Evolution of the Pt conduction band in a solid Xe layerRAAEN, S; STRONGIN, M.Physical review. B, Condensed matter. 1985, Vol 32, Num 6, pp 4289-4291, issn 0163-1829Article

Correlated shallow impurity bands in doped semiconductorsAN-QI LU; ZHAO-QING ZHANG; CHAO, K. A et al.Physical review. B, Condensed matter. 1985, Vol 31, Num 12, pp 8087-8096, issn 0163-1829Article

Negative differential conductivity in shallow-impurity hoppingEMIN, D; HART, C. F.Physical review. B, Condensed matter. 1985, Vol 32, Num 10, pp 6503-6509, issn 0163-1829Article

THERMAL ANOMALIES IN VERY FINE STRUCTURESKELLY MJ.1982; JOURNAL OF PHYSICS. C. SOLID STATE PHYSICS; ISSN 0022-3719; GBR; DA. 1982; VOL. 15; NO 27; PP. L969-L973; BIBL. 20 REF.Article

LOW-FREQUENCY CONDUCTIVITY IN DISORDERED SYSTEMS DUE TO VARIABLE-RANGE HOPPINGFISHCHUK II; RUDKO VN.1980; J. PHYS. C: SOLID STATE PHYS.; ISSN 0022-3719; GBR; DA. 1980; VOL. 13; NO 20; PP. L493-L497; BIBL. 10 REF.Article

Electrical conductivity of Zn₃As₂SZATKOWSKI, J; SIERANSKI, K.The Journal of physics and chemistry of solids. 1990, Vol 51, Num 3, pp 249-251, issn 0022-3697Article

Propriétés électriques des monocristaux de titanate de bismuth-sodiumAVRAMENKO, V. P; KRUZINA, T. V; KUDZIN, A. YU et al.Fizika tverdogo tela. 1989, Vol 31, Num 3, pp 325-327, issn 0367-3294Article

Influence des trous sur impuretés sur la constante diélectrique des semiconducteurs sans bande interditeARAPOV, YU. G; DAVYDOV, A. B; ZVEREVA, M. L et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 5, pp 893-896, issn 0015-3222Article

Composante électronique de la conductivité électrique des électrolytes solidesDRABKIN, I. A; MOJZHES, B. YA.Fizika tverdogo tela. 1987, Vol 29, Num 1, pp 287-289, issn 0367-3294Article

Influence du niveau de dopage et de compensation sur l'énergie d'activation de la conductivité ε1 de SiC-6H:NALEKSEENKO, M. V; ZABRODSKIJ, A. G; TIMOFEEV, M. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 5, pp 810-819, issn 0015-3222Article

Mécanismes des effets de contrainte interne dans Ge-n dans la région de conductivité mixteDUCHAL, V. YA; ERMAKOV, V. N; KOLOMOETS, V. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 10, pp 1902-1904, issn 0015-3222Article

Impurity band conduction in CdHgTe crystalsDZIUBA, Z.The Journal of physics and chemistry of solids. 1986, Vol 47, Num 9, pp 895-898, issn 0022-3697Article

Ecran électrostatique ionique et recombinaison radiative des porteurs localisés dans la phase à basse température du conducteur ionique RbCu4Cl3I2AFANAS'EV, M. M; VENUS, G. B; GROMOV, O. G et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1985, Vol 41, Num 5, pp 194-196, issn 0370-274XArticle

Etat de charge anormal des atomes d'impureté étain dans un verre semiconducteurBORDOVSKIJ, G. A; SAVINOVA, N. A; SEREGINA, L. N et al.Fizika tverdogo tela. 1985, Vol 27, Num 10, pp 3104-3106, issn 0367-3294Article

Metallic impurity conduction in doped semiconductorsOOTUKA, Y; KAWABATA, A.Progress of theoretical physics. Supplement. 1985, Num 84, pp 249-268, issn 0375-9687Article

Conductivité par sauts entre états d'impuretés profonds dans InP<Mn>KUZNETSOV, V. P; MESSERER, M. A; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 3, pp 446-450, issn 0015-3222Article

Impurity conduction in silicon and effect of uniaxial compression on p-type SiCHROBOCZEK, J. A; POLLAK, F. H; STAUNTON, H. F et al.Philosophical magazine. B. Physics of condensed matter. Electronic, optical and magnetic properties. 1984, Vol 50, Num 1, pp 113-156, issn 0141-8637Article

Electronic properties of vapor-grown heteroepitaxial ZnO film on sapphireKASUGA, M; OGAWA, S.Japanese journal of applied physics. 1983, Vol 22, Num 5, pp 794-798, issn 0021-4922Article

Interprétation des oscillations de la conductivité longitudinale dans une bande d'impuretés bidimensionnelleCHENSKIJ, E. V; TKACH, YU. YA.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1983, Vol 38, Num 5, pp 235-238, issn 0370-274XArticle

Diffusion of metal ions and stimulated currents into a-As₂Se₃ thin filmsKIM, D. Y; ONARI, S; ARAI, T et al.Japanese journal of applied physics. 1989, Vol 28, Num 6, pp 965-971, issn 0021-4922, 1Article

Activité électrique de Ni dans CdGeAs2 vitreuxOKUNEV, V. D; PAFOMOV, N. N.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 3, pp 497-499, issn 0015-3222Article

Temperature dependence of resistance of solid hydrogen iodide at high pressureVAN STRAATEN, J; SILVERA, I. F.The Journal of chemical physics. 1988, Vol 88, Num 1, pp 478-480, issn 0021-9606Article

Conductivité d'impureté dans GaAs-n et InP-n du côté métallique de la transition métal isolantVORONINA, T. I; DAKHNO, A. N; EMEL'YANENKO, O. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 7, pp 1230-1232, issn 0015-3222Article

Influence des déformations élastiques uniaxiales fortes sur la conductivité dans la bande d'impureté de Ge-n<Sb>BARANSKIJ, P. I; KOLOMOETS, V. V; ERMAKOV, V. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 8, pp 1477-1479, issn 0015-3222Article

The mobility edge since 1967NEVILL MOTT, S.Journal of physics. C. Solid state physics. 1987, Vol 20, Num 21, pp 3075-3102, issn 0022-3719Article