Durées de vie des transitions radiatives intrinsèques dans des hétérostructures à effet dimensionnel quantiqueKHALFIN, V. B; GARBUZOV, D. Z; KRASOVSKIJ, V. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 10, pp 1816-1822, issn 0015-3222Article

Laser à hétérojonction double à limitation séparée InGaAsP-GaAs, à effet dimensionnel quantique, préparée par épitaxie en phase liquide (λ=0,79 μ, In=124 A/cm2, T=300 T)ALFEROV, ZH. I; ANTONISHKIS, N. YU; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 1, pp 162-164, issn 0015-3222Article

Profils Auger de la composition et études de luminescence d'hétérostructures en phase liquide de InGaAsP avec régions actives de (1,5-5)×10-6 cmALFEROV, ZH. I; GARBUZOV, D. Z; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 6, pp 1108-1114, issn 0015-3222Article

Nature des états d'impureté non fondamentaux dans des cristaux fortement dopésVIL'KOTSKIJ, V. A; DOMANEVSKIJ, D. S; ZHOKHOVETS, S. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 9, pp 1660-1666, issn 0015-3222Article

Photoluminescence d'hétérostructures InGaAsP/GaAs à effet dimensionnel quantique obtenues par la méthode d'épitaxie en phase liquideALFEROV, ZH. I; ANTONISHKIS, N. YU; ARSENT'EV, I. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 12, pp 2145-2149, issn 0015-3222Article

Méthodes sans contact d'étude des paramètres des particules dans des écoulements de plasma à deux phasesKRASOVSKIJ, V. V; MOSSEH, A. L; TYUKAEV, V. I et al.Inženerno-fizičeskij žurnal. 1985, Vol 48, Num 6, pp 1015-1028, issn 0021-0285Article

Lasers à double hétérostructure InGaAsP/GaAs à injection et bas seuil, avec limite différente, obtenus par la méthode d'épitaxie en phase liquide (λ=0,78-0,87 μm, Iseuil=460 A/cm2, T=300 K)ALFEROV, ZH. I; ARSENT'EV, I. N; VAVILOVA, L. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 9, pp 1655-1659, issn 0015-3222Article

Un laser à injection continu à 0,677 μm, en hétérostructure double InGaAsP/GaAsP à limite séparée, obtenu par épitaxie en phase liquideALFEROV, ZH. I; ARSENT'EV, I. N; VAVILOVA, L. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 6, pp 1115-1118, issn 0015-3222Article