBOLKHOVITYANOV, YU. B.Žurnal fizičeskoj himii. 1983, Vol 57, Num 7, pp 1698-1703, issn 0044-4537Article

Stabilité de la cristallisation d'une phase homogène dans un système en démixtionGEJLIKMAN, M. B; TEMKIN, D. E.Kristallografiâ. 1985, Vol 30, Num 4, pp 636-646, issn 0023-4761Article

Un laser à injection continu à 0,677 μm, en hétérostructure double InGaAsP/GaAsP à limite séparée, obtenu par épitaxie en phase liquideALFEROV, ZH. I; ARSENT'EV, I. N; VAVILOVA, L. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 6, pp 1115-1118, issn 0015-3222Article

Evaluation of binary and ternary melts for the low temperature liuqid phase epitaxial growth of siliconSOO HONG LEE; GREEN, M. A.Journal of electronic materials. 1991, Vol 20, Num 8, pp 635-641, issn 0361-5235Article

The effect of fluid flow due to the crystal-melt density change on the growth of a parabolic isothermal dendriteMCFADDEN, G. B; CORIELL, S. R.Journal of crystal growth. 1986, Vol 74, Num 3, pp 507-512, issn 0022-0248Article

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Modélisation mathématique de la croissance des dendrites dans un liquide surfonduUMANTSEV, A. R; VINOGRADOV, V. V; BORISOV, V. T et al.Kristallografiâ. 1985, Vol 30, Num 3, pp 455-461, issn 0023-4761Article

An approach to pattern formation in crystal growth. I: Needle growth in a simplified modelNARA, S; HAKEN, H.Journal of crystal growth. 1983, Vol 63, Num 2, pp 400-406, issn 0022-0248Article

High-efficiency GaP pure green light-emitting diodes of 555 nm fabricated by new liquid phase epitaxy methodKAWABATA, T; KOIKE, S.Applied physics letters. 1983, Vol 43, Num 5, pp 490-491, issn 0003-6951Article

Non-equilibrium gradient-zone crystallization in semiconductorsEVSEEV, B. S.Physica status solidi. A. Applied research. 1988, Vol 109, Num 1, pp K31-K34, issn 0031-8965Article

Influence d'une surface solide sur la formation d'un germe de phase liquide dans une vapeurDOKHOV, M. P.Žurnal fizičeskoj himii. 1984, Vol 58, Num 4, pp 1006-1007, issn 0044-4537Article

Supported liquid-phase rhodium catalyst for acetylene hydrochlorinationPANOVA, S. A; SHESTAKOV, G. K; TEMKIN, O. N et al.Journal of the Chemical Society. Chemical communications. 1994, Num 8, issn 0022-4936, p. 977Article

Validité de l'approche de diffusion dans les modèles des processus de l'électroépitaxie en phase liquideDEMIN, V. N; KUZNETSOV, F. A.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1984, Vol 54, Num 5, pp 934-937, issn 0044-4642Article

Etude de la vitesse de croissance des cristaux filiformes de silicium dans un système à écoulementSHCHETININ, A. A; KOZENKOV, O. D; DUNAEV, A. I et al.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1983, Vol 53, Num 7, pp 1416-1418, issn 0044-4642Article

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JACKSON FACTOR AND GROWTH KINETICS OF GARNET LPE FILMS OF SINGULAR ORIENTATIONHERGT R; PFEIFFER H.1982; PHYSICA STATUS SOLIDI. (A). APPLIED RESEARCH; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1982; VOL. 74; NO 1; PP. 97-105; ABS. GER; BIBL. 21 REF.Article

Intercalation dans le graphite du sulfure et du séléniure de potassium = Intercalation into graphite of potassium sulfide and selenideGOUTFER-WURMSER, F; HEROLD, C; LAGRANGE, P et al.Comptes rendus de l'académie des sciences. Serie IIc, chimie. 1998, Vol 1, Num 1, pp 29-33, issn 1387-1609Article

High resistivity InP layer grown by low temperature liquid phase epitaxyOHTSUKA, K; OHISHI, T; ABE, Y et al.Journal of crystal growth. 1990, Vol 106, Num 2-3, pp 467-470, issn 0022-0248Article

Computer simulation of the inverse Stefan problem in conformity with the liquid phase epitaxy of Hg_1-xMn_xTeZHOVNIR, G. I; KLETSKII, S. V; SOCHINSKII, N. V et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1989, Vol 115, Num 1, pp K31-K34, issn 0031-8965Article

Cristallogenèse du germanium en centrifugeuse = Crystal growth of germanium in a centrifugeCHEVY, A.Comptes rendus de l'Académie des sciences. Série 2, Mécanique, Physique, Chimie, Sciences de l'univers, Sciences de la Terre. 1988, Vol 307, Num 10, pp 1147-1150, issn 0764-4450Article

Liquid bridge breakages aboard spacelab-D1MESEGUER, J; SANZ, A; LOPEZ, J et al.Journal of crystal growth. 1986, Vol 78, Num 2, pp 325-334, issn 0022-0248Article

L.P.E. growth rate in Ga-As-Ge and Ga-As-Sn systemsDUTARTRE, D; GAVAND, M.Revue de physique appliquée. 1984, Vol 19, Num 1, pp 21-25, issn 0035-1687Article