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Etats équivalents du nuonium et de l'hydrogène dans le siliciumGEL'FAND, R. B; GORDEEV, V. A; FIRSOV, V. G et al.Fizika tverdogo tela. 1989, Vol 31, Num 8, pp 176-185, issn 0367-3294Article

Propriétés électrophysiques de la solution solide Si-Ge dopée par neutrons du côté des compositions riches en silicium. I. Paramètres électrophysiques et conductivité ε1ZABRODSKJ, A. G; EVSEEV, V. A; KONOPLEVA, R. F et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 11, pp 2042-2051, issn 0015-3222Article