Amélioration des schémas technologiques des ateliers de récupérationRAZGONOV, V. A; IVANTSOV, V. A.Koks i himiâ. 1984, Num 9, pp 21-24, issn 0023-2815Article

Direction privilégiée de croissance et limites des cristaux de NaNO2 obtenues à partir du produit fonduIVANTSOV, V. A; ANTONOV, P. I.Kristallografiâ. 1989, Vol 34, Num 5, pp 1325-1326, issn 0023-4761Article

Nettoyage des dépôts des refroidisseurs primaires à tubes horizontauxBOLKUNOV, A. F; MURAVKOV, P. G; IVANTSOV, V. A et al.Koks i himiâ. 1986, Num 7, pp 49-51, issn 0023-2815Article

Etude des convertisseurs de mesure du type sismiqueTIMOFEEV, E. K; IVANTSOV, V. A; VAZHINSKIJ, N. M et al.Elektromehanika. 1985, Num 1, pp 77-80, issn 0136-3360Article

Origin of yellow luminescence from reduced pressure grown bulk GaN crystalsHERRERA-ZALDIVAR, M; FERNANDEZ, P; PIQUERAS, J et al.Applied physics. A, Materials science & processing (Print). 2000, Vol 71, Num 1, pp 55-58, issn 0947-8396Article

SiC liquid-phase epitaxy on patterned substratesNIKOLAEV, A. E; IVANTSOV, V. A; RENDAKOVA, S. V et al.Journal of crystal growth. 1996, Vol 166, Num 1-4, pp 607-611, issn 0022-0248Conference Paper

Stabilitrons à faible courant de stabilisationMERINOV, A. M; IVANTSOV, V. A; LAPIN, A. B et al.Elektromehanika. 1988, Num 5, pp 117-118, issn 0136-3360Article

Semi-insulating porous SiC substratesMYNBAEVA, M. G; MYNBAEV, K. D; IVANTSOV, V. A et al.Semiconductor science and technology. 2003, Vol 18, Num 6, pp 602-606, issn 0268-1242, 5 p.Article