POWER DEVICES: SPECIFIC PROBLEMS.LETURCQ P.1976; IN: SOLID STATE DEVICES. EUR. RES. CONF. 5; GRENOBLE; 1975; PARIS; J. PHYS.; DA. 1976; PP. 119-153; ABS. FR.; BIBL. 2 P. 1/2Conference Paper

Modèles physiques distribués pour composants bipolaires de puissance = Distributed physical models of power bipolar devicesLETURCQ, P.Revue générale de l'électricité (Paris). 1992, Num 6, pp 17-22, issn 0035-3116Article

CARRIER MOBILITIES IN SILICON SEMI-EMPIRICALLY RELATED TO TEMPERATURE, DOPING AND INJECTION LEVELDORKEL JM; LETURCQ P.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 9; PP. 821-825; BIBL. 19 REF.Article

ETUDE PHYSIQUE DE LA SENSIBILITE, DE LA CONDUCTION A L'ETAT PASSANT ET DE LA COMMUTATION DES THYRISTORS. APPLICATION A LA CONCEPTION DE CES DISPOSITIFS.LETURCQ P; MUNOZ YAGUE A.1976; DGRST-7470923; FR.; DA. 1976; PP. 1-180; ABS. ANGL.; BIBL. DISSEM.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES)Report

OPTIMUM DESIGN OF THYRISTOR GATE-EMITTER GEOMETRY.MUNOZ YAGUE A; LETURCQ P.1976; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 23; NO 8; PP. 917-924; BIBL. 10 REF.Article

A COMPARATIVE STUDY OF METHODS OF MEASURING CARRIER LIFETIME IN P-I-N DEVICESDERDOURI M; LETURCQ P; MUNOZ YAGUE A et al.1980; IEEE TRANS. ELECTRON DEVICES; ISSN 0018-9383; USA; DA. 1980; VOL. 27; NO 11; PP. 2097-2101; BIBL. 12 REF.Article

ETUDES SUR L'ANACARDIER. II. TECHNIQUES DE CREATION ET D'ENTRETIEN DES PLANTATIONS FRUITIERES D'ANACARDIERLEFEBVRE A; LETURCQ P; PRALORAN JC et al.1973; FRUITS; FR.; DA. 1973; VOL. 28; NO 4; PP. 271-278Serial Issue

ETUDES SUR L'ANACARDIER. I. REGIONS ECOLOGIQUES FAVORABLES A LA CULTURE DE L'ANACARDIER EN AFRIQUE FRANCOPHONE DE L'OUESTGOUJON P; LEFEBVRE A; LETURCQ P et al.1973; FRUITS; FR.; DA. 1973; VOL. 28; NO 3; PP. 217-225; ABS. ANGL. ALLEM. ESP. RUSSESerial Issue

PROMOTION DE METHODES NOUVELLES DE CARACTERISATION, DE CONCEPTION ET DE SIMULATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE.LETURCQ P; BOUSQUET M; CAVALIER C et al.1974; DGRST-7371388; FR.; DA. 1974; PP. 1-285; BIBL. 1 P. 1/2; (RAPP. FINAL, COM.: COMPOSANTS CIRC. MICROMINIATURISES, ACTION: TRANSISTORS BIPOLAIRES PUISSANCE)Report

Simulation sur microcalculateur de l'ouverture des thyristors GTO = Simulation on microcomputer of gate Turn off thyristors turn-offLETURCQ, P; GAUBERT, J; NAPIERALSKI, A et al.Revue générale de l'électricité (Paris). 1990, Num 1, pp 40-48, issn 0035-3116Article

Un prolapsus peut en cacher un autre = Double rectal prolapse: report of two casesSIPROUDHIS, L; LETURCQ, P; DINASQUET, M et al.Hépato-gastro (Montrouge). 1999, Vol 6, Num 3, pp 227-230, issn 1253-7020Article

Représentation distribuée de la dynamique des charges dans la base large des thyristors «Gate-Turn-Off». Application à un modèle de G.T.O. pour la C.A.O. des circuits = Distributed representation of the charge dynamics in the wide base of the «Gate-Turn-Off» thyristors. Application to a G.T.O. model for circuits C.A.DKallala, Mohamed Adel; Leturcq, P.1994, 115 p.Thesis

Implementation of a new method for thermal analysis of plane multilayered systemsDORKEL, J. M; NAPIERALSKI, A; LETURCQ, P et al.Numerical heat transfer. 1988, Vol 13, Num 3, pp 319-336, issn 0149-5720Article

L'hépatite delta = Delta hepatitisGOUDEAU, A; DUBOIS, F; LETURCQ, P et al.La Presse médicale (1983). 1987, Vol 16, Num 42, pp 2117-2122, issn 0755-4982Article

Latchup criteria in insulated gate p-M-p-N structuresHACHAD, S; CROS, C; DAREES, D et al.I.E.E.E. transactions on electron devices. 1985, Vol 32, Num 3, pp 594-598, issn 0018-9383Article

Aide à la conception thermique d'un module interrupteur de puissance à transistors MOS (mesure des coefficients d'influence thermique) = Aid in the thermal design of a power switch module with MOS transistors (measurement of thermally unfluenced coefficients)Dorkel, J. M; Napieralski, A; Leturcq, P et al.1990, 28 p.Report

Modélisation et simulation en électronique de puissance = Modeling and simulation in power electronicsLeturcq, P; Foch, H; Chante, J. P et al.1990, 68 p.Report

Méthodologie de caractérisation thermique de supports et substrats pour l'électronique de puissance = Thermal characterization methodology of supports and substrates for power electronicsRatolojanahari, F.E; Leturcq, P; Dorkel, J.M et al.1993, 2Vol, [99] pReport