MEMOIRE BIPOLAIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET SES PARAMETRES EN FONCTION DU TEMPSPECHOUCEK M.1977; SLAB. OBZ.; CESKOSL.; DA. 1977; VOL. 38; NO 8; PP. 364-373; ABS. RUSSE ALLEM. ANGL. FR.; BIBL. 4 REF.Article

SENSIBILITE SPECTRALE DES COUCHES ELECTROPHOTOGRAPHIQUES A BASE DE SE AMORPHE ET DE SEMICONDUCTEURS DE COMPOSITION COMPLEXEANDREEVA GA.1973; ZH. NAUCH. PRIKL. FOTOGR. KINEMATOGR.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 18; NO 2; PP. 98-100; BIBL. 4 REF.Serial Issue

SILICON WIZARDRY.LEPSELTER MP; SEQUIN CH.1977; JAP. J. APPL. PHYS.; JAP.; DA. 1977; VOL. 16; SUPPL. 1; PP. 5-8; BIBL. 19 REF.; (CONF. SOLID STATE DEVICES. 8. PROC.; TOKYO; 1976)Conference Paper

SPECIAL ISSUE ON SEMICONDUCTOR MATERIALS AND PROCESSING TECHNOLOGY.PORTER WA.1975; I.E.E.E. J. SOLID-STATE CIRCUITS; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 10; NO 4; PP. 190Article

ZU EINER NEUEN METHODE DES TRENNSCHLEIFENS VON EINKRISTALLINEN HALBLEITERWERKSTOFFEN. = UNE NOUVELLE METHODE DE POLISSAGE AVEC SEPARATION DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURSSEYFARTH H; RICHTER F; BORCHARDT W et al.1975; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 10; NO 7; PP. 789-794; ABS. RUSSE; BIBL. 2 REF.Article

TRENDS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS PRODUCTION.ROE C.1974; ELECTRON. PACKAG. PRODUCT.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 14; NO 4; PP. 23-32 (5P.)Article

HALL-EFFECT NOISE IN SEMICONDUCTORS.VAES HMJ; KLEINPENNING TGM.1977; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 48; NO 12; PP. 5131-5134; BIBL. 9 REF.Article

SPECIAL ISSUE ON SEMICONDUCTOR MATERIALS AND PROCESSING TECHNOLOGY.GREGORY BL.1977; I.E.E.E. J. SOLID-STATE CIRCUITS; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 12; NO 4; PP. 334Article

A QUANTUM MODEL OF INVERSION LAYERS IN DOPED SEMICONDUCTOR SURFACES.GEORGIEV VK.1977; BULG. J. PHYS.; BULG.; DA. 1977; VOL. 4; NO 2; PP. 146-156; ABS. RUSSE; BIBL. 5 REF.Article

SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY 1976. ANNUAL SEMINEX TECHNICAL SEMINAR AND EXHIBITION; LONDON; 1976.1976; MICROELECTRON. AND RELIABIL.; G.B.; DA. 1976; VOL. 15; NO 4; PP. (104P.); BIBL. DISSEM.; ISBN 0080209831Conference Paper

SIPOS, A NEW TECHNOLOGY FOR SILICON SURFACE PASSIVATION.AOKI T; HAYASHI H; MATSUSHITA T et al.1976; J. ELECTRON. ENGNG; JAP.; DA. 1976; NO 109; PP. 44-48Article

DERNIERS ACQUIS DANS LE DOMAINE DE LA PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS; LEUR UTILISATION DANS L'INDUSTRIELITOVCHENKO VG.1976; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 23; PP. 3-9; BIBL. 6 REF.Article

DETERMINATION DES PARAMETRES DE STRUCTURES A SEMICONDUCTEURS A L'AIDE DE L'ABSORPTION OPTIQUEKLOTYN'SH EH EH; PETROV VK.1976; LATV. P.S.R. ZINAT. AKAD. VEST., FIZ. TEH. ZINAT. SER.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 4; PP. 52-55; ABS. ANGL.; BIBL. 2 REF.Article

CHARACTERIZATION OF PLASMA ETCHING FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS.RAKESH KUMAR; LADAS C.1975; IN: INT. ELECTRON DEVICES MEET.; WASHINGTON, D.C.; 1975; NEW YORK; INST. ELECTR. ELECTRON. ENG.; DA. 1975; PP. 27-28Conference Paper

ELECTRON-ELECTRON INTERACTIONS IN THE SURFACE INVERSION LAYER OF A SEMICONDUCTOR.LEE TK; TING CS; QUINN JJ et al.1975; SOLID STATE COMMUNIC.; G.B.; DA. 1975; VOL. 16; NO 12; PP. 1309-1312; BIBL. 13 REF.Article

FREQUENCY-DEPENDENT COMPLEX DIELECTRIC FUNCTION FOR SEMICONDUCTORS. = FONCTION DIELECTRIQUE COMPLEXE DEPENDANT DE LA FREQUENCE POUR LES SEMICONDUCTEURSVOROS T.1975; ACTA TECH. ACAD. SCI. HUNGAR.; HONGR.; DA. 1975; VOL. 80; NO 1-2; PP. 273-279; ABS. ALLEM. RUSSE; BIBL. 2 REF.Article

NOVEL 3-TERMINAL AMORPHOUS-SEMICONDUCTOR DEVICE. = NOUVEAU DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR AMORPHE A 3 TERMINAUXMADAN A; THOMPSON MJ; ALLISON J et al.1975; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1975; VOL. 11; NO 20; PP. 496-498; BIBL. 3 REF.Article

SEMICONDUCTOR MEASUREMENT TECHNOLOGY. PROGRESS REPORT, OCTOBER 1 TO DECEMBER 31, 1974.BULLIS WM.1975; NATION. BUR. STAND., SPEC. PUBL.; U.S.A.; DA. 1975; NO 400-17; PP. (78P.); BIBL. 3 P. 1/2Serial Issue

HALL-BEWEGLICHKEITSMESSUNGEN AUF DUENNEN HALBLEITERSCHICHTEN. = MESURES DE MOBILITE DE HALL SUR DES COUCHES MINCES SEMICONDUCTRICESDE MEY G; VAN CAMPENHOUT J.1975; A.T.M. MESSTECH. PRAXIS; DTSCH.; DA. 1975; NO 471; PP. 55-56; BIBL. 19 REF.Article

APPAREILLAGE POUR L'ETUDE DES SEMICONDUCTEURS DANS UN MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE A L'AIDE D'UN SIGNAL DE COURANT DE DIODEKOROB EB.1975; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 3; PP. 233-235; BIBL. 7 REF.Article

URCOVANI POVRCHOVEHO POTENCIALU NA VOLNEM POVRCHU POLOVODICOVYCH TENKYCH VRSTEV METODOU KMITAJICI ELEKTRODY. = DETERMINATION DU POTENTIEL DE SURFACE SUR DES SURFACES LIBRES DE COUCHES MINCES SEMICONDUCTRICES PAR LA METHODE D'ELECTRODE OSCILLANTESNEJDAR V; JERHOT J; VAVRA B et al.1974; ELEKTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1974; VOL. 25; NO 7; PP. 531-539; ABS. RUSSE ALLEM. ANGL.; BIBL. 9 REF.Article

PHYSIK UND TECHNIK DER DATENSPEICHERUNG. = PHYSIQUE ET TECHNIQUE DU STOCKAGE DES DONNEESWEISS H.1974; IN: PHYS.-GRUNDLAGE TECH. PLENARVORTR. 38-PHYSIK-ERTAG.; NUERNBERG; 1974; WEINHEIM, DTSCH.; PHYS. VERLAG; DA. 1974; PP. 283-313; BIBL. 9 REF.Conference Paper

NONLINEAR MECHANISMS FOR SELF-FOCUSING OF MICROWAVES IN SEMICONDUCTORSSODHA MS; TEWARI DP; JYOTI KAMAL et al.1973; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 44; NO 4; PP. 1699-1705; BIBL. 21 REF.Serial Issue

PHOTORESISTS. IV B. APPLICATION OF PHOTORESISTS IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURECLARK KG.1973; ELECTRON. COMPON.; G.B.; DA. 1973; VOL. 14; NO 17; PP. 751-758; BIBL. 42 REF.Serial Issue

SIMULATION FOR RADIATION EFFECTS IN ELECTRONICS.VAN LINT VAJ.1972; PROC. I.E.E.E.; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 62; NO 9; PP. 1190-1195; BIBL. 11 REF.Article