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EIN MOEGLICHES MODELL DES STOSSRAUSCHENS IN PN-UEBERGAENGEN = UN MODELE POSSIBLE POUR LE BRUIT D'ECLATEMENT DANS DES JONCTIONS P-NEIGLER H; GAEBEL H.1980; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 61; NO 2; PP. 647-652; ABS. ENG; BIBL. 16 REF.Article

ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA RECOMBINAISON AUGER SUR LA CARACTERISTIQUE VOLT-AMPERE DES STRUCTURES DE COUCHES MULTIPLES EN SILICIUMZUBRILOV AS; KUZ'MIN VA; MNATSAKANOV TT et al.1983; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1983; VOL. 17; NO 3; PP. 474-478; BIBL. 10 REF.Article

JONCTIONS P-N DANS LES SOLUTIONS SOLIDES DE GAAS-GASBVUL A YA; KARYAEV VN; PETROSYAN PG et al.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 10; PP. 1838-1842; BIBL. 24 REF.Article

AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE OF GAAS HYPERABRUPT JUNCTIONSSHIMIZU A; KOSHIMIZU T.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 12; PP. 1155-1160; BIBL. 28 REF.Article

NEW TYPE OF HIGH-PRESSURE P-N JUNCTION MANOMETER.WLODARSKI W.1974; HIGH TEMPER.-HIGH PRESS.; G.B.; DA. 1974; VOL. 6; NO 1; PP. 115-118; BIBL. 6 REF.Article

UEBER DIE PASSIVIERUNG VON P-N-UEBERGAENGEN IN SILIZIUM DURCH ANODISCHE OXYDATION = PASSIVATION DE JONCTIONS P N EN SILICIUM PENDANT L'OXYDATION ANODIQUEMENDE G; BUTTER KD; SCHMIDT B et al.1983; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1983; VOL. 102; NO 1; PP. 65-69; ABS. ENG; BIBL. 10 REF.Article

RECOMBINATION PROPERTIES OF A DIFFUSED PN JUNCTION DETERMINED BY SPECTRAL RESPONSE MEASUREMENTSCONTI M; FERRARI P; MODELLI A et al.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 9; PP. 879-881; BIBL. 7 REF.Article

A PROPOSED NUMERICAL SOLUTION FOR THE DIFFUSION EQUATION.CHRYSSAFIS A; HARRINGTON RJ.1975; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1975; VOL. 38; NO 4; PP. 465-484; BIBL. 9 REF.Article

P-N JUNCTION OBSERVATIONS BY INTERFERENCE ELECTRON MICROSCOPY.MERLI PG; MISSIROLI GF; POZZI G et al.1974; J. MICR.; FR.; DA. 1974; VOL. 21; NO 1; PP. 11-20; H.T. 5; ABS. FR.; BIBL. 14 REF.Article

ADMITTANCE DIFFERENTIELLE DES JONCTIONS P-N DU SILICIUM EN REGIME DE CLAQUAGE DE MESOPLASMAPENTYUSH EH V; DEKENA EH K; PURITIS T YA et al.1974; LATV. P.S.R. ZINAT. AKAD. VEST., FIZ. TEH. ZINAT. SER.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 2; PP. 39-44; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article

ETUDE DE SEMICONDUCTEURS HETEROGENES AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE-MICRO-ANALYSEUR A BALAYAGE EN REGIME CATHODOLUMINESCENTGIMEL'FARB FA; GOVORKOV AV; FISTUL VI et al.1974; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., SER. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 38; NO 7; PP. 1409-1412; BIBL. 7 REF.Article

LA JONCTION P-N A PORTEURS DE CHARGE CHAUDS EN TANT QU'AMPLIFICATEUR DE SIGNAUX ELECTRIQUESABDULLAEV GB; VEJNGER AI; AKOPYAN EH A et al.1975; AKAD. NAUK-AZERBAJDZH. S.S.R., DOKL.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 31; NO 12; PP. 11-14; ABS. AZERB. ANGL.; BIBL. 2 REF.Article

A THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDY OF RECOMBINATION IN SILICON P-N JUNCTIONS.ASHBURN P; MORGAN DV; HOWES MJ et al.1975; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1975; VOL. 18; NO 6; PP. 569-577; BIBL. 15 REF.Article

PERFECTIONNEMENT DE LA CONSTRUCTION ET DE LA TECHNOLOGIE D'OBTENTION DE DIODES MESA IMPULSIONNELLES AU SILICIUMKHITREN MI; VASIL'EV AP; MARETSKIJ AG et al.1974; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 17; PP. 90-94; BIBL. 5 REF.Article

METHODE PHOTOELECTRIQUE DE MESURE DE LA POSITION DES JONCTIONS P.N.ANGELOVA LA; KOZLOV A YU; TOLSTIKHIN VI et al.1982; MIKROELEKTROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1982; VOL. 11; NO 2; PP. 138-145; BIBL. 3 REF.Article

OSCILLATIONS EN UNE JONCTION P-N AVEC PORTEURS CHAUDSVEJNGER AI; KOCHARYAN AA.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 4; PP. 682-688; BIBL. 8 REF.Article

COMPARISON OF LEAKAGE CURRENTS IN ION-IMPLANTED AND DIFFUSED P-N JUNCTIONS.KIRCHER CJ.1975; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 46; NO 5; PP. 2167-2173; BIBL. 20 REF.Article

CAS PARTICULIERS D'OBSERVATION DE CHAMPS ELECTRIQUES LOCALISES ETABLIS DANS DES OBJETS SEMICONDUCTEURS PAR LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGEGALSTYAN VG; NOSIKOV SV.1974; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., SER. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 38; NO 7; PP. 1413-1416; BIBL. 3 REF.Article

COMMANDE DU TEMPS DE BLOCAGE D'UN RELAXATEUR A L'AIDE DE LA CAPACITE DE BARRIERE D'UNE JONCTION P-NKOSTEREV VS.1974; RADIOTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 29; NO 7; PP. 46-48; BIBL. 4 REF.Article

CONTROLE DU PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE PRODUCTION DE JONCTIONS P-N EPITAXIQUE ET EPITAXIQUE-PLANARSBUJKO LD; GOJDENKO PP; GURSKIJ LJ et al.1974; VESCI AKAD. NAVUK B.S.S.R., FIZ.-TEKH. NAVUK; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 2; PP. 100-104; BIBL. 4 REF.Article

ETUDE DU PROCESSUS DE VARIATION DU TYPE DU CLAQUAGE D'AVALANCHE A CELUI DE MESOPLASMA DANS LES JONCTIONS P-N DE SILICIUMPENTYUSH EH V; DEKENA EH K; PURITIS T YA et al.1974; LATV. P.S.R. ZINAT. AKAD. VEST., FIZ. TEH. ZINAT. SER.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 5; PP. 48-57; ABS. ANGL.; BIBL. 15 REF.Article

REALISATION DU MULTIPLICATEUR DE FREQUENCE OPTIMAL EN UTILISANT LA CAPACITE NON LINEAIRE DE LA JONCTION P-NGONCHAROV BI; DUSHCHENKO VK; KARPUKHIN AV et al.1974; RADIOTEKHNIKA, U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 31; PP. 104-112; BIBL. 5 REF.Article

ANTIMONY DIFFUSION INTO P-TYPE PB1-X SNXTE.GULDI RL; ANTCLIFFE GA.1974; J. ELECTROCHEM. SOC.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 121; NO 11; PP. 1523-1526; BIBL. 10 REF.Article

SEMICONDUCTOR JUNCTION SURFACE WAVE TRANSDUCER.LIN HC; PAPANICOLAOU NA; ACEVEDO J et al.1973; IN: ULTRASON. SYMP. PROC.; MONTEREY, CALIF.; 1973; NEW YORK; INST. ELECTR. ELECTRON. ENG.; DA. 1973; PP. 548-552Conference Paper

BOUNDARY CONDITIONS AT P-N JUNCTIONSHEASELL EL.1979; SOLID-STATE ELECTRON.; GBR; DA. 1979; VOL. 22; NO 10; PP. 853-856; BIBL. 16 REF.Article

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