SYNTHESE DE MONOCRISTAUX OPTIQUES DE COMPOSES DU FLUOR A STRUCTURE DE PEROWSKITE DANS DES FOURS A INDUCTIONORLOV MS.1975; OPT.-MEKH. PROMYSHL.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 42; NO 12; PP. 41-43; BIBL. 6 REF.Article

VSESOYUZNOE SOVESHCHANIE PO POLUCHENIYU PROFILIROVANNYKH KRISTALLOV I IZDELIJ SPOSOBOM STEPANOVA I IKH PRIMENENIYU V NARODNOM KHOZYAJSTVE. 8. MATERIALY = HUITIEME COLLOQUE SUR L'OBTENTION DES CRISTAUX ET PRODUITS PROFILES PAR LA METHODE DE STAPANOV ET LEUR APPLICATION INDUSTRIELLE1979; IZV. AKAD. NAUK SSSR, SER. FIZ.; ISSN 0367-6765; SUN; DA. 1979; VOL. 43; NO 9; PP. 1925-2007; H.T. 1; BIBL. DISSEM.Conference Paper

OBTENTION DE PLAQUES AU SILICIUM PAR TIRAGE A PARTIR D'UN BAIN FONDU SUIVANT LE PROCEDE DE STEPANOVTATARCHENKO VA; BRANTOV SK; ABRASIMOV NV et al.1978; FIZ. KHIM. OBRABOT. MATER.; S.S.S.R.; DA. 1978; NO 1; PP. 79-84; BIBL. 15 REF.Article

Croissance de tubes de saphir de grand diamètre par la méthode de StépanovSATUNKIN, G. A; RED'KIN, B. S; TATARCHENKO, V. A et al.Fizika i himiâ obrabotki materialov. 1983, Num 4, pp 74-80, issn 0015-3214Article

PROPERTIES OF PROFILED SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTALS GROWN BY STEPANOV'S METHOD.ANTONOV PI.1974; J. CRYST. GROWTH; NETHERL.; DA. 1974; VOL. 23; NO 4; PP. 318-322; BIBL. 13 REF.Article

COMMANDE DE LA CRISTALLISATION DE SEMICONDUCTEURS PAR PASSAGE D'UN COURANT ELECTRIQUE A TRAVERS LE SYSTEME CRISTAL-PHASE FONDUELEVINZON DI.1973; CVETN. METALLY; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 2; PP. 60-62; BIBL. 5 REF.Serial Issue

INSTALLATION POUR LE TIRAGE CONTINU DE LINGOTS CRISTALLINS PROFILES A PARTIR D'UN BAIN FONDUGOGICHAJSHVILI SH M; GOGISHVILI O SH; LALYKIN SP et al.1978; PRIOBRY TEKH. EKSPER.; SUN; DA. 1978; NO 3; PP. 226-227; BIBL. 2 REF.Article

ON EFFECTIVE COEFFICIENT OF IMPURITY DISTRIBUTION AT THE STEPANOV THIN-WALLED CRYSTAL GROWTH (EFG)BRANTOV SK; TATARCHENKO VA.1983; CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (1979); ISSN 0232-1300; DDR; DA. 1983; VOL. 18; NO 5; PP. K59-K64; BIBL. 7 REF.Article

PARTICULARITES DE LA FORMATION D'INCLUSIONS DE SIC DANS DES RUBANS DE SILICIUM FABRIQUES PAR LA METHODE DE STEPANOVABROSIMOV NV; BRANTOV SK; TATARCHENKO VA et al.1982; IZV. AKAD. NAUK SSSR, NEORG. MATER.; ISSN 0002-337X; SUN; DA. 1982; VOL. 18; NO 2; PP. 181-184; BIBL. 14 REF.Article

CROISSANCE DE RUBANS DE SILICIUM PAR LA METHODE DE STEPANOVELETSKAN NI; BUZYNIN AN; ZAICHKO UV et al.1978; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., NEORG. MATER.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 14; NO 4; PP. 603-606; BIBL. 19 REF.Article

Production of sapphire tubes for high-pressure sodium lamps using the Stepanov method at high rates of growthBORODIN, V. A; STERIOPOLO, T. A; TATARCHENKO, V. A et al.Crystal research and technology (1979). 1985, Vol 20, Num 2, pp 159-166, issn 0232-1300Article

Obtention de tubes de silicium par étirage de la masse fondue au moyen d'un système de guidageABROSIMOV, N. V; BRANTOV, S. K; TATARCHENKO, V. A et al.Fizika i himiâ obrabotki materialov. 1983, Num 2, pp 75-78, issn 0015-3214Article

STABILITE DE LA CROISSANCE DE CRISTAUX CYLINDRIQUES A PARTIR DES MELANGES FONDUS A DEUX CONSTITUANTSTIMAN BL; KOLOTIJ OD.1980; KRISTALLOGRAFIJA; ISSN 0023-4761; SUN; DA. 1980; VOL. 25; NO 3; PP. 582-589; BIBL. 8 REF.Article

OBTENTION DES MONOCRISTAUX DE AGCL PAR LA METHODE DE STEPANOVKOPTEV YU I.1977; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., NEORG. MATER.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 13; NO 3; PP. 550-551Article

SOVESHCHANIYE PO POLUCHENIYU PROFILIROVANNYKH KRISTALLOV I IZDELIJ SPOSOBOM STEPANOVA I IKH PRIMENENIYU V NARODNOM KHOZYAJSTVE. 7. MATERIALY; LENINGRAD; 1976. = CONGRES SUR L'OBTENTION DE CRISTAUX ET PRODUITS PROFILES PAR LA METHODE DE STEPANOV ET LEUR APPLICATION A L'ECONOMIE POPULAIRE. 7. MATIERES; LENINGRAD; 19761976; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., SER. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 40; NO 7; PP. 1322-1552; BIBL. DISSEM.Conference Paper

A novel bi-directional step-flow growth mode : C₆₀ on Ge(100) and GaAs(110)DUNPHY, J. C; KLYACHKO, D; XU, H et al.Surface science. 1997, Vol 383, Num 2-3, pp L760-L765, issn 0039-6028Article

Influence of growth process parameters on weight sensor readings in the Stepanov (EFG) techniqueBORODIN, A. V; BORODIN, V. A; SIDOROV, V. V et al.Journal of crystal growth. 1999, Vol 198-99, pp 215-219, issn 0022-0248, 1Conference Paper

Particularités de la formation de «cristaux en boutons» pendant la croissance de rubans de silicium interdendritiquesDASHEVSKIJ, M. YA; KIBIZOV, R. V.Kristallografiâ. 1984, Vol 29, Num 5, pp 995-1000, issn 0023-4761Article

SHAPED MELT LOWERING (SML): A NOVEL GROWTH TECHNIQUE PERMITTING K_EFF=1MIYAZAWA S.1982; JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH; ISSN 0022-0248; NLD; DA. 1982; VOL. 60; NO 2; PP. 331-337; BIBL. 14 REF.Article

Impurity microsegregation due to periodic changes in the temperature and pulling rate of crystal grown by the Stepanov methodZHDANOV, A. V; NIKOLAEVA, L. P; RED'KIN, B. S et al.Journal of engineering physics and thermophysics. 1995, Vol 68, Num 3, pp 419-426, issn 1062-0125Article

Control over gas bubble distribution in shaped sapphire crystalsBORODIN, V. A; STERIOPOLO, T. A; TATARCHENKO, V. A et al.Crystal research and technology (1979). 1985, Vol 20, Num 3, pp 301-306, issn 0232-1300Article

New equipment for growing shaped silicon crystals for terrestrial solar cellsEVTODII, B. N; UTKIN-EDIN, D. P; KATS, E. A et al.Soviet electrical engineering. 1992, Vol 63, Num 2, pp 57-61, issn 0038-5379Article

DETERMINATION DU GRADIENT AXIAL DE TEMPERATURE ET DE LA SURFUSION AU FRONT DE CRISTALLISATION DANS LA CRISTALLISATION DU CORINDON PAR LA METHODE DE STEPANOVTSIVINSKIJ SV; ZATULOVSKIJ LM; KOPYLOV VA et al.1982; KRISTALLOGRAFIJA; ISSN 0023-4761; SUN; DA. 1982; VOL. 27; NO 3; PP. 578-583; BIBL. 11 REF.Article

CARACTERE DIVERS DE LA RELAXATION DES CONTRAINTES DANS LES MONOCRISTAUX DE CORINDONDOBROVINSKAYA ER; LITVINOV LA; PISHCHIK VV et al.1977; KRISTALLOGRAFIJA; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 22; NO 4; PP. 879Article

DEPENDENCE OF SUBGRAIN DIMENSIONS AND DISORIENTATION ON DISLOCATION DENSITY IN CRYSTALS GROWN BY THE BRIDGMAN, KYROPOULOS, CZOCHRALSKI OR STEPANOV METHOD.MASLOVA LA.1975; KRISTALL. U. TECH.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 10; NO 4; PP. 423-432; ABS. RUSSE; BIBL. 19 REF.Article