MEMORY ADDRESSING AND PROTECTION.1975; COMPUTER MONOGR.; NETHERL.; DA. 1975; VOL. 5; PP. 52-82Article

ASYMMETRIC MEMORY HIERARCHIESWILLIAMS JG.1973; COMMUNIC. A.C.M.; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 16; NO 4; PP. 213-222; BIBL. 27 REF.Serial Issue

LIVING IN 64 K WORLDPRINCE B.1981; MICROELECTRON. RELIAB.; ISSN 0026-2714; GBR; DA. 1981; VOL. 21; NO 6; PP. 775-778Article

EAROM: NON-VOLATILE DATA STORAGESIRAIH A.1978; ELECTRON. ENGNG; GBR; DA. 1978; VOL. 50; NO 609; PP. 61-62Article

ALLOCATION DE MEMOIRE OPERATIONNELLEBRODSKY J.1976; INFORM. SYST.; CESKOSL.; DA. 1976; VOL. 5; NO 1; PP. 65-79; ABS. RUSSE ANGL.; BIBL. 14 REF.Article

PRESENT STATE AND EVOLUTION OF MASS MEMORIES.ROGGE H.1974; ONDE ELECTR.; FR.; DA. 1974; VOL. 54; NO 6; PP. 273-276; ABS. FRArticle

METHODEN DER SPEICHERRAUMZUWEISUNG. = METHODES D'ALLOCATION MEMOIREMULLER D; HORN TM.1974; RECHENTECH. DATENVERARBEIT.; DTSCH.; DA. 1974; VOL. 11; NO 11; PP. 16-20; BIBL. 3 REF.Article

A 100 NS 5 V ONLY 64 K X 1 MOS DYNAMIC RAMCHAN JY; BARNES JJ; WANG CY et al.1980; IEEE J. SOLID-STATE CIRCUITS; ISSN 0018-9200; USA; DA. 1980; VOL. 15; NO 5; PP. 839-846; BIBL. 11 REF.Article

ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY BEHAVES LIKE A FAST, NONVOLATILE RAMWALLACE C.1979; ELECTRONICS; USA; DA. 1979; VOL. 52; NO 10; PP. 128-131Article

SEMICONDUCTOR MEMORIES 1976.WILCOCK JD.1977; NEW ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 10; NO 4; PP. 73-78 (4P.)Article

SEMICONDUCTOR MEMORY UPDATE: EEPROMS, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE ROMS, COMBINING THE BEST FEATURES OF BOTH ULTRAVIOLET ERASABLE AND ELECTRICALLY ALTERABLE TYPES, ARE LIKELY TO BE THE REAL IMPETUS OF THE FUTUREHNATEK ER.1981; COMPUT. DES.; ISSN 0010-4566; USA; DA. 1981; VOL. 20; NO 12; PP. 137-144; 6 P.; BIBL. 2 REF.Article

E-PROM DOUBLES BIT DENSITY WITHOUT ADDING A PINGREENE B; LOUIE F.1979; ELECTRONICS; USA; DA. 1979; VOL. 52; NO 17; PP. 126-129Article

THE MK4802 STATIC R.A.M.1980; NEW ELECTRON.; ISSN 0047-9624; GBR; DA. 1980; VOL. 13; NO 20; PP. 144Article

LANG. ENGLANDERS G.1978; DIGIT. DESIGN; USA; DA. 1978; VOL. 8; NO 10; PP. 42-46Article

V-MOS CONFIGURATION PACKS 64 KILOBITS INTO 175-MIL2 CHIP.HOLDT T; YU R.1978; ELECTRONICS; USA; DA. 1978; VOL. 51; NO 7; PP. 99-104Article

ZUR STRUKTUR UND KAPAZITAET ELEKTRONISCHER DIGITALER SPEICHER. = STRUCTURE ET CAPACITE DES MEMOIRES NUMERIQUES ELECTRONIQUESHILBERG W.1976; ELEKTRON. RECHENAULAGEN; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 18; NO 3; PP. 114-122; ABS. ANGL.; BIBL. 3 REF.Article

MEMOIRES. LES REPROM OFFRENT ENFIN FACILITE ET SOUPLESSE D'EMPLOI1981; MES., REGUL., AUTOM.; ISSN 0026-0193; FRA; DA. 1981; VOL. 46; NO 10; PP. 29-32Article

ETUDE DE POINT MEMOIRE A JONCTION POUR PROM.MOUSSIE M.1977; DGRST-7570660; FR.; DA. 1977; PP. 1-37; BIBL. 2 P.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MINIATURISES)Report

CLEARING UP THE CONFUSION: VIRTUAL VS MAPPED MEMORY.TANNER DJ.1976; COMPUTER DESIGN; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 15; NO 10; PP. 101-105Article

IMPLEMENTATION CONSIDERATIONS FOR MASKING ROTATIONAL LATENCY BY DYNAMIC DISK ALLOCATION.GOLD DE; KUCK DJ.1974; IN: COMPUT. ARCHIT. NETWORKS. MODELLING EVAL. PROC. INT. WORKSHOP; ROCQUENCOURT, FR.; 1974; AMSTERDAM; NORTH-HOLLAND PUBLISHING CO.; DA. 1974; PP. 207-237; BIBL. 6 REF.Conference Paper

ORGANISATION DES MODELES DE STRUCTURE DE LA MEMOIRE DE TRAVAIL A DEUX NIVEAUX D'UN CALCULATEURLOBANOV SA; SHCHEGLOV YU M.1972; TRUDY MOSKOV. ENERGET. INST.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 121; PP. 94-96; BIBL. 3 REF.Serial Issue

SEMICONDUCTOR MEMORIESWILCOCK JD.1980; NEW ELECTRON.; GBR; DA. 1980; VOL. 13; NO 4; PP. 106-113; (5 P.)Article

AN OVERVIEW OF ADD-ON MEMORIES.KRUSCHKE G.1976; DATA MANAG.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 14; NO 4; PP. 12-15Article

LARGE-CAPACITY STORAGE-USERS AND TECHNOLOGY1972; IN: IEEE INT. CONV. DIG. NEW YORK, 1972. SYNOP.; NEW YORK, N.Y.; I.E.E.E.; DA. 1972; PP. 132-141; BIBL. DISSEM.Serial Issue

SINGLE-SUPPLY 16-K, 64-K RAMS SIMPLIFY UPGRADINGSMITH F; YU R.1980; ELECTRON. DESIGN; USA; DA. 1980; VOL. 28; NO 11; PP. 85-88Article