PROFONDEUR D'ECHAPPEMENT DES PHOTOELECTRONS EMIS PAR DES COUCHES MINCES D'ARGENT POUR DES PHOTONS D'ENERGIE 1,8< NONHOMEGA <3,55 EV = ESCAPE LENGTH L OF PHOTOELECTRONS EMITTED BY THIN SILVER LAYERS FOR PHOTON ENERGY 1,8 TO 3,55 EVHINCELIN G.1982; C.R. SEANCES ACAD. SCI., SER. 2, MEC. PHYS. CHIM. SCI. TERRE, SCI. UNIVERS; ISSN 0249-6305; FRA; DA. 1982; VOL. 294; NO 13; PP. 773-776; ABS. ENG; BIBL. 8 REF.Article

ENHANCEMENT OF SURFACE AND VOLUME PHOTOEFFECTS IN CESIATED AL THIN FILMS BY CONTROLLED EXCITATION OF SURFACE PLASMA WAVES AT LOW PHOTON ENERGIES = AUGMENTATION DES PHOTO-EFFETS EN SURFACE ET EN VOLUME DANS DES COUCHES MINCES D'ALUMINIUM RECOUVERTES DE CESIUM PAR L'EXCITATION CONTROLEE D'ONDES DE PLASMA DE SURFACE POUR DE FAIBLES ENERGIES DE PHOTONSHINCELIN G.1981; PHYS. REV. B; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1981; VOL. 24; NO 2; PP. 787-805; BIBL. 53 REF.Article

DETERMINATION DE LA PROFONDEUR D'ECHAPPEMENT DES PHOTOELECTRONS DANS L'ALUMINIUM DANS LE DOMAINE D'ENERGIE 1,5<HOMEGA <4EVHINCELIN G.1979; C.R. ACAD. SCI., B; FRA; DA. 1979; VOL. 288; NO 4; PP. 81-84; ABS. ENG; BIBL. 12 REF.Article

REALISATION D'UN REFLECTOMETRE DE PRECISION. COMPARAISON DES METHODES ELLIPSOMETRIQUE ET REFLECTOMETRIQUE POUR LA MESURE DES FACTEURS DE REFLEXION. APPLICATION A L'ETUDE DE COUCHES EPAISSES DE POTASSIUM PUR.HINCELIN G.1975; ; S.L.; DA. 1975; PP. 1-89; H.T. 32; BIBL. 2 P.; (THESE DOCT. 3E. CYCLE, SPEC. SPECTRON.; PARIS VI)Thesis

MISE EN EVIDENCE DE L'ECART EXISTANT ENTRE LA COURBE DE DISPERSION DES PLASMONS DE SURFACE ET LE MINIMUM DU POUVOIR REFLECTEUR POUR DES FILMS MINCES D'ALUMINIUM.DUDEK JC; HINCELIN G.1978; C.R. ACAD. SCI., B; FR.; DA. 1978; VOL. 286; NO 19; PP. 257-260; ABS. ANGL.; BIBL. 7 REF.Article

RENFORCEMENT DE L'EMISSION PHOTO-ELECTRIQUE D'UNE COUCHE MINCE D'ARGENT PAR EXCITATION CONTROLEE D'ONDES DE PLASMA DE SURFACE.HINCELIN G; SEPTIER A.1977; C.R. ACAD. SCI., B; FR.; DA. 1977; VOL. 284; NO 9; PP. 173-176; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article

Sensibilité de détection d'une couche superficielle absorbante en RTA = Detection sensitivity of a surface layerHINCELIN, G.Comptes rendus de l'Académie des sciences. Série 2, Mécanique, Physique, Chimie, Sciences de l'univers, Sciences de la Terre. 1986, Vol 303, Num 16, pp 1421-1424, issn 0764-4450Article

INFLUENCE OF SURFACE PLASMA WAVES ON THE SURFACE AND VOLUME PHOTOEMISSION YIELDS FROM AL THIN FILMS IN THE PROTON ENERGY DOMAIN 1.5 TO 4EV = INFLUENCE DES ONDES DE PLASMA DE SURFACE SUR LES RENDEMENTS DE PHOTOEMISSION EN SURFACE ET EN VOLUME DE COUCHES MINCES D'ALUMINIUM DANS LE DOMAINE D'ENERGIE DES PROTONS COMPRIS ENTRE 1,5 ET 4EVHINCELIN G; SEPTIER A.1980; J. PHYS., LETTRES; FRA; DA. 1980; VOL. 41; NO 5; PP. L127-L129; ABS. FRE; BIBL. 11 REF.Article

Photoemission yields of coldly deposited silver films = Rendements de photoémission de couches d'argent déposées à froidLOPEZ-RIOS, T; HINCELIN, G.Physical review. B, Condensed matter. 1988, Vol 38, Num 5, pp 3561-3563, issn 0163-1829Article

Study of the platinum/electrolyte interface using surface plasmon excitation at stratified electrodes. I: Preparation and characterization of the electrodesHADJAJ, A; TADJEDDINE, A; HINCELIN, G et al.Journal of electroanalytical chemistry and interfacial electrochemistry. 1987, Vol 228, Num 1-2, pp 251-264, issn 0022-0728Article

Adsorbate-induced nonlocal corrections to Fresnel optics : optical reflectivity of Cs overlayers on AgLIEBSCH, A; HINCELIN, G; LOPEZ-RIOS, T et al.Physical review. B, Condensed matter. 1990, Vol 41, Num 15, pp 10463-10467, issn 0163-1829, 5 p.Article

Nettoyage de surface de l'InP(100) et étude de l'adsorption du tertiarybutylphosphine par spectroscopie Auger et spectroscopie infrarouge de surface = InP(100) surface cleaning procedures and adsorption studies of tertiarybutylphosphine by Auger electron spectroscopy and surface infrared spectroscopyMerdjemak, Yacine; Hincelin, G.1995, 200 p.Thesis

A metastable (√3x√3)R30° reconstruction of the Si(111) surface, induced by silicon adatomsLE THANH, V; AUBRY-FORTUNA, V; BOUCHIER, D et al.Surface science. 1996, Vol 369, Num 1-3, pp 85-90, issn 0039-6028Article

Growth of InP in chemical beam epitaxy with ligh purity tertiarybutylphosphineHINCELIN, G; ZAHZOUH, M; MELLET, R et al.Journal of crystal growth. 1992, Vol 120, Num 1-4, pp 119-123, issn 0022-0248Conference Paper

Chemical beam epitaxy of high purity InP using tertiarybutylphosphine and 1,2 bis-phosphinoethaneZAHZOUH, M; HINCELIN, G; MELLET, R et al.Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology. 1993, Vol 21, Num 2-3, pp 165-168, issn 0921-5107Conference Paper

Structural particularities of carbon-incorporated Si-Ge heterostructuresGUEDJ, C; BOUCHIER, D; BOUCAUD, P et al.Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology. 1996, Vol 36, Num 1-3, pp 286-290, issn 0921-5107Conference Paper