Transport coefficients and Einstein relation in a high density plasma of solidsMNATSAKANOV, T. T.Physica status solidi. B. Basic research. 1987, Vol 143, Num 1, pp 225-234, issn 0370-1972Article

Sur la limite de validité de l'approximation de diffusion dans la théorie des dispositifs semiconductrices multicouchesMNATSAKANOV, T. T.Radiotehnika i èlektronika. 1987, Vol 32, Num 1, pp 127-132, issn 0033-8494Article

Particularités de la caractéristique courant-tension lors d'une injection double dans les structures multicouches au silicium avec une base étroiteMNATSAKANOV, T. T; TUGUSHEVA, T. E.Radiotehnika i èlektronika. 1985, Vol 30, Num 1, pp 127-132, issn 0033-8494Article

Mobilités des porteurs de charge dans les semiconducteurs de types n et pGRESSEROV, B. N; MNATSAKANOV, T. T.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 9, pp 1658-1663, issn 0015-3222Article

Les caractéristiques courant-tension des dispositifs semiconducteurs de puissance dans le domaine des densités de courant élevéesKUZ'MIN, V. A; MNATSAKANOV, T. T.Èlektrotehnika (Moskva, 1963). 1984, Num 3, pp 39-44, issn 0013-5860Article

Relation d'Einstein dans les semiconducteurs dans les conditions d'une forte diffusion électron-trouMNATSAKANOV, T. T; ROSTOVTSEV, I. L; FILATOV, N. I et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 7, pp 1293-1296, issn 0015-3222Article

Estimate of accuracy in determining lifetime of charge carriers in semiconductors structures by means of a computer modellingMNATSAKANOV, T. T; ROSTOVTSEV, I. L; FILATOV, N. I et al.Soviet journal of communications technology & electronics. 1992, Vol 37, Num 8, pp 62-67, issn 8756-6648Article

Investigation of the effect of electron-hole scattering on charge carrier transport in semiconductors and semiconductor devices under low injection conditionsMNATSAKANOV, T. T; GRESSEROV, B. N; POMORTSEVA, L. I et al.Solid-state electronics. 1995, Vol 38, Num 1, pp 225-233, issn 0038-1101Article

Etude de l'influence d'effets physiques non linéaires sur la caractéristique courant-tension de structures multicouches au silicium à l'aide d'une modélisation sur ordinateurMNATSAKANOV, T. T; ROSTOVTSEV, I. L; FILATOV, N. I et al.Radiotehnika i èlektronika. 1986, Vol 31, Num 9, pp 1848-1853, issn 0033-8494Article

Analysis of the turn-on process in 6 kV 4H-SiC junction diodesMNATSAKANOV, T. T; LEVINSHTEIN, M. E; IVANOV, P. A et al.Semiconductor science and technology. 2005, Vol 20, Num 1, pp 62-67, issn 0268-1242, 6 p.Article

La conception assistée des thyristors de puissanceDZHAFAROV, Z. T; KUZ'MIN, V. A; MNATSAKANOV, T. T et al.Èlektrotehnika (Moskva, 1963). 1987, Num 10, pp 8-11, issn 0013-5860Article

Analytical and numerical studies of p+-emitters in silicon carbide bipolar devicesLEVINSHTEIN, M. E; MNATSAKANOV, T. T; AGARWAL, A. K et al.Semiconductor science and technology. 2011, Vol 26, Num 5, issn 0268-1242, 055024.1-055024.8Article

Experimental verification of a new approach to the analysis of the quasineutral carrier transport in semiconductors and semiconductor structuresSHUMAN, V. B; MNATSAKANOV, T. T; LEVINSHTEIN, M. E et al.Semiconductor science and technology. 2011, Vol 26, Num 8, issn 0268-1242, 085016.1-085016.7Article

Fundamental physical limitations on the blocking voltage of SiC rectifier diodesMNATSAKANOV, T. T; LEVINSHTEIN, M. E; POMORTSEVA, L. I et al.Semiconductor science and technology. 2009, Vol 24, Num 12, issn 0268-1242, 125010.1-125010.6Article

Choosing proper approximation for semiconductor device analytical modeling at low temperatureMNATSAKANOV, T. T; POMORTSEVA, L. I; SCHRÖDER, D et al.Journal de physique. IV. 1998, Vol 8, Num 3, pp Pr3.71-Pr3.74, issn 1155-4339Conference Paper

Specific features of quasineutral carrier transport modes in semiconductors and semiconductor structuresMNATSAKANOV, T. T; TANDOEV, A. G; YURKOV, S. N et al.Semiconductor science and technology. 2009, Vol 24, Num 7, issn 0268-1242, 075006.1-075006.8Article

On the thermal stability of high-voltage rectifier diodesMNATSAKANOV, T. T; LEVINSHTEIN, M. E; FREIDLIN, A. S et al.Semiconductor science and technology. 2006, Vol 21, Num 9, pp 1244-1249, issn 0268-1242, 6 p.Article

Carrier mobility model for simulation of SiC-based electronic devicesMNATSAKANOV, T. T; LEVINSHTEIN, M. E; POMORTSEVA, L. I et al.Semiconductor science and technology. 2002, Vol 17, Num 9, pp 974-977, issn 0268-1242Article

Limitations des paramètres des dispositifs semiconducteurs de puissance régies par l'effet des phénomènes physiques fondamentauxKUZ'MIN, V. A; KYUREGYAN, A. S; MNATSAKANOV, T. T et al.Radiotehnika i èlektronika. 1989, Vol 34, Num 3, pp 609-617, issn 0033-8494, 9 p.Article

Influence des défauts d'irradiation sur la caractéristique courant-tension de structures de silicium en couches multiplesZUBRILOV, A. S; KUZ'MIN, V. A; MNATSAKANOV, T. T et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 3, pp 532-534, issn 0015-3222Article