au.\*:("KOVALYUK, Z. D")
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Spectres d'excitons des monocristaux de composés d'insertion de séléniures d'indium et galliumLUK'YANYUK, V. K; KOVALYUK, Z. D.Fizika tverdogo tela. 1987, Vol 29, Num 9, pp 2836-2838, issn 0367-3294Article
Space-charge region scattering in indium monoselenideSAVITSKII, P. I; KOVALYUK, Z. D; MINTYANSKII, I. V et al.Physica status solidi. A. Applied research. 2000, Vol 180, Num 2, pp 523-531, issn 0031-8965Article
Détermination des courbures des plans cristallographiques des monocristaux par la méthode de Berg-BarretKSHEVETSKIJ, S. A; KAMINSKIJ, V. M; KOVALYUK, Z. D et al.Metallofizika (Kiev). 1985, Vol 7, Num 1, pp 85-88, issn 0204-3580Article
Annealing effect on conductivity anisotropy in indium selenide single crystalsSAVITSKII, P. I; MINTYANSKII, I. V; KOVALYUK, Z. D et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1996, Vol 155, Num 2, pp 451-460, issn 0031-8965Article
Capacitive structures based on 'muscovite' micaGAVRILYUL, S. V; GRIGORCHAK, I. I; KOVALYUK, Z. D et al.Journal of engineering physics and thermophysics. 1994, Vol 66, Num 3, pp 309-311, issn 1062-0125Article
Processus de photopolarisation dans les composés d'insertion par couches intercalaires LixGaSe et LixInSeGRIGORCHAK, I. I; KOVALYUK, Z. D; MINTYANSKIJ, I. V et al.Fizika tverdogo tela. 1989, Vol 31, Num 2, pp 222-224, issn 0367-3294Article
On a mechanism of photo-e.m.f. formation in SIS structuresKATERINCHUK, V. N; KOVALYUK, Z. D; MANASSON, V. A et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1988, Vol 108, Num 2, pp K115-K118, issn 0031-8965Article
Effets de polarisation dans un composé d'insertion du monoséléniure de galliumRYBAJLO, V. O; GRIGORCHAK, I. I; KOVALYUK, Z. D et al.Fizika tverdogo tela. 1987, Vol 29, Num 5, pp 1508-1509, issn 0367-3294Article
Anisotropy of electrical conductivity in indium selenideSAVITSKII, P. I; KOVALYUK, Z. D; MINTYANSKII, I. V et al.Inorganic materials. 1996, Vol 32, Num 4, pp 361-365, issn 0020-1685Article
Optical properties of GaSe crystals containing Mn impurity atoms. I, Excition-phonon interactionGNATENKO, Y. P; ZHIRKO, Y. I; KOVALYUK, Z. D et al.Physica status solidi. B. Basic research. 1990, Vol 161, Num 1, pp 419-426, issn 0370-1972, 8 p.Article
Hall-coefficient sign inversion, electrical conductivity, and its anisotropy in highly intercalated NaxInSe single crystalsLUKYANYUK, V. K; TOVARNITSKII, M. V; KOVALYUK, Z. D et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1989, Vol 114, Num 1, pp 293-298, issn 0031-8965Article
Thermally stimulated changes in the defect structure of indium monoselenideSAVITSKII, P. I; KOVALYUK, Z. D; MINTYANSKII, I. V et al.Inorganic materials. 1997, Vol 33, Num 9, pp 897-901, issn 0020-1685Article
Photoconductivité des cristaux lamellaires de InSeBRANDT, N. B; KOVALYUK, Z. D; KUL'BACHINSKIJ, V. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 9, pp 1657-1660, issn 0015-3222Article
Simulation of lithium battery dischargePOLYAKOV, I. O; DUGAEV, V. K; KOVALYUK, Z. D et al.Russian journal of electrochemistry. 1997, Vol 33, Num 1, pp 21-25, issn 1023-1935Article
Apparition d'un état électret dans les monocristaux lamellaires de GaSe à solutions solides d'insertionMINTYANSKIJ, I. V; GRIGORCHAK, I. I; KOVALYUK, Z. D et al.Fizika tverdogo tela. 1986, Vol 28, Num 4, pp 1263-1265, issn 0367-3294Article
Some physical properties of GaSe<MeNO2> (Me=Ma,K) and of biintercalates based on themNETYAGA, V. V; GRIGORCHAK, I. I; KOVALYUK, Z. D et al.Semiconductors (Woodbury, N.Y.). 1993, Vol 27, Num 7, pp 673-674, issn 1063-7826Article
Polarisation-sensitive photodiode for the 632•8 nm spectral regionMANASSON, V. A; KOVALYUK, Z. D; DRAPAK, S. I et al.Electronics Letters. 1990, Vol 26, Num 10, pp 664-664, issn 0013-5194, 1 p.Article
An isothermal annealing effect on the luminescence spectra of GaSe single crystalsGNATENKO, YU. P; SKUBENKO, P. A; KOVALYUK, Z. D et al.Physica status solidi. B. Basic research. 1984, Vol 123, Num 1, pp K63-K67, issn 0370-1972Article
Heterojunctions produced from the layered semiconductors SnS1.9Se0.1 and GaSe<Cd>KATERINCHUK, V. N; KOVALYUK, Z. D; NETYAGA, V. V et al.Inorganic materials. 2001, Vol 37, Num 4, pp 336-338, issn 0020-1685Article
Particularités de l'injection des porteurs de charge minoritaires dans la structure anisotype semiconducteur-diélectrique mince-semiconducteurDRAPAK, S. I; KATERINCHUK, V. N; KOVALYUK, Z. D et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 8, pp 1510-1512, issn 0015-3222Article
Etude de l'état de l'impureté dans le composés d'insertion par l'hydrogène du séléniure de gallium par la méthode de RMNKOVALYUK, Z. D; PROKIPCHUK, T. P; SEREDYUK, A. I et al.Fizika tverdogo tela. 1987, Vol 29, Num 7, pp 2191-2193, issn 0367-3294Article
Influence d'un recuit isotherme sur les spectres de luminescence des monocristaux de GaSeGNATENKO, YU. P; SKUBENKO, P. A; KOVALYUK, Z. D et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 7, pp 1300-1303, issn 0015-3222Article
Susceptibilité magnétique des semiconducteurs lamellaires InSe, GaSeLASHKAREV, G. V; BRODOVOJ, A. V; POSTOJ, S. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 1, pp 176-177, issn 0015-3222Article
Emission of free and bound excitons in layered GaSe crystalsGNATENKO, Y. P; KOVALYUK, Z. D; SKUBENKO, P. A et al.Physica status solidi. B. Basic research. 1983, Vol 117, Num 1, pp 283-287, issn 0370-1972Article
Anisotropie de la photoconductivité des cristaux lamellaires de GaSe et InSe mesurée par une méthode d'hyperfréquences sans contactISHCHENKO, S. S; OKULOV, S. M; KLIMOV, A. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 7, pp 1230-1234, issn 0015-3222Article
