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Théorie de l'injection de porteurs dans une hétérostructure p-nKONSTANTINOV, O. V; MEZRIN, O. A.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 11, pp 1991-1999, issn 0015-3222Article

Théorie des contacts n+-ν(p+-π) sur semiconducteurs compensésGREJSUKH, A. M; TSYRLIN, L. EH.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 3, pp 398-401, issn 0015-3222Article

Le problème de l'injection d'un courant électrique dans un métal liquideYAVOJSKIJ, V. I; POVKH, I. L; KHANOV, V. K et al.Magnitnaâ gidrodinamika. 1984, Num 1, pp 139-140, issn 0025-0015Article

Non-linear stability bounds in electrohydrodynamicsRICHARDSON, A. T.Journal of electrostatics. 1984, Vol 15, Num 3, pp 343-349, issn 0304-3886Conference Paper

THEORIE SANS MODELE DES PHENOMENES D'INJECTION DE CONTACT ET CERTAINES APPLICATIONS DE CELLE-CIZYUGANOV AN; SVECHNIKOV SV.1981; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1981; VOL. 10; NO 2; PP. 99-117; BIBL. 37 REF.Article

Double injection in solids with non-ohmic contacts. II: Solids with defectsKAO, K. C.Journal of physics. D, Applied physics (Print). 1984, Vol 17, Num 7, pp 1449-1467, issn 0022-3727Article

Influence d'un flux hors d'équilibre de quasi-particules sur les propriétés de jonctions Josephson supraconducteur-métal normal-supraconducteurKAPLUNENKO, V. K; RYAZANOV, V. V; SHMIDT, V. V et al.ZETF. Pis′ma v redakciû. 1985, Vol 89, Num 4, pp 1389-1403, issn 0044-4510Article

Détermination des paramètres électrophysiques des domaines fortement dopés des structures p+-n-n+ à partir des valeurs des coefficients d'injection des jonctions émettricesGRIGOR'EV, B. I; TOGATOV, V. V.Radiotehnika i èlektronika. 1984, Vol 29, Num 9, pp 1810-1813, issn 0033-8494Article

Propriétés photoélectriques de structures p+-ν-π-n+ épitaxiques d'arséniure de galliumVORONIN, S. T; KRAVCHENKO, A. F; SHERSTYAKOV, A. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 5, pp 787-791, issn 0015-3222Article

Charge injection into SiO₂ films at fields between 1 and 3 MV cm^-1 after electrical stressKRAUSE, H; BÄR, H.-P.Physica status solidi. A. Applied research. 1988, Vol 110, Num 2, pp 537-547, issn 0031-8965Article

Electroluminescence of III-V single-crystal semiconducting electrodesDECKER, F; PRINCE, F; MOTISUKE, P et al.Journal of applied physics. 1985, Vol 57, Num 8, pp 2901-2904, issn 0021-8979, part 1Article

Injection acoustique de porteurs de charge dans des jonctions p-n de semiconducteurs piézoélectriquesGULYAEV, YU. V; CHUSOV, I. I; BUGAEVA, T. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 3, pp 552-555, issn 0015-3222Article

RECUIT PAR INJECTION DE DIODES DIFFUSEES A BASE DE GE APRES IRRADIATION PAR NEUTRONS RAPIDESAFANAS'EV VN; TUTUROV YU F; FILIMONCHEVA PI et al.1974; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., NEORG. MATER.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 10; NO 11; PP. 1926-1931; BIBL. 14 REF.Article

ETUDE DE LA POSSIBILITE D'INJECTION EXTERNE DANS UN MICROTRONESINA ZN; KUZNETSOV VM; LASHUK NA et al.1981; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1981; NO 3; PP. 24-26; BIBL. 6 REF.Article

DOUBLE INJECTION IN INSULATORS: THEORETICAL DESCRIPTION AND ANALYSIS OF SOME DOUBLE-INJECTION EXPERIMENTS IN ANTHRACENE CRYSTALS.SCHWOB HP; WILLIAMS DF.1974; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 45; NO 6; PP. 2638-2649; BIBL. 16 REF.Article

EFFECT OF MOBILITY GRADATION ON EXCESS CARRIER DISTRIBUTION & CUT-OFF FREQUENCY OF A DIFFUSED BASE TRANSITOR AT DIFFERENT INJECTION LEVELS.SINHA T; CHOUDHURY NKD; BISWAS AK et al.1974; INDIAN J. PURE APPL. PHYS.; INDIA; DA. 1974; VOL. 12; NO 10; PP. 680-684; BIBL. 7 REF.Article

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PROCESSUS D'INJECTION ET DE CHAMPS DANS LES COUCHES MINCES SEMICONDUCTRICES DANS LA REGION DU SAUT DE COURANTZYUGANOV AN; PIS'MENNYJ YU G; SVECHNIKOV SV et al.1973; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 11; PP. 84-96; BIBL. 13 REF.Serial Issue

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CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR A ALIMENTATION INJECTEEAVAEV NA; NAUMOV YU E.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 5; PP. 42-48; BIBL. 7 REF.Article

THEORIE APPROCHEE DE L'INJECTION DOUBLE POUR UN SEMICONDUCTEUR A TOPOLOGIE ARBITRAIRE DE LA BANDE INTERDITEZYUGANOV AN; SYPKO NI.1975; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 21; PP. 19-34; BIBL. 19 REF.Article

EFFET DE L'INJECTION SUR UN DOMAINE STATIQUELUKASH VS; SHUSHKEVICH VL; LYUZE LL et al.1973; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 7; NO 3; PP. 548-551; BIBL. 5 REF.Serial Issue

ON THE DOUBLE INJECTION NEGATIVE-RESISTANCE IN MAGNETIC FIELD.DOLOCAN V.1975; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1975; VOL. 18; NO 3; PP. 227-234; BIBL. 13 REF.Article