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CONTROLE DU PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE PRODUCTION DE JONCTIONS P-N EPITAXIQUE ET EPITAXIQUE-PLANARSBUJKO LD; GOJDENKO PP; GURSKIJ LJ et al.1974; VESCI AKAD. NAVUK B.S.S.R., FIZ.-TEKH. NAVUK; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 2; PP. 100-104; BIBL. 4 REF.Article

INFLUENCE DE LA DEFORMATION HETEROGENE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES JONCTIONS P-N PLANARS EPITAXIQUESKALOSHKIN EH P; KOLESHKO VM.1976; VESCI AKAD. NAVUK B.S.S.R., FIZ.-TEKH. NAVUK; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 3; PP. 21-24; BIBL. 7 REF.Article

SUR LES PROPRIETES D'ELECTROLUMINESCENCE DE L'ARSENIURE DE GALLIUMSPIVAK VS.1971; TRUDY MOSKOV. ENERGET. INST.; S.S.S.R.; DA. 1971; NO 94; PP. 117-119; BIBL. 2 REF.Serial Issue

ETUDE DU RETARD A L'ETABLISSEMENT DE L'ELECTROLUMINESCENCE D'UNE STRUCTURE PN, ET DE SA RELATION AVEC LA CAPACITE DE JONCTIONTSARENKOV BV; IMENKOV AN; POPOV IV et al.1972; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 6; NO 12; PP. 2364-2369; BIBL. 5 REF.Serial Issue

ETUDE DE LA DISPERSION DE LA CAPACITE DE BARRIERE DES DIODES AU SILICIUM P TRES RESISTIF A IMPURETES PROFONDESDMITRENKO NN; KURILO PM; LITOVCHENKO PG et al.1974; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON. U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 17; PP. 24-29; BIBL. 6 REF.Article

PHOTOSENSITIVE TUNNEL JUNCTIONS AND PHOTOSENSITIVE GRANULAR FILMS WITH TE OR SE BARRIERS.TSUBOI T.1976; PHYS. LETTERS, A; NETHERL.; DA. 1976; VOL. 56; NO 6; PP. 472-474; BIBL. 10 REF.Article

EPITAXIAL SILICON P-N JUNCTIONS ON POLYCRYSTALLINE "RIBBON" SUBSTRATES.KRESSEL H; ROBINSON P; MCFARLANE SH et al.1974; APPL. PHYS. LETTERS; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 25; NO 4; PP. 197-199; BIBL. 3 REF.Article

JONCTIONS P-N DIFFUSEES DANS LE CARBURE DE SILICIUM CUBIQUEALTAJSKIJ YU M; ZUEV VL; KALABUKHOV IP et al.1972; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 15; NO 9; PP. 1166-1169; BIBL. 7 REF.Serial Issue

A THREE JOSEPHSON-JUNCTION DIRECT COUPLED ISOLATION DEVICETSING CHOW WANG; JOSEPHS RM; STEIN BF et al.1982; IEEE TRANS. ELECTRON DEVICES; ISSN 0018-9383; USA; DA. 1982; VOL. 29; NO 3; PP. 414-417; BIBL. 13 REF.Article

TEMPERATURE-GRADIENT INSTABILITIES IN SEMICONDUCTOR JUNCTIONS.HANDEL PH.1975; PHYS. REV., B; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 11; NO 4; PP. 1595-1599; BIBL. 6 REF.Article

PROPRIETES PHOTOVOLTAIQUES DE JONCTIONS PN DU TYPE DIFFUSION DANS DES ALLIAGES GERMANIUM-SILICIUMBEKIROV M YA; MAMEDOVA GA.1974; AKAD. NAUK AZERBAJDZH. S.S.R., DOKL.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 30; NO 5; PP. 20-25; ABS. AZERB. ANGL.; BIBL. 10 REF.Article

INERTIE D'UN "FILAMENT" DE COURANT ET INFLUENCE DE REACTIONS EXTERIEURES SUR SA STABILITE LORS DE LA DISRUPTION SECONDAIRE DE JONCTIONS P-NVALATSKA K; VISHNYAUSKAS YU; MACHYULAJTIS CH et al.1979; LITOV. FIZ. SB.; ISSN 0024-2969; SUN; DA. 1979; NO 4; PP. 533-541; ABS. LIT/ENG; BIBL. 6 REF.Article

AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE OF GAAS HYPERABRUPT JUNCTIONSSHIMIZU A; KOSHIMIZU T.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 12; PP. 1155-1160; BIBL. 28 REF.Article

SIMPLE RELATIONSHIP BETWEEN THE BREAKDOWN VOLTAGE, CONCENTRATION, AND JUNCTION DEPTH FOR DIFFUSED PN JUNCTIONSRANG T.1982; PHYSICA STATUS SOLIDI. (A). APPLIED RESEARCH; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1982; VOL. 72; NO 1; PP. K117-K119; BIBL. 13 REF.Article

AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE OF HYPERABRUPT SILICON P-N JUNCTIONS.GUPTA AK; TYAGI MS.1976; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1976; VOL. 19; NO 4; PP. 342-344; BIBL. 8 REF.Article

DC ANALYSIS OF PARALLEL ARRAY OF TWO AND THE JOSEPHSON JUNCTIONS.WON TIEN TSANG; VAN DUZER T.1975; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 46; NO 10; PP. 4573-4580; BIBL. 16 REF.Article

OBTENTION DE JONCTIONS P-N DE HAUTE QUALITE SUR GERMANIUM PAR LA METHODE DE FUSION DE ZONE AVEC GRADIENT DE TEMPERATUREMACHYULAJTIS CH V.1975; LITOV. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 1; PP. 57-64; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 8 REF.Article

CALCULATION OF THE DIFFUSION CURVATURE RELATED AVALANCHE BREAKDOWN IN HIGH-VOLTAGE PLANAR P-N JUNCTIONS.TEMPLE VAK; ADLER MS.1975; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 22; NO 10; PP. 910-916; BIBL. 14 REF.Article

NEGATIVE KRUEMMUNG DER KAPAZITAETS-SPANNUNGS-KENNLINIE BEI HYPERABRUPTEN UBERGAENGEN = COURBURE NEGATIVE DE LA CARACTERISTIQUE CAPACITE-TENSION DANS LE CAS DE JONCTIONS PN HYPERABRUPTES1972; FREQUENZ; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 26; NO 8; PP. 224-226; ABS. ANGL.; BIBL. 1 REF.Serial Issue

DEEP LEVELS IN GAPOKUNO Y; SUTO K; NISHIZAWA JI et al.1973; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 44; NO 2; PP. 832-836; BIBL. 17 REF.Serial Issue

CALCUL DE LA CAPACITE DE BARRIERE D'UNE JONCTION P.N A NIVEAUX DE PIEGEAGE PROFONDS, OBTENUE PAR DIFFUSIONBERMAN LS.1972; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 6; NO 12; PP. 2375-2379; BIBL. 16 REF.Serial Issue

TWO-DIMENSIONAL ANALYSIS OF BREAKDOWN IN EPITAXIAL PLANAR JUNCTIONS.JINDAL S; BHATTACHARYYA AB; WARRIOR J et al.1978; I.E.E.E. J. SOLID-STATE ELECTRON DEVICES; GBR; DA. 1978; VOL. 2; NO 4; PP. 109-114; BIBL. 12 REF.Article

ESTUDIO DE LAS CORRIENTES DE SUPERFICIE EN UNA UNION P-N PLANAR. = ETUDE DES DIFFERENTES COMPOSANTES SUPERFICIELLES D'UNE JONCTION PN PLANARSERRA MESTRES F.1974; ELECTRON. FIS. APL.; ESP.; DA. 1974; VOL. 17; NO 4; PP. 325-329; ABS. FR. ANGL.; BIBL. 4 REF.Article

HALBLEITER-STRAHLUNGSDETEKTOREN. II = DETECTEURS DE RAYONNEMENTS A SEMICONDUCTEURS. IIKUHN L.1972; MESSTECHNIK; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 80; NO 12; PP. 366-374; ABS. ANGL.; BIBL. 52 REF.Serial Issue

EIN MOEGLICHES MODELL DES STOSSRAUSCHENS IN PN-UEBERGAENGEN = UN MODELE POSSIBLE POUR LE BRUIT D'ECLATEMENT DANS DES JONCTIONS P-NEIGLER H; GAEBEL H.1980; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 61; NO 2; PP. 647-652; ABS. ENG; BIBL. 16 REF.Article

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