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A SIMPLE THRESHOLD MODEL FOR DEPLETION MOSTMOESCHWITZER A.1979; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1979; VOL. 53; NO 1; PP. K43-K45; BIBL. 2 REF.Article

ELEKTRONISCHE EIGENSCHAFTEN SKALIERTER MOS-TRANSISTOREN FUER VISI-SCHALTKREISE = CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES DES TRANSISTORS MOSMOESCHWITZER A.1983; NACHRICHTENTECHNIK. ELEKTRONIK; ISSN 0323-4657; DDR; DA. 1983; VOL. 33; NO 3; PP. 95-99; ABS. RUS/ENG; BIBL. 17 REF.Article

GRENZWERTE UND EIGENSCHAFTEN VON BIPOLAR- UND MOS-TRANSISTOREN FUER HOECHSTINTEGRIERTE (VLSI-) SCHALTKREISE = LIMITES ET CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES ET MOS POUR CIRCUITS A TRES HAUTE INTEGRATION (VLSI)MOESCHWITZER A.1979; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1979; VOL. 29; NO 10; PP. 403-408; ABS. RUS/ENG; BIBL. 8 REF.Article

GRUNDLAGEN DER MIKROELEKTRONIK. VII = FONDEMENT DE LA MICROELECTRONIQUEMOESCHWITZER A.1983; NACHRICHTENTECHNIK. ELEKTRONIK; ISSN 0323-4657; DDR; DA. 1983; NO 2; PP. 65-68Article

ELEKTRONISCHE PARAMETER VON MOS-TRANSISTOREN MIT KLEINEN DIMENSIONEN = LES PARAMETRES ELECTRONIQUES DES TRANSISTORS MOS DE PETITES DIMENSIONSDIENER KH; MOESCHWITZER A.1978; NACH.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 28; NO 1; PP. 6-8; BIBL. 6 REF.Article

RAUMLADUNGSANALYSE ZUR ERMITTLUNG DER U-I-RELATION INTEGRIERTER MOS-ENHANCEMENT-TRANSISTOREN IM WEAK-INVERSIONS-MODUS = ANALYSE DE LA CHARGE D'ESPACE POUR LA DETERMINATION DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DE TRANSISTORS MOS A ENRICHISSEMENT EN REGIME D'INVERSION FAIBLE DANS UN CIRCUIT INTEGREDIENER KH; MOESCHWITZER A.1982; Z. ELEKTR. INF.-ENERGIETECH.; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1982; VOL. 12; NO 1; PP. 14-27; BIBL. 5 REF.Article

NETZWERKSIMULATION VON CCD. ELEMENTEN FUER SERIELLE HALBLEITERSPEICHER = LA SIMULATION DE COMPOSANTS CCD POUR MEMOIRES EN SERIE A SEMI-CONDUCTEURSREINHOLD W; MOESCHWITZER A.1979; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1979; VOL. 29; NO 10; PP. 418-421; ABS. RUS/ENG; BIBL. 8 REF.Article

EINIGE PROBLEME DES ENTWURFS SEVELLER BLOCKORGANISIERTER CCD-SPEICHER = QUELQUES PROBLEMES CONCERNANT LA CONCEPTION DE MEMOIRES A COUPLAGE DE CHARGE SERIE ORGANISEES PAR BLOCSREINHOLD W; MOESCHWITZER A.1982; NACHRICHTENTECH., ELEKTRON.; ISSN 0323-4657; DDR; DA. 1982; VOL. 32; NO 1; PP. 31-34; ABS. ENG/RUS/FRE; BIBL. 4 REF.Article

ENTWURF EINER OPERATIONSTASTENSTEUERUNG FUER MIKRORECHNER = L'ETUDE DES TOUCHES DE COMMANDE OPERATIONNELLE D'UN MICROORDINATEURSORST M; MOESCHWITZER A.1980; NACH.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1980; VOL. 30; NO 7; PP. 299-302; BIBL. 1 REF.Article

ZUR STROM-SPANNUNG-BEZIEHUNG DES BIPOLARTRANSISTORS MIT DUENNER BASIS = CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE QUI COMPORTE UNE BASE MINCEMOESCHWITZER A; STOEV A.1979; Z. ELEKTR. INFORM.-N-ENERGIETECH.; DDR; DA. 1979; VOL. 9; NO 5; PP. 409-414; BIBL. 4 REF.Article

ZANBIT: EIN PROGRAMM ZUR OERTLICHEN EIN- UND ZWEIDIMENSIONALEN NUMERISCHEN ANALYSE VON BIPOLARSTRUKTUREN: I. = ZANBIT: PROGRAMME D'ANALYSE NUMERIQUE, A UNE OU DEUX DIMENSIONS DE STRUCTURES BIPOLAIRES A UNE OU DEUX DIMENSIONS. PREMIERE PARTIESCHUEFFNY R; FISCHER WJ; MOESCHWITZER A et al.1981; Z. ELEKTR. INF.-ENERGIETECH.; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1981; VOL. 11; NO 6; PP. 516-530Article

OERTLICH ZWEIDIMENSIONALE ANALYSE DES MOSFET = (ANALYSE BIDIMENSIONNELLE LOCALE DU TRANSISTOR MOS)SCHUEFFNY R; FISCHER WJ; MOESCHWITZER A et al.1980; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1980; VOL. 30; NO 5; PP. 194-196; ABS. RUS/ENG/FRE; BIBL. 32 REF.Article

ZANBIT. EIN PROGRAMM ZUR OERTLICH EIN- UND ZWEIDIMENSIONALEN NUMERISCHEN ANALYSE VON BIPOLARSTRUKTUREN. II = ZANBIT. UN PROGRAMME POUR L'ANALYSE NUMERIQUE BIDIMENSIONNELLE ET UNIDIMENSIONNELLE LOCALE DE STRUCTURES BIPOLAIRESSCHUEFFNY R; FISCHER WJ; MOESCHWITZER A et al.1982; ZEITSCHRIFT FUER ELEKTRISCHE INFORMATIONS- UND ENERGIETECHNIK; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1982; VOL. 12; NO 2; PP. 127-140; BIBL. 98 REF.Article

BESTIMMUNG VON SCHWELL- UND DURCHBRUCHSPANNUNG VON KMOS. TRANSISTOREN DURCH ZWEIDIMENSIONALE SIMULATION = DETERMINATION DE LA TENSION DE SEUIL ET DE PERCAGE DE TRANSISTORS KMOS A L'AIDE D'UNE SIMULATION A 2 DIMENSIONSSCHUEFFNY R; FISCHER WJ; MOESCHWITZER A et al.1981; Z. ELEKTR. INF.-ENERGIETECH.; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1981; VOL. 11; NO 4; PP. 359-373; BIBL. 29 REF.Article

EIN RAUMLADUNGSMODELL FUER DIE ANALYSE DER U-I-KENNLINIE INTEGRIERTER MOS-DEPLETIONTRANSISTOREN = UN MODELE DE CHARGE D'ESPACE POUR L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE TRANSISTORS MOS INTEGRES A MODE APPAUVRISSEMENTDIENER KH; KRAUSS M; MOESCHWITZER A et al.1980; Z. ELEKTR. INFORM.- U. ENERGIETECH.; DDR; DA. 1980; VOL. 10; NO 4; PP. 289-304; BIBL. 13 REF.Article

MODELLIERUNG INTEGRIERTER MOS-GATTER UND ERMITTLUNG DER NETZWERKANALYSEPARAMETER AUS DEM LAYOUT = SIMULATION DE PORTES MOS INTEGREES ET RECHERCHE DES PARAMETRES D'ANALYSE DU RESEAU A PARTIR DE LA STRUCTUREDIENER KH; GAERTNER U; MOESCHWITZER A et al.1979; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1979; VOL. 29; NO 10; PP. 408-411; ABS. RUS/ENG; BIBL. 6 REF.Article

Comments on Design techniques for improved capacitor area efficiency in switched-capacitors biquadsWEDER, U; MOESCHWITZER, A.IEEE transactions on circuits and systems. 1990, Vol 37, Num 5, pp 666-668, issn 0098-4094Article

BEITRAEGE ZUM ENTWURF HOCHINTEGRIERTER MOS-SCHALTKREISE = CONTRIBUTION A L'ETUDE DES CIRCUITS MOS A HAUTE INTEGRATIONDIENER KH; FISCHER P; GAERTNER U et al.1979; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1979; VOL. 29; NO 2; PP. 57-62; BIBL. 6 REF.Article

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