Modulation de la charge d'espace des structures isolant-semiconducteur obtenues dans le système GaAs-AlAsIL'ICHEV, EH. A; POLTORATSKIJ, EH. A.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 10, pp 1782-1786, issn 0015-3222Article

Propriétés électrophysiques des couches isolantes de solution solide Ga1-xAlxAs obtenues par une méthode MOS à l'hydrureIL'ICHEV, EH. A; MASLOVSKIJ, V. M; POLTORATSKIJ, EH. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 4, pp 594-602, issn 0015-3222Article

Influence de la composition sur les propriétés électrophysiques des couches isolantes de AlxGa1-xAs obtenues par la méthode à l'hydrure de décomposition de composés organométalliquesAFANAS'EV, S. M; IL'ICHEV, EH. A; POLTORATSKIJ, EH. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 9, pp 1565-1571, issn 0015-3222Article