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Distribution des impuretés dans l'épaisseur d'une lame, lors de leur augmentation à partir de la phase gazeuse, obtenue par simulation sur ordinateurALEKSANDROV, L. N; KOGAN, A. N; D'YAKONOVA, V. I et al.Inženerno-fizičeskij žurnal. 1983, Vol 45, Num 2, pp 320-325, issn 0021-0285Article

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Growth rate and impurity distribution in multicrystalline silicon for solar cellsKVANDE, Rannveig; MJØS, Oyvind; RYNINGEN, Birgit et al.Materials science & engineering. A, Structural materials : properties, microstructure and processing. 2005, Vol 413-14, pp 545-549, issn 0921-5093, 5 p.Conference Paper

EFFECTS ON VLSI YIELD OF DOUBLY-STOCHASTIC IMPURITY DISTRIBUTIONS = EFFETS DES DISTRIBUTIONS DOUBLEMENT STOCHASTIQUES D'IMPURETES SUR LA PERFORMANCE DE L'INTEGRATION A TRES GRANDE ECHELLEPRUCNAL PR; CARD HC.1982; IEEE TRANS. RELIAB.; ISSN 0018-9529; USA; DA. 1982; VOL. 31; NO 2; PP. 185-190; BIBL. 14 REF.Article

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PROFILS DE LA DISTRIBUTION DE L'IMPURETE INTRODUITE POUR DE GRANDES DOSES DE DOPAGE PAR IMPLANTATIONTITOV VV.1979; ZH. TEKH. FIZ.; SUN; DA. 1979; VOL. 49; NO 4; PP. 844-849; BIBL. 4 REF.Article

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LE PROBLEME DE LA CONSTRUCTION DE PROFILS DONNES DE DISTRIBUTION DE L'IMPURETE PAR LA METHODE D'IMPLANTATION IONIQUETITOV VV.1978; ZH. TEKH. FIZ.; SUN; DA. 1978; VOL. 48; NO 11; PP. 2407-2411; BIBL. 3 REF.Article

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