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THEORIE ANALYTIQUE DU DOMAINE STATIQUE PRES DE LA GRILLE D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMPKAL'FA AA.1983; ZURNAL TEHNICESKOJ FIZIKI; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1983; VOL. 53; NO 3; PP. 592-594; BIBL. 8 REF.Article

OBSERVATION D'UNE COMMUTATION ANORMALE DANS LES SYSTEMES METAL-MATERIAU-METAL A BASE DE PROUSTITE ET DE PYRARGIRITEMOROZOVSKIJ NV.1983; ZURNAL TEHNICESKOJ FIZIKI; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1983; VOL. 53; NO 3; PP. 581-583; BIBL. 10 REF.Article

PHOTORESPONSE AND BARRIER HEIGHT OF AL-A GE-N SI-MN STRUCTURESMISRA M; SINHA NP.1981; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1981; VOL. 63; NO 2; PP. K207-K210; BIBL. 12 REF.Article

A ZNTE THIN FILM MEMORY DEVICEBURGELMAN M.1980; ELECTROCOMPON. SCI. TECHNOL.; ISSN 0305-3091; GBR; DA. 1980; VOL. 7; NO 1-3; PP. 93-96; BIBL. 9 REF.Article

TUNNELLING IN METAL-SEMICONDUCTOR-METAL JUNCTIONSNAFARI N; MEHBOD M.1979; J. PHYS. C: SOLID STATE PHYS.; ISSN 0022-3719; GBR; DA. 1979; VOL. 12; NO 23; PP. 5311-5322; BIBL. 15 REF.Article

EFFET "PHOTOTRIGGER" DANS LES MONOCRISTAUX DES SELENIURES D'INDIUM ET DE GALLIUMABDINOV A SH; AKPEROV YA G; MAMEDOV VK et al.1980; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 4; PP. 749-753; BIBL. 10 REF.Article

Quasi-Fermi levels in MSM structureMAŁACHOWSKI, M. J; STEPNIEWSKI, J.Solid-state electronics. 1984, Vol 27, Num 8-9, pp 820-823, issn 0038-1101Article

Linear conductance of short semiconductor structuresSINKKONEN, J; ERANEN, S; STUBB, T et al.Physical review. B, Condensed matter. 1984, Vol 30, Num 8, pp 4813-4815, issn 0163-1829Article

GaAs-on-Si MSM photodetector : FET receiver characterization and reliabilityTING FENG; DIMOULAS, A; CHRISTOU, A et al.SPIE proceedings series. 1998, pp 53-57, isbn 0-8194-2727-6Conference Paper

Der Einfluss eines Wärmestromes durch eine ebene Metall-Malbleiter-Metall-Anordnung auf deren Strom-Spannungs-Kennlinie und den kritischen Punkt bei Gleichspannungsbelastung = Influence d'un flux de chaleur sur la caractéristique courant-tension et le point critique d'une structure métal-semiconducteur-métal phase = Influence of thermal current through a metal-semiconductor-metal sandwich on I-V-characteristics and turnaround point from the direct current caseVOLLMANN, J.Wissenschaftliche Zeitschrift der Technischen Hochschule Karl-Marx-Stadt. 1984, Vol 26, Num 5, issn 0372-7610, 755Article

Zum Potentialverlauf in Metall-Halbleiter-Metall-Sandwichstrukturen = Répartition du potentiel dans une structure en sandwich métal-semiconducteur-métal = Potentiel repartition in a MSM structureZIEGLER, L; JANTOSS, W; HERMS, W et al.Wissenschaftliche Zeitschrift der Technischen Hochschule Otto von Guericke Magdeburg. 1984, Num 1, pp 136-141, issn 0541-8933Article

Capacitance-voltage measurements of Au-Ge-Sn structure at liquid nitrogen temperatureSERIN, N.Journal of Technical Physics. 1983, Vol 24, Num 1, pp 121-125, issn 0324-8313Article

Switching mechanism in ZnTe filmsPATEL, S. M; PATEL, N. G.Thin solid films. 1984, Vol 113, Num 3, pp 185-188, issn 0040-6090Article

PARTICULARITES DE LA DISTRIBUTION D'INTENSITE DES CHAMPS ELECTRIQUES DANS LES DETECTEURS A BASE DE STRUCTURES MSM (MDSDM) ENREGISTRANT UN RAYONNEMENTKASHERININOV PG.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 10; PP. 1888-1893; BIBL. 11 REF.Article

EXPERIMENTAL EVIDENCE OF THIRD HARMONIC VARIATIONS AT 77 K AND AT 300 K IN AU-PBTE-AU AND AU-PBXSN1-XTE-AUD'AMICO A; PERICOLI RIDOLFINI V; FAINELLI D et al.1978; THIN SOLID FILMS; NLD; DA. 1978; VOL. 52; NO 1; PP. 77-81; BIBL. 2 REF.Article

THERMIONIC EMISSION IN THE SYSTEM M-GES-M.VODENICHAROV CM; STANCHEV AA; LOZEV M et al.1977; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1977; VOL. 39; NO 1; PP. K1-K5; H.T. 1; BIBL. 12 REF.Article

VARIATIONS DES SPECTRES D'ABSORPTION ELECTROOPTIQUE EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE DANS LES STRUCTURES METAL-SEMICONDUCTEUR-METALDUBININ NV; BLINOV LM; LUTSENKO EH L et al.1976; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 18; NO 8; PP. 2387-2390; BIBL. 5 REF.Article

Barrière de potentiel dans les structures M-S-M à base de tellurure de cadmiumZELENINA, N. K; MASLOVA, L. V; MATVEEV, O. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 1, pp 68-71, issn 0015-3222Article

MECHANISMS OF PHOTOCURRENT GENERATION AT ZINC-TETRAPHENYLPORPHINE/METAL ELECTRODESKAWAI T; TANIMURA K; SAKATA T et al.1978; CHEM. PHYS. LETTERS; NLD; DA. 1978; VOL. 56; NO 3; PP. 541-545; BIBL. 11 REF.Article

EFFET DE PHOTODECLENCHEMENT DANS DES STRUCTURES SYMETRIQUES A BASE DE GAAS<CU>PEKA GP; BRODOVOJ VA; SMOLYAR AN et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 10; PP. 1888-1892; BIBL. 10 REF.Article

PROPRIETES PHOTOVOLTAIQUES DE COUCHES MINCES ALUMINIUM-PHOTOCONDUCTEUR-OR OBTENUES PAR PULVERISATION HAUTE FREQUENCE.MURRAY H; PIEL A.1976; VIDE; FR.; DA. 1976; NO 183 SUPPL.; PP. 133-139; ABS. ANGL.; BIBL. 12 REF.; (MATER. TECHNOL. MICROELECTR. TENDANCES ACTUELLES. COLLOQ. C.R.; MONTPELLIER; 1976)Conference Paper

FORMATION D'UN FILAMENT DE COURANT LORS DE LA COMMUTATION DANS LA STRUCTURE ALUMINIUM - COUCHE MINCE DE SELENIUM AMORPHE - ARGENTKORSUNSKIJ MI; MAKSIMOVA S YA; SARSEMBINOV SH SH et al.1976; IZVEST. AKAD. NAUK KAZAKH. S.S.R., SER. FIZ.-MAT.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 14; NO 4; PP. 54-57; BIBL. 5 REF.Article

THE MINORITY-CARRIER INJECTION IN THE COMPLETELY DEPLETED MSM STRUCTUREMALACHOWSKI MJ; STEPNIEWSKI J.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 5; PP. 381-385; BIBL. 9 REF.Article

CHARACTERISTICS OF MSM-TYPE CDTE GAMMA -RAY DETECTOR FABRICATED FROM UNDOPED P-TYPE CRYSTALSSHOJI T; TAGUCHI T; OHBA K et al.1980; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 57; NO 2; PP. 765-774; ABS. GER; BIBL. 23 REF.Article

ETUDE DU PHENOMENE DE TRANSPORT DE MATERIAU DES ELECTRODES SUR LA SURFACE DU SILICIUM, PRODUISANT UNE COMMUTATION AVEC MEMOIREPANFILOV BA; STEPANOV GV; ELINSON MI et al.1977; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 6; NO 1; PP. 20-26; BIBL. 5 REF.Article

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